Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 8095-521:2009 (IEC 60050-521 : 2002) về Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế - Phần 521: Linh kiện bán dẫn và mạch tích hợp
TỪ VỰNG KỸ THUẬT ĐIỆN QUỐC TẾ- PHẦN 521: LINH KIỆN BÁN DẪN VÀ MẠCH TÍCH HỢP
International electrotechnical vocabulary - Part 521: Semiconductor devices and integrated circuits
Lời nói đầu
TCVN 8095-521 : 2009 thay thế TCVN 4273-86 và TCVN 4167-85;
TCVN 8095-521 : 2009 hoàn toàn tương đương với IEC 60050-521 : 2002;
TCVN 8095-521 : 2009 do Ban kỹ thuật tiêu chuẩn quốc gia TCVN/TC/E3 Thiết bị điện tử dân dụng biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.
Lời giới thiệu
TCVN 8095-521 : 2009 là một phần của bộ Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 8095.
Bộ tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 8095 (IEC 60050) hiện đã có các tiêu chuẩn sau:
1) TCVN 8095-212: 2009 (IEC 60050-212: 1990), Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế, Phần 212: Chất rắn, chất lỏng và chất khí cách điện
2) TCVN 8095-436: 2009 (IEC 60050-436: 1990), Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế, Phần 436: Tụ điện công suất
3) TCVN 8095-461: 2009 (IEC 60050-461: 2008), Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế, Phần 461: Cáp điện
4) TCVN 8095-466: 2009 (IEC 60050-466: 1990), Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế, Phần 466: Đường dây trên không
5) TCVN 8095-471: 2009 (IEC 60050-471: 2007), Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế, Phần 471: Cái cách điện
6) TCVN 8095-521: 2009 (IEC 60050-521: 2002), Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế, Phần 521: Linh kiện bán dẫn và mạch tích hợp
7) TCVN 8095-845: 2009 (IEC 60050-845: 1987), Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế, Phần 845: Chiếu sáng
TỪ VỰNG KỸ THUẬT ĐIỆN QUỐC TẾ- CHƯƠNG 521: LINH KIỆN BÁN DẪN VÀ MẠCH TÍCH HỢP
International Electrotechnical Vocabulary - Chapter 521: Semiconductor devices and integrated circuits
Tiêu chuẩn này nêu các thuật ngữ chung sử dụng trong các lĩnh vực công nghệ bán dẫn, thiết kế bán dẫn và dùng cho các loại chất bán dẫn.
Các thuật ngữ này nhất quán với các thuật ngữ được xây dựng trong các phần cụ thể khác của từ vựng kỹ thuật điện quốc tế (IEV).
TCVN 8095-151 (IEC 60050-151), Linh kiện điện và linh kiện từ.
Mục 521-01 - Giới thiệu về vật lý nguyên tử
521-01-01. Hệ thống không lượng tử hóa (của các hạt)
Hệ thống các hạt có năng lượng được giả thiết là có khả năng biến đổi một cách liên tục và trong hệ thống đó, số lượng các trạng thái vi mô được xác định bởi vị trí và vận tốc của các hạt ở một thời điểm cho trước vì thế là vô hạn.
521-01-02. Hệ thống lượng tử hóa (của các hạt)
Hệ thống các hạt mà năng lượng của chúng chỉ có các giá trị rời rạc.
521-01-03. Thống kê Maxwell-Boltzmann
Phân bố xác suất ở trạng thái vĩ mô của hệ thống các hạt không lượng tử hóa, được xác định bởi các giá trị trung bình của các tọa độ của vị trí, vận tốc hoặc năng lượng trong một thể tích rất nhỏ nhưng hữu hạn của hệ thống.
521-01-04. Hệ thức Boltzmann
Phương trình chỉ ra rằng ngoài hằng số thêm vào, entropy của hệ thống các hạt bằng với tích của logarit tự nhiên của xác suất trạng thái vĩ mô của hệ thống các hạt và hằng số Boltzmann.
521-01-05. Luật phân bố vận tốc Maxwell-Boltzmann
Phương trình đại số đưa ra số lượng dN các hạt thuộc hệ thống không lượng tử hóa, các thành phần tương ứng của vận tốc của các hạt này nằm trong lần lượt các khoảng (u, u + du), (v, v + dv), (w, w + dw):
trong đó:
N là tổng số hạt;
m là khối lượng của một hạt
T là nhiệt độ nhiệt động
k là hằng số Boltzmann.
CHÚ THÍCH: dN/N thể hiện xác suất để một hạt có các thành phần vận tốc của nó nằm trong các khoảng cần xét.
521-01-06. Nguyên tử Bo
Mô hình nguyên tử dựa trên khái niệm của Bo và Sommerfeld, theo đó, các electron của nguyên tử chuyển động quanh hạt nhân theo các quỹ đạo tròn hoặc quỹ đạo elip rời rạc.
CHÚ THÍCH: Với mỗi bậc tự do của nguyên tử có một chuỗi các trạng thái năng lượng tương ứng, xác định chuỗi phổ mà nguyên tử có thể phát xạ.
521-01-07. Số lượng tử (của một electron trong một nguyên tử cho trước)
Từng số đặc trung cho mức độ tự do của một electron trong một nguyên tử cho trước:
- số lượng tử chính n
- số lượng tử quỹ đạo l
- số lượng tử spin s
- số lượng tử mômen góc toàn phần j
521-01-08. Số lượng tử chính
Số lượng tử thứ nhất
Số nguyên dương đặc trưng cho sự thay đổi quan trọng của mức năng lượng của electron trong một nguyên tử.
CHÚ THÍCH: Theo mô hình nguyên tử Bo, số lượng tử chính có thể được xem là đặc trưng cho kích cỡ của một quỹ đạo electron.
521-01-09. Số lượng tử quỹ đạo
Số lượng tử thứ hai
Số lượng tử có thể có tất cả các giá trị từ 0 đến n-1, n là số lượng tử chính.
CHÚ THÍCH: Theo mô hình nguyên tử Bo, số lượng tử quỹ đạo có thể được xem là đặc trưng cho mômen góc của electron khi chuyển động trong quỹ đạo của nó xung quanh hạt nhân.
521-01-10. (số lượng tử) spin
Số lượng tử cho biết mômen góc của electron, được xem là một hình cầu nhỏ tích điện quay tuần hoàn quanh trục của nó.
CHÚ THÍCH: Spin có thể có hai giá trị: +1/2 hoặc -1/2.
521-01-11. Số lượng tử mômen góc toàn phần
Số lượng tử tạo ra hợp lực của trường từ sinh ra bởi electron chuyển động trong quỹ đạo của nó và chuyển động quay quanh trục của nó.
CHÚ THÍCH: Các giá trị của số lượng tử j này tạo thành tập hợp các giá trị nguyên và bán nguyên.
521-01-12. Mức năng lượng (của một hạt)
Năng lượng gắn với một trạng thái lượng tử của một hệ thống vật lý.
521-01-13. Biểu đồ mức năng lượng
Sơ đồ thể hiện các mức năng lượng của các hạt thuộc hệ thống lượng tử hóa theo các đường nằm ngang có các tọa độ là năng lượng của các hạt này.
521-01-14. Nguyên lý loại trừ Pauli-Fermi
Nguyên lý Pauli
Nguyên lý chỉ ra rằng mỗi mức năng lượng của hệ thống lượng tử hóa có thể không có, có một hoặc hai hạt.
CHÚ THÍCH: Trong trường hợp có hai electron, các spin có dấu ngược nhau.
521-01-15. Thống kê Fermi-Dirac
Thống kê Fermi
Tập hợp các xác suất của trạng thái vĩ mô của hệ thống lượng tử hóa của các hạt, chỉ có các mức năng lượng rời rạc, tuân theo nguyên lý loại trừ Paulli-Fermi.
521-01-16. Hàm Fermi-Dirac
Hàm biểu diễn xác suất P(E), đối với một hạt tuân theo thống kê Fermi, để nó chiếm một mức năng lượng cho phép (E)
trong đó:
k là hằng số Boltzmann
T là nhiệt độ nhiệt động
EF là mức Fermi
và mức này được lượng tử hóa và có thể có 0, 1 hoặc 2 electron.
521-01-17. Mức Fermi
Trong một vật rắn, mức năng lượng dùng để tách các trạng thái bị chiếm chỗ khỏi các trạng thái không bị chiếm chỗ ở nhiệt độ 0 độ kenvin.
CHÚ THÍCH: Khi có vùng cấm tách các trạng thái bị chiếm chỗ và không bị chiếm chỗ, mức Fermi được ấn định là tâm của vùng cấm.
521-01-18. electron đơn độc
Electron duy nhất trên một mức năng lượng.
521-01-19. Luật phân bố vận tốc Fermi-Dirac-Sommerfeld
Phương trình đại số đưa ra số lượng các hạt dN thuộc hệ thống lượng tử hóa cân bằng, thành phần vận tốc của các hạt tương ứng nằm trong các khoảng (u, u + du), (v, v + dv), (w, w + dw):
trong đó
N là tổng số hạt
m là khối lượng của hạt
T là nhiệt độ nhiệt động
k là hằng số Boltzman
h là hằng số Plăng
E là động năng của một hạt,
EM là hàm công nội tại
dN/N thể hiện xác suất để một hạt có các thành phần của nó trong các khoảng cần xét.
521-01-20. Hiệu ứng quang điện
Hiện tượng điện được tạo thành do hấp thụ các photon.
521-01-21. Hiệu ứng quang điện có lớp chặn
Hiệu ứng quang điện trong đó sức điện động được sinh ra do hấp thụ các photon.
521-01-22. Hiệu ứng quang dẫn
Hiệu ứng quang điện được đặc trưng bởi sự biến đổi độ dẫn điện.
521-01-23. Hiệu ứng quang điện từ
Sự lan tỏa của trường điện vuông góc với trường từ và với luồng phần tử mang điện tích được tạo ra nhờ hiệu ứng quang điện và khuếch tán trong chất bán dẫn, khi một chất bán dẫn chịu trường từ và bức xạ điện từ.
Mục 521-02 - Đặc tính của vật liệu bán dẫn
521-02-01. Chất bán dẫn
Chất mà độ dẫn điện tổng có được nhờ vào phần tử mang cả hai loại điện tích trái dấu, thường nằm trong dải giữa chất dẫn điện và chất cách điện, và trong đó mật độ phần tử mang điện tích có thể thay đổi do các phương thức từ bên ngoài.
521-02-02. Chất bán dẫn một nguyên tố hóa học
Chất bán dẫn mà ở trạng thái tinh khiết chỉ có một nguyên tố.
521-02-03. Chất bán dẫn hỗn hợp
Chất bán dẫn mà ở trạng thái tinh khiết gồm có một số nguyên tố theo tỉ lệ xấp xỉ với thành phần hợp thức.
521-02-04. Tạp chất.
Các nguyên tử lạ trong chất bán dẫn một nguyên tố hóa học
Các nguyên tử lạ hoặc sự thừa hoặc thiếu các nguyên tử so với thành phần hợp thức của một chất bán dẫn hỗn hợp.
521-02-05. Năng lượng kích hoạt tạp chất
Khoảng trống giữa mức năng lượng trung gian do có tạp chất và vùng năng lượng liền kề.
521-02-06. Chất bán dẫn ion
Chất bán dẫn trong đó độ dẫn do dòng iôn chiếm ưu thế so với độ dẫn do chuyển động của các electron và các lỗ trống.
521-02-07. Chất bán dẫn thuần
Chất bán dẫn gần như tinh khiết và lý tưởng trong đó mật độ electron dẫn và lỗ trống là gần như bằng nhau trong điều kiện cân bằng nhiệt.
521-02-08. Chất bán dẫn không thuần
Chất bán dẫn trong đó độ tập trung các phần tử mang điện tích phụ thuộc vào tạp chất hoặc các khiếm khuyết khác.
521-02-09. Chất bán dẫn loại N
Chất bán dẫn không thuần trong đó mật độ electron dẫn lớn hơn mật độ lỗ trống.
521-02-10. Chất bán dẫn suy biến
Chất bán dẫn trong đó mức Fermi nằm trong vùng dẫn hoặc vùng hóa trị hoặc ở cách hai vùng này nhưng chưa tới hai lần tích của hằng số Boltzmann và nhiệt độ nhiệt động.
CHÚ THÍCH: Phần tử mang điện tích của chất bán dẫn suy biến tuân theo thống kê Fermi-Dirac.
521-02-11. Chất bán dẫn bù trừ
Chất bán dẫn trong đó các ảnh hưởng do tạp chất thuộc loại cho trước lên mật độ phần tử mang điện tích sẽ loại bỏ một phần hoặc hoàn toàn các ảnh hưởng của loại kia.
521-02-12. Chất bán dẫn không suy biến
Chất bán dẫn trong đó mức Fermi nằm trong khoảng trống năng lượng cách các đường biên một khoảng ít nhất bằng hai lần tích của hằng số Boltzmann và nhiệt độ nhiệt động.
CHÚ THÍCH: Phần tử mang điện tích trong chất bán dẫn không suy biến tuân theo thống kê Maxwell-Boltzmann.
521-02-13. Chất bán dẫn loại P
Chất bán dẫn không thuần trong đó mật độ lỗ trống lớn hơn mật độ electron dẫn.
521-02-14. Electron dẫn
Electron trong vùng dẫn của chất bán dẫn, chuyển động tự do thành dòng dưới tác động của trường điện.
521-02-15. Dòng dẫn
Chuyển động có hướng của phần tử mang điện tích tự do trong một môi chất dưới tác động của trường điện.
521-02-16. Chất dẫn
Chất có các phần tử mang điện tích tự do có thể chuyển động bởi trường điện.
521-02-17. Lỗ trống
Khoảng trống xuất hiện trong vùng năng lượng bình thường bị lấp đầy có thể di chuyển bởi trường điện như một điện tích dương cơ bản.
521-02-18. Dẫn điện lỗ trống
Dẫn điện trong một chất bán dẫn, trong đó, các lỗ trống trong một mạng tinh thể được lan truyền qua mạng này dưới ảnh hưởng của trường điện.
521-02-19. Dẫn điện electron
Dẫn điện trong một chất bán dẫn trong đó các electron dẫn trong một mạng tinh thể được lan truyền qua mạng này dưới ảnh hưởng của trường điện.
521-02-20. Thuần dẫn
Dẫn điện trong một chất bán dẫn do chuyển động của các lỗ trống và các electron dẫn được hình thành do phát nhiệt của các cặp phần tử mang điện tích.
521-02-21. Dẫn điện iôn
Dẫn điện do chuyển động có hướng của các điện tích do dịch chuyển của iôn, chuyển động này được duy trì nhờ sự góp phần liên tục của năng lượng bên ngoài.
521-02-22. Vùng dẫn
Vùng năng lượng được phép bị chiếm một phần bởi các electron chuyển động tự do dưới ảnh hưởng của trường điện bên ngoài.
521-02-23. Vùng hóa trị
Vùng được phép bị chiếm bởi các electron hóa trị.
CHÚ THÍCH 1: Vùng hóa trị trong một tinh thế lý tưởng bị chiếm hoàn toàn ở nhiệt độ 0 độ kenvin.
CHÚ THÍCH 2: Thiếu electron trong vùng hóa trị làm hình thành các lỗ trống dẫn trong vùng hóa trị và các electron dẫn trong vùng dẫn.
521-02-24. Khoảng trống năng lượng
Khoảng trống giữa đường biên năng lượng phía dưới của vùng dẫn và đương biên năng lượng phía trên của vùng hóa trị.
521-02-25. Vùng năng lượng
Vùng Bloch
Tập hợp gần như liên tục các mức năng lượng trong một chất.
521-02-26. Vùng năng lượng (trong một chất bán dẫn)
Dải các mức năng lượng của electron trong một chất bán dẫn, bị giới hạn bởi các giá trị năng lượng nhỏ nhất và lớn nhất.
521-02-27. Vùng bị chiếm một phần
Vùng năng lượng mà không phải là tất cả các mức của nó đều tương ứng với năng lượng của một trong hai eletron có spin trái dấu.
521-02-28. Chất cách điện
Chất trong đó vùng hóa trị là vùng đầy được cách ly với vùng kích thích đầu tiên bởi vùng cấm có độ rộng đến mức năng lượng cần thiết để kích thích electron từ vùng hóa trị đến vùng dẫn là rất lớn làm đánh thủng chất đó.
521-02-29. Vùng được phép
Vùng năng lượng mà từng mức của nó có thể bị electron chiếm giữ.
521-02-30. Vùng cấm
Vùng năng lượng mà electron không thể chiếm giữ.
521-02-31. Vùng kích thích
Vùng năng lượng có dải các mức năng lượng lân cận tương ứng với các trạng thái kích thích có thể có của các electron của một chất.
521-02-32. Vùng đầy
Vùng được phép, ở nhiệt độ bằng 0 độ kenvin, tất cả các mức năng lượng đều bị electron chiếm giữ.
521-02-33. Vùng rỗng
Vùng được phép, ở nhiệt độ bằng 0 độ kenvin, không có mức năng lượng nào bị electron chiếm giữ.
521-02-34. Vùng tạp
Vùng năng lượng được tạo thành bởi sự kết hợp các mức tạp của một loại và toàn bộ hoặc một phần của vùng này nằm trong vùng cấm.
521-02-35. Mức cục bộ
Mức năng lượng trong vùng cấm do khiếm khuyết của mạng tinh thể trong trường hợp sự tập trung khuyết tật là thấp.
521-02-36. Mức tạp
Mức cục bộ do có tạp chất.
521-02-37. Vùng bề mặt
Vùng được phép hình thành bởi các mức bề mặt của tinh thể.
521-02-38. Chất cho
Khiếm khuyết trong mạng tinh thể mà khi chiếm ưu thế sẽ cho phép dẫn electron bằng cách cho đi các electron.
521-02-39. Chất nhận
Khiếm khuyết trong mạng tinh thể mà khi chiếm ưu thế sẽ cho phép dẫn lỗ trống bằng cách nhận vào các electron.
521-02-40. Năng lượng iôn hóa của chất cho
Năng lượng tối thiểu cần đặt vào eletron ở mức cho để chuyển electron này vào vùng dẫn.
521-02-41. Mức nhận
Mức tạp trung gian sát với vùng hóa trị trong chất bán dẫn không thuần.
CHÚ THÍCH: Mức nhận là rỗng ở nhiệt độ bằng 0 độ kenvin; ở nhiệt độ bất kỳ khác, mức nhận có thể nhận electron từ vùng hóa trị. Các mức nhận có thể tạo thành các vùng tạp hẹp.
521-02-42. Mức bề mặt
Mức cục bộ gây ra do có tạp chất hoặc các khiếm khuyết khác tại bề mặt tinh thể.
521-02-43. Mức cho
Mức tạp trung gian sát với vùng dẫn trong chất bán dẫn không thuần.
CHÚ THÍCH: Mức cho bị lấp đầy ở nhiệt độ bằng 0 độ kenvin; ở nhiệt độ khác bất kỳ, mức cho có thể cung cấp electron cho vùng dẫn. Các mức cho có thể tạo thành các vùng tạp hẹp.
521-02-44. Năng lượng iôn hóa của chất nhận
Năng lượng tối thiểu cần đặt vào electron vùng hóa trị để chuyển electron này đến mức nhận.
521-02-45. Tinh thể lý tưởng
Tinh thể có kết cấu tuần hoàn tuyệt đối, và do đó, không bị tạp hoặc có các khiếm khuyết khác.
521-02-46. Độ dẫn loại N
Độ dẫn do dòng electron chạy từ chất cho.
521-02-47. Khiếm khuyết (của mạng tinh thể)
Sự sai lệch về cấu trúc so với mạng tinh thể lý tưởng.
521-02-48. Độ dẫn thuần
Độ dẫn của một chất bán dẫn thuần.
521-02-49. Thành phần hợp thức
Thành phần hóa học của một hợp chất trong đó các phần tử tồn tại theo tỉ lệ chính xác được thể hiện bằng công thức hóa học của nó.
521-02-50. Độ dẫn loại P
Độ dẫn do dòng lỗ trống chạy từ chất nhận.
521-02-51. Phần tử mang (điện tích) (trong chất bán dẫn)
Electron dẫn hoặc lỗ trống hoặc iôn trong một chất bán dẫn.
521-02-52. Điều biến dẫn (của chất bán dẫn)
Biến đổi độ dẫn do đưa vào quá mức hoặc loại ra các phần tử mang điện tích.
521-02-53. Phần tử mang thứ yếu (trong vùng chất bán dẫn)
Loại phần tử mang điện tích chiếm ít hơn một nửa mật độ tổng các phần tử mang điện tích.
521-02-54. Phần tử mang quá mức
Electron dẫn hoặc lỗ trống vượt quá số lượng được xác định bằng sự cân bằng nhiệt động.
521-02-55. Phần tử mang chủ yếu (trong vùng chất bán dẫn)
Loại phần tử mang điện tích chiếm nhiều hơn một nửa mật độ tổng các phần tử mang điện tích.
521-02-56. Vận tốc tái hợp bề mặt
Vận tốc mà tại đó các phần tử mang điện tích thứ yếu có thể bị trôi lên bề mặt của chất bán dẫn để bù lại tỷ lệ mà tại đó chúng có xu hướng kết hợp với nhau và do đó, bị mất đi.
CHÚ THÍCH: Vận tốc tái hợp bề mặt bằng:
a) số lượng tái hợp xảy ra tại bề mặt trên một đơn vị thời gian và diện tích chia cho
b) nồng độ phần tử mang điện tích thứ yếu vượt quá ở ngay bên dưới bề mặt.
521-02-57.Chiều dài khuếch tán (của phần tử mang điện tích thứ yếu)
Khoảng cách qua đó mật độ của phần tử mang điện tích thứ yếu giảm đi e lần so với mật độ ban đầu, trong quá trình chúng khuếch tán trong chất bán dẫn đồng nhất.
521-02-58.Độ linh động (trôi) (của phần tử mang điện tích)
Đại lượng bằng tỷ số các môđun vận tốc trung bình của phần tử mang điện tích theo chiều trường điện và môđun của cường độ trường.
521-02-59.Khuếch tán (trong chất bán dẫn)
Chuyển động của các hạt chỉ do građien nồng độ.
521-02-60.Tuổi thọ toàn khối (của phần tử mang thứ yếu)
Khoảng thời gian để mật độ cho trước của các phần tử mang điện tích thứ yếu vượt quá trong toàn khối chất bán dẫn đồng nhất giảm xuống e lần so với giá trị ban đầu của nó do tái hợp.
521-02-61.Hằng số khuếch tán (của phần tử mang điện tích)
Thương số giữa mật độ dòng khuếch tán và građien nồng độ của phần tử mang điện tích.
521-02-62.Tích lũy phần tử mang điện tích (trong chất bán dẫn)
Việc tăng cục bộ nồng độ của phần tử mang điện tích so với nồng độ có thể có ở trạng thái cân bằng định thiên zêrô.
521-02-63. Vùng chuyển tiếp
Vùng giữa hai vùng bán dẫn đồng nhất, trong đó các đặc tính điện thay đổi.
CHÚ THÍCH: Hai vùng đồng nhất không nhất thiết là cùng một vật liệu bán dẫn.
521-02-64. Tâm tái hợp
Khiếm khuyết mạng tinh thể hoặc tạp chất có mức năng lượng nằm trong vùng cấm của chất bán dẫn và cho phép các electron dẫn và lỗ trống tái hợp.
521-02-65. Biên PN
Mặt phân giới trong vùng chuyển tiếp giữa vật liệu loại P và vật liệu loại N tại đó nồng độ chất cho và chất nhận là bằng nhau.
521-02-66. Bẫy
Khiếm khuyết mạng tinh thể hoặc tạp chất có mức năng lượng nằm trong vùng cấm của chất bán dẫn và hoạt động như một tâm để giữ lại các electron hoặc lỗ trống.
521-02-67. Vùng chuyển tiếp nồng độ tạp chất
Vùng có nồng độ tạp chất thay đổi từ giá trị này sang giá trị khác.
521-02-68. Vùng trung hòa
Vùng thực sự trung hòa về điện, các điện tích âm của electron và của các nguyên tử iôn hóa của chất nhận cân bằng với điện tích dương của lỗ trống và của các nguyên tử iôn hóa của chất cho.
521-02-69. Hàng rào điện thế
Chênh lệch điện thế giữa hai chất tiếp xúc với nhau hoặc giữa hai vùng đồng nhất có đặc tính điện khác nhau, do khuếch tán các phần tử mang điện tích từ mỗi phần và hình thành vùng điện tích không gian.
521-02-70. Hàng rào điện thế (của lớp tiếp giáp PN)
Hàng rào điện thế giữa hai điểm tương ứng có vị trí trong vùng trung hòa loại P và vùng trung hòa loại N.
521-02-71. Hàng rào Schottky
Lớp tiếp giáp giữa kim loại và chất bán dẫn trong đó, vùng chuyển tiếp hình thành ở bề mặt của chất bán dẫn, hoạt động như một hàng rào chỉnh lưu.
521-02-72. Lớp tiếp giáp
Lớp tiếp giáp giữa các vùng bán dẫn có các đặc tính điện khác nhau hoặc giữa chất bán dẫn và một lớp khác loại, được đặc trưng bởi hàng rào điện thế làm cản trở chuyển động của các phần tử mang điện tích từ vùng này sang vùng kia.
521-02-73. Lớp tiếp giáp đột ngột
Lớp tiếp giáp mà độ rộng của nó theo hướng građien nồng độ tạp chất nhỏ hơn nhiều so với độ rộng của vùng điện tích không gian.
521-02-74. Lớp tiếp giáp tăng dần
Lớp tiếp giáp mà độ rộng của nó theo hướng građien nồng độ tạp chất so sánh được với độ rộng của vùng điện tích không gian.
521-02-75. Lớp tiếp giáp PN
Lớp tiếp giáp giữa vật liệu bán dẫn loại P và loại N.
521-02-76. Lớp tiếp giáp khuếch tán
Lớp tiếp giáp hình thành do khuếch tán của tạpchất trong tinh thể chất bán dẫn.
521-02-77. Lớp tiếp giáp nuôi
Lớp tiếp giáp hình thành trong quá trình tinh thể chất bán dẫn phát triển từ vật liệu chảy.
521-02-78. Lớp tiếp giáp hợp kim
Lớp tiếp giáp được hình thành do tạo hợp kim một hoặc nhiều vật liệu vào một tinh thể chất bán dẫn.
521-02-79. Vùng điện tích không gian
Vùng trong đó mật độ điện tích toàn phần là khác 0.
CHÚ THÍCH: Điện tích toàn phần được tạo ra bởi electron, lỗ trống, chất nhận và chất cho iôn hóa.
521-02-80. Vùng điện tích không gian (của lớp tiếp giáp PN)
Vùng điện tích không gian giữa hai vùng trung hòa loại P và loại N tương ứng.
521-02-81. Hiệu ứng từ trở
Sự thay đổi điện trở của chất bán dẫn hoặc chất dẫn do trường từ.
521-02-82. Lớp nghèo (của chất bán dẫn)
Vùng trong đó nồng độ phần tử mang điện tích linh động không đủ để trung hòa mật độ điện tích toàn phần cố định của chất cho và chất nhận iôn hóa.
521-02-83. Hiệu ứng đường hầm (trong lớp tiếp giáp PN)
Quá trình nhờ đó xuất hiện độ dẫn xuyên qua hàng rào điện thế của tiếp giáp PN và ở đó các electron đi qua theo cả hai hướng giữa vùng dẫn thuộc vùng N và vùng hóa trị thuộc vùng P.
CHÚ THÍCH: Tác dụng của đường hầm, không giống như khuếch tán phần tử mang điện tích, chỉ liên quan đến electron. Thời gian truyền qua trên thực tế là không đáng kể.
521-02-84. Trường điện bên trong
Trường điện do có các điện tích không gian bên trong chất bán dẫn.
521-02-85. Hiệu ứng áp điện
Sự thay đổi điện trở của chất bán dẫn hoặc chất dẫn do ứng suất cơ.
Mục 521-03 - Xử lý vật liệu bán dẫn
521-03-01. Nuôi bằng cách kéo (của đơn tinh thể)
Nuôi bằng phương pháp Czochralski
Tạo một tinh thể đơn bằng cách rút từ từ tinh thể đang phát triển ra khỏi vật liệu nóng chảy.
521-03-02. Nuôi bằng cách gây chảy vùng (của tinh thể đơn)
Tạo một tinh thể đơn có sự hỗ trợ của mầm đơn tinh thể bằng cách cho vùng nóng chảy đi qua một phần của mầm đơn tinh thể rồi sau đó di chuyển qua vật liệu bán dẫn đa tinh thể tựa sát với mầm đơn tinh thể này.
521-03-03. Tinh luyện vùng
Sự di chuyển của một hoặc nhiều vùng nóng chảy dọc theo một tinh thể bán dẫn nhằm giảm nồng độ tạp chất trong tinh thể.
521-03-04. San bằng vùng
Sự di chuyển của một hoặc nhiều vùng nóng chảy qua tinh thể chất bán dẫn để phân bố đồng đều tạp chất trong tinh thể.
521-03-05. Pha thêm (một chất bán dẫn)
Việc thêm các tạp chất vào chất bán dẫn để đạt được độ dẫn loại N hoặc độ dẫn loại P mong muốn.
521-03-06. Bù tạp chất
Việc thêm các tạp chất cho vào chất bán dẫn loại P hoặc tạp chất nhận vào chất bán dẫn loại N, dẫn đền bù một phần, bù cân bằng hoặc quá bù.
521-03-07. Kỹ thuật tạo hợp kim
Tạo lớp tiếp giáp PN bằng cách hòa chất cho hoặc chất nhận vào về mặt của tinh thể chất bán dẫn.
CHÚ THÍCH 1: Vùng kết tinh lại tạo ra khi nguội chứa các nguyên tử tạp chất dẫn đến hình thành độ dẫn loại N hoặc loại P, độ dẫn này khác với độ dẫn của tinh thể gốc.
CHÚ THÍCH 2: Các tiếp giáp PNP hoặc NPN thường được hình thành bằng cách tạo hợp kim từ các mặt đối diện của tinh thể gốc.
521-03-08. Kỹ thuật khuếch tán
Tạo vùng dẫn loại P hoặc loại N trong tinh thể chất bán dẫn bằng cách khuếch tán các nguyên tử tạp chất vào tinh thể.
521-03-09. Kỹ thuật pla-na
Tạo các vùng loại P hoặc loại N hoặc cả hai trong một tinh thể chất bán dẫn bằng kỹ thuật khuếch tán qua các khe trong lớp bề mặt bảo vệ trên tinh thể.
521-03-10. Kỹ thuật vi hợp kim
Tạo lớp tiếp giáp PN nhỏ bằng cách tạo hợp kim sau khi làm lắng đọng các vật liệu cho hoặc nhận vào các hố nhỏ bằng quá trình mạ điện.
521-03-11. Kỹ thuật nâng đỉnh phẳng
Tạo lớp tiếp giáp ở dạng phẳng được nâng lên bằng cách khuếch tán hoặc tạo hợp kim tạp chất liên tiếp và sau đó ăn mòn đi các vật liệu trong vùng xung quanh mặt phẳng đó.
521-03-12. Epitaxy
Sự bố trí lớp vật liệu bán dẫn trên chất nền, lớp này có hướng tinh thể giống như chất nền.
521-03-13. Thụ động hóa bề mặt
Việc đặt hoặc nuôi lớp bảo vệ lên trên bề mặt của chất bán dẫn sau khi hình thành các vùng loại P, loại N hoặc cả hai.
521-03-14. Thổi
Quá trình hình thành các màng trong đó sử dụng việc bắn phá ion hoặc cách dùng năng lượng khác để giải phóng các hạt khỏi một nguồn chất rắn để lắng đọng trên bề mặt gần đó.
521-03-15. Kỹ thuật lắng đọng pha hơi
Sự lắng đọng các màng dẫn, cách điện hoặc bán dẫn trên các lớp nền rắn từ vật liệu gốc ở pha hơi do lắng đọng vật lý hoặc phản ứng hóa học.
521-03-16. Kỹ thuật in lưới
Sự lắng đọng các màng dẫn, cách điện hoặc bán dẫn trên các lớp nền rắn bằng cách nén hỗn hợp nhão qua các mắt lưới.
521-03-17. Cấy ghép iôn
Tạo các vùng dẫn loại P, loại N hoặc vùng dẫn thuần trong tinh thể chất bán dẫn bằng cách cấy ghép các iôn được gia tốc.
Mục 521-04 - Các loại linh kiện bán dẫn
521-04-01. Linh kiện bán dẫn
Linh kiện mà các đặc tính thiết yếu của nó có được là nhờ dòng các phần tử mang điện tích trong chất bán dẫn.
CHÚ THÍCH: Định nghĩa này bao hàm cả các linh kiện mà các đặc tính thiết yếu của nó chỉ một phần có được là nhờ dòng các phần tử mang điện tích trong một chất bán dẫn nhưng được xem là linh kiện bán dẫn để đưa ra yêu cầu kỹ thuật.
521-04-02. Điốt tín hiệu
Điốt bán dẫn được dùng cho mục đích tách hoặc xử lý thông tin chứa trong một tín hiệu điện tử biến đổi theo thời gian và theo bản chất, có thể là analog hoặc digital.
521-04-03. Điốt (bán dẫn)
Linh kiện bán dẫn hai chân cắm có đặc tính điện áp-dòng điện không đối xứng.
CHÚ THÍCH: Trừ khi có định nghĩa khác, thuật ngữ này thường có nghĩa là linh kiện có đặc tính điện áp-dòng điện điển hình của tiếp giáp PN.
521-04-04. Linh kiện (bán dẫn) rời rạc
Linh kiện bán dẫn được quy định để thực hiện chức năng cơ bản và không thể phân chia thành các linh kiện riêng rẽ hoạt động trong chính bản thân chúng.
CHÚ THÍCH: Không có sự phân định rõ ràng giữa các linh kiện rời rạc và mạch tích hợp. Về nguyên tắc, linh kiện rời rạc chỉ gồm một phần tử mạch điện duy nhất. Tuy nhiên, linh kiện được bán và được quy định là một linh kiện rời rạc nhưng bên trong có thể gồm nhiều hơn một phần tử mạch điện.
521-04-05. Điốt đường hầm
Điốt bán dẫn có tiếp giáp PN ở đó có hiệu ứng đường hầm làm xuất hiện độ dẫn vi sai âm trong phạm vi nhất định theo chiều thuận của đặc tính dòng điện-điện áp.
521-04-06. Điốt đơn hướng
Điốt ngược
Điốt đường hầm mà các dòng điện đỉnh và dòng điện tại điểm lõm xấp xỉ bằng nhau.
521-04-07. Điốt điều biến
Điốt bán dẫn được thiết kế để điều biến.
521-04-08. Điốt trộn
Điốt bán dẫn được thiết kế để chuyển đổi tần số của các tín hiệu bằng bộ dao động nội.
521-04-09. Điốt nhân tần số
Điốt bán dẫn được thiết kế để nhân tần số của tín hiệu.
521-04-10. Điốt có điện dung biến đổi
Điốt bán dẫn có điện dung tại chân cắm của nó biến đổi theo cách xác định là hàm của điện áp đặt khi định thiên theo chiều ngược, và được dùng cho các ứng dụng cụ thể của quan hệ điện dung-điện áp.
521-04-11. Điốt tách sóng
Điốt bán dẫn được thiết kế để giải điều chế.
521-04-12. Điốt có đặc tính biến thiên đột ngột
Điốt phục hồi theo nấc
Điốt bán dẫn tích lũy điện tích khi định thiên thuận và phục hồi độ dẫn một cách đột ngột từ định thiên ngược tiếp theo, vì thế gây chuyển tiếp đột ngột trở kháng chân cắm của nó.
521-04-13. Điốt giới hạn vi sóng
Điốt bán dẫn chuyển tiếp nhanh từ trạng thái trở kháng cao sang trạng thái trở kháng thấp và ngược lại, tùy thuộc vào mức công suất tần số rađiô truyền đến điốt, do đó thể hiện trở kháng cao hoặc thấp một cách tương ứng, ở các tần số vi sóng, nhờ đó nó có khả năng giới hạn hoặc chặn năng lượng vi sóng không mong muốn.
521-04-14. Điốt đóng cắt vi sóng
Điốt bán dẫn chuyển tiếp nhanh từ trạng thái trở kháng cao sang trạng thái trở kháng thấp và ngược lại, tùy thuộc vào điện áp hoặc dòng điện định thiên một chiều đặt vào điốt, do đó thể hiện trở kháng cao hoặc thấp một cách tương ứng, ở các tần số vi sóng nhờ đó có khả năng cho qua hoặc chặn các tín hiệu vi sóng.
521-04-15. Điốt chuyển mạch
Điốt bán dẫn được thiết kế để chuyển tiếp nhanh từ trạng thái trở kháng cao sang trạng thái trở kháng thấp và ngược lại, tùy thuộc vào cực tính của điện áp đặt.
521-04-16. Điốt điện áp chuẩn
Điốt bán dẫn hình thành trên các chân cắm của nó một điện áp chuẩn với độ chính xác quy định, khi được định thiên để làm việc trong dải dòng điện quy định.
521-04-17. Điốt điều chỉnh điện áp
Điốt bán dẫn hình thành trên các chân cắm của nó một điện áp về cơ bản là không đổi trong suốt dải dòng điện quy định.
521-04-18. Cụm chỉnh lưu (bán dẫn)
Một cấu trúc đơn gồm một số điốt chỉnh lưu bán dẫn cùng với phương tiện lắp đặt đi kèm của chúng, phụ kiện làm mát, nếu có, và các phương tiện đấu nối điện hoặc cơ.
521-04-19. Điốt chỉnh lưu bán dẫn
Điốt bán dẫn được thiết kế để chỉnh lưu và bao gồm cả phương tiện lắp đặt đi kèm và phụ kiện làm mát nếu được tích hợp với điốt.
521-04-20. Điốt chỉnh lưu thác đổ
Điốt chỉnh lưu bán dẫn có đặc tính điện áp đánh thủng nhỏ nhất quy định và có thông số danh định để triệt tiêu các đột biến công suất trong thời gian giới hạn trong vùng đánh thủng của đặc tính ngược của nó.
521-04-21. Điốt điều chỉnh dòng điện
Điốt bán dẫn giới hạn dòng điện đến giá trị về cơ bản là không đổi trong dải điện áp quy định.
521-04-22. Điện trở nhiệt
Điện trở có hệ số nhiệt điện trở lớn (nhìn chung là giá trị âm) không tuyến tính.
521-04-23. Phần tử nhiệt bán dẫn
Linh kiện bán dẫn dựa trên hiệu ứng Seebeck hoặc Peltier và được thiết kế để chuyển đổi trực tiếp năng lượng nhiệt thành năng lượng điện hoặc ngược lại.
521-04-24. Bộ nhân Hall
Linh kiện hiệu ứng Hall có chứa bộ phát Hall và cuộn dây là nguồn từ thông, sao cho đại lượng đầu ra tỷ lệ với tích của dòng điện điều khiển và dòng điện sinh ra từ thông này.
521-04-25. Bộ điều biến Hall
Linh kiện hiệu ứng Hall được thiết kế riêng cho mục đích điều biến.
521-04-26. Bộ phát Hall
Tấm phẳng Hall, cùng với các dây dẫn và, trongtrường hợp được sử dụng, vỏ bọc và các tấm có chứa sắt hoặc không chứa sắt.
521-04-27. Linh kiện hiệu ứng Hall
Linh kiện bán dẫn sử dụng hiệu ứng Hall.
521-04-28. Đầu dò Hall
Từ kế hiệu ứng Hall
Linh kiện hiệu ứng Hall được thiết kế riêng để đo mật độ từ thông.
521-04-29. Điện trở từ
Linh kiện bán dẫn hoặc linh kiện dẫn trong đó sử dụng quan hệ phụ thuộc giữa điện trở và mật độ từ thông.
521-04-30. Tế bào quang dẫn
Linh kiện sử dụng hiệu ứng quang dẫn.
521-04-31. Linh kiện quang điện tử
Linh kiện bán dẫn phát ra hoặc phản ứng với bức xạ quang, hoặc sử dụng bức xạ quang cho mục đích bên trong của linh kiện hoặc thực hiện tổ hợp các chức năng này.
521-04-32. Điốt quang
Linh kiện quang điện trong đó việc hấp thụ bức xạ điện từ vào lớp tiếp giáp và vùng xung quanh hoặc ở chỗ tiếp xúc giữa chất bán dẫn và kim loại, làm thay đổi điện trở hoặc thay đổi điện áp.
521-04-33. Đĩa corbino
Điện trở từ hình đĩa có hai điện cực là vùng dẫn ở tâm hình học của đĩa và dải dẫn đồng tâm bao quanh chu vi của đĩa.
521-04-34. Tế bào quang voltaic
Linh kiện sử dụng hiệu ứng quang voltaic.
521-04-35. Bộ phát quang
Linh kiện quang điện tử chuyển đổi trực tiếp năng lượng điện thành năng lượng bức xạ quang.
521-04-36. Điốt phát quang
LED
Điốt bán dẫn phát ra bức xạ quang không kết hợp thông qua phát xạ kích thích do tái hợp các electron dẫn và photon, khi được kích thích bởi dòng điện.
521-04-37. Điốtlaze
Điốt bán dẫn phát bức xạ quang kết hợp thông qua phát xạ kích thích do tái hợp các electron dẫn và lỗ trống khi được kích thích bởi dòng điện lớn hơn dòng điện ngưỡng của điốt.
CHÚ THÍCH: Điốt laze được lắp trên giá phụ hoặc trong vỏ có hoặc không có phương tiện ghép nối (ví dụ thấu kính, đầu dây đã bóc vỏ).
521-04-38. module điốt laze
Module chứa điốt laze và phương tiện để tự động ổn định quang và/hoặc nhiệt của công suất bức xạ đầu ra.
521-04-39. Hiển thị quang điện tử
Bộ phát quang bán dẫn được thiết kế để thể hiện thông tin nhìn thấy được.
521-04-40. Điốt phát tia hồng ngoại
Điốt phát quang phát ra bức xạ hồng ngoại.
521-04-41. Linh kiện nhạy sáng (bán dẫn)
Linh kiện quang điện tử phản ứng với bức xạ quang.
521-04-42. Bộ ghép nối quang
Linh kiện quang điện tử thiết kế để truyền tín hiệu điện bằng cách sử dụng bức xạ quang để ghép nối trong khi đầu ra được cách ly với đầu vào.
521-04-43. Điện trở quang
Linh kiện bán dẫn nhạy sáng sử dụng sự thay đổi độ dẫn sinh ra do hấp thụ bức xạ quang.
521-04-44. Điốt quang kiểu thác đổ
Điốt quang làm việc với định thiên ngược sao cho dòng điện quang sơ cấp được khuếch đại bên trong điốt.
521-04-45. Bộ tách quang điện (bán dẫn)
Linh kiện bán dẫn nhạy sáng sử dụng hiệu ứng quang điện để tách bức xạ quang.
521-04-46. Transistor
Linh kiện bán dẫn có khả năng khuếch đại công suất điện và có ba điện cực trở lên.
521-04-47. Transistor tiếp giáp lưỡng cực
Transistor có ít nhất hai tiếp giáp và hoạt động của chúng phụ thuộc vào cả phần tử mang điện tích chủ yếu và phần tử mang điện tích thứ yếu.
521-04-48. Transistor quang
Transistor trong đó dòng điện sinh ra do hiệu ứng quang điện ở vùng lân cận của tiếp giáp phát-gốc đóng vai trò như dòng điện cực gốc được khuếch đại.
521-04-49. Transistor hai chiều
Transistor có đặc tính điện về cơ bản là giống nhau khi hoán đổi các chân mà bình thường được ký hiệu là cực phát và cực góp.
521-04-50. Transistor bốn cực
Transistor bốn điện cực, thường là transistor tiếp giáp truyền thống có hai điện cực gốc riêng rẽ và hai chân cực gốc.
521-04-51. Transistor đơn cực
Transistor mà hoạt động của nó phụ thuộc chủ yếu vào phần tử mang điện tích của một cực tính.
521-04-52. Transistor trường
Transistor trong đó dòng điện chạy qua kênh dẫn được khống chế bởi trường điện phát sinh từ điện áp đặt vào chân cổng và chân nguồn.
521-04-53. Transistor trường cổng tiếp giáp
Transistor trường có một hoặc nhiều vùng cổng tạo thành các tiếp giáp PN với kênh dẫn.
521-04-54. Transistor trường kênh dẫn P
Transistor trường có kênh dẫn loại P.
521-04-55. Transistor trường oxit kim loại-chất bán dẫn
MOSFET
Transistor trường cổng cách ly, trong đó lớp cách ly giữa điện cực cổng và kênh dẫn là oxit kim loại.
521-04-56. Transistor trường kênh dẫn N
Transistor trường có kênh dẫn loại N.
521-04-57. Transistor trường cổng cách ly
Transistor trường có một hoặc nhiều điện cực cổng được cách ly về điện với kênh dẫn.
521-04-58. Transistor trường kiểu suy giảm
Transistor trường có độ dẫn kênh dẫn đáng kể khi điện áp cổng-nguồn bằng không tại đó độ dẫn kênh dẫn có thể tăng lên hoặc giảm xuống theo cực tính của điện áp cổng-nguồn đặt vào.
521-04-59. Transistor trường kiểu tăng cường
Transistor trường có độ dẫn kênh dẫn về cơ bản là bằng không khi điện áp cổng-nguồn bằng không tại đó độ dẫn kênh dẫn có thể tăng lên bằng cách đặt điện áp cổng-nguồn có cực tính thích hợp.
521-04-60. Transistor trường kim loại-chất bán dẫn
MESFET
Transistor trường có một hoặc nhiều điện cực cổng hình thành các hàng rào Schottky với kênh dẫn.
521-04-61. Thyristor
Linh kiện bán dẫn hai trạng thái ổn định gồm balớp tiếp giáp trở lên có thể chuyển từ trạng thái khóa sang trạng thái dẫn hoặc ngược lại.
CHÚ THÍCH: Linh kiện chỉ có ba lớp nhưng có đặc tính đóng cắt giống với thyristor bốn lớp cũng có thể được gọi là thyristor.
521-04-62. Thyristor điốt khóa ngược
Thyristor hai chân không gây chuyển mạch ở điện áp anốt âm nhưng có trạng thái khóa ngược.
521-04-63. Thyristor triốt khóa ngược
Thyristor ba chân không gây chuyển mạch ở điện áp anốt âm nhưng có trạng thái khóa ngược.
521-04-64. Thyristor điốt dẫn ngược
Thyristor hai chân không gây chuyển mạch ở điện áp anốt âm nhưng dẫn dòng điện lớn ở các điện áp có độ lớn tương đương với điện áp trạng thái dẫn thuận.
521-04-65. Thyristor triốt dẫn ngược
Thyristor ba chân không gây chuyển mạch ở điện áp anốt âm nhưng dẫn dòng điện lớn ở các điện áp có độ lớn tương đương với điện áp trạng thái dẫn thuận.
521-04-66. Thyristor điốt hai chiều
diac (viết tắt)
Thyristor hai chân, về cơ bản có cùng đặc tính chuyển mạch ở góc phần tư thứ nhất và phần tư thứ ba của đường đặc tính dòng điện-điện áp.
521-04-67. Thyristor triốt hai chiều
triac (viết tắt)
Thyristor ba chân, về cơ bản có cùng đặc tính chuyển mạch ở góc phần tư thứ nhất và phần tư thứ ba của đường đặc tính dòng điện-điện áp.
521-04-68.Thyristor chặn
Thyristor có thể chuyển mạch từ trạng thái dẫn sang trạng thái khóa và ngược lại nhờ tín hiệu điều khiển có cực tính thích hợp đặt lên chân cổng.
521-04-69. Thyristor cổng loại P
Thyristor trong đó chân cổng được nối với vùng P gần catốt nhất và bình thường được chuyển mạch sang trạng thái dẫn bằng cách đặt tín hiệu lên chân cổng dương hơn so với chân catốt.
521-04-70. Thyristor cổng loại N
Thyristor trong đó chân cổng được nối với vùng N gần anốt nhất và bình thường được chuyển mạch sang trạng thái dẫn bằng cách đặt tín hiệu âm đến chân cổng âm hơn so với chân anốt.
521-04-71. Thyristor không đối xứng
Thyristor triốt chặn ngược có điện áp ngược danh định thấp hơn đáng kể so với điện áp trạng thái cắt danh định của nó.
521-04-72.Thyristor quang
Thyristor được thiết kế để khởi động bằng bức xạ quang.
Mục 521-05 - Thuật ngữ chung dùng cho linh kiện bán dẫn
521-05-01. Điện cực (của linh kiện bán dẫn)
Phần tử dẫn có tiếp xúc điện với chất bán dẫn thực hiện một hoặc nhiều chức năng phát hoặc thu các electron hoặc lỗ trống, hoặc khống chế sự dịch chuyển của chúng.
521-05-02. Chân (của linh kiện bán dẫn)
Phần tử dẫn để đấu nối bên ngoài.
521-05-03. Chiều thuận (của tiếp giáp PN)
Chiều dòng điện được tạo ra khi vùng bán dẫn loại P ở điện áp dương so với vùng bán dẫn loại N.
521-05-04. Chiều ngược (của tiếp giáp PN)
Chiều dòng điện được tạo ra khi vùng bán dẫn loại N có điện áp dương hơn so với vùng bán dẫn loại P.
521-05-05. Vùng điện trở vi sai âm
Đoạn bất kỳ trong đặc tính điện áp-dòng điện trong đó điện trở vi sai có giá trị âm.
521-05-06. Đánh thủng Zener (của tiếp giáp PN)
Đánh thủng do các electron di chuyển từ vùng hóa trị sang vùng dẫn do hiệu ứng đường hầm dưới ảnh hưởng của trường điện mạnh trong tiếp giáp PN.
521-05-07. Đánh thủng thác đổ (của tiếp giáp PN)
Đánh thủng gây ra do tích lũy nhiều lần các phần tử mang điện tích trong chất bán dẫn dưới tác động của trường điện mạnh khiến một số phần tử mang đạt đủ năng lượng để giải phóng các cặp lỗ trống-electron bằng cách iôn hóa.
521-05-08. Điện áp thác đổ
Điện áp đặt vào mà tại đó xảy ra đánh thủng thác đổ.
521-05-09. Đánh thủng (của tiếp giáp PN định thiên ngược)
Hiện tượng, mà sự khởi đầu của nó được thấy như một sự chuyển tiếp từ trạng thái điện trở động cao sang trạng thái điện trở động thấp hơn để tăng biên độ dòng điện ngược.
521-05-10. Điện áp Zener
Điện áp tối thiểu đặt lên tiếp giáp Zener tại đó xảy ra đánh thủng Zener.
521-05-11. Đánh thủng do nhiệt (của tiếp giáp PN)
Đánh thủng gây ra do phát sinh các phần tửmang điện tích tự do vì có tương tác tích lũy giữa tiêu tán công suất tăng lên và tăng nhiệt độ lớp tiếp giáp.
521-05-12. Đánh xuyên (giữa hai tiếp giáp PN)
Tiếp xúc giữa hai vùng điện tích không gian của hai tiếp giáp PN do sự lan rộng một hoặc cả hai vùng này.
521-05-13. Điện trở nhiệt
Tỷ số của chênh lệch giữa nhiệt độ ước định của linh kiện và nhiệt độ của điểm chuẩn bên ngoài quy định bằng tiêu hao công suất ổn định trong linh kiện.
521-05-14. Nhiệt độ ước định
Nhiệt độ bên trong quy đổi (của linh kiện bán dẫn)
Nhiệt độ lý thuyết dựa trên sự thể hiện đơn giản hóa của tính chất nhiệt và tính chất điện của linh kiện bán dẫn.
CHÚ THÍCH 1: Nhiệt độ ước định không nhất thiết là nhiệt độ cao nhất trong linh kiện.
CHÚ THÍCH 2: Dựa trên tiêu hao công suất và điện trở nhiệt hoặc trở kháng nhiệt tương ứng với chế độ vận hành, nhiệt độ ước định của tiếp giáp có thể được tính từ công thức:
hoặc
521-05-15. Nhiệt độ ước định (quy đổi) của tiếp giáp
Nhiệt độ ước định của lớp tiếp giáp của linh kiệnbán dẫn.
521-05-16. Nhiệt dung
Tỷ số giữa nhiệt năng tích lũy trong linh kiện và chênh lệch giữa nhiệt độ ước định của linh kiện và nhiệt độ ước định của điểm chuẩn bên ngoài quy định.
521-05-17. Điện áp thả nổi
Điện áp giữa chân nối để hở mạch và điểm chuẩn khi đặt các điện áp quy định vào tất cả các chân còn lại.
521-05-18. Điện tích phục hồi (của điốt hoặc thyristor)
Tổng điện tích được phục hồi từ điốt hoặc thyristor sau khi chuyển từ điều kiện dòng điện thuận quy định sang điều kiện dòng điện ngược quy định.
CHÚ THÍCH: Điện tích này bao gồm các thành phần do sự tích lũy thành phần mang điện tích và do suy giảm điện dung lớp.
521-05-19. Điện áp ngưỡng (của điốt hoặc thyristor)
Giá trị điện áp tại giao điểm giữa đường thẳng tiệm cận của đường đặc tính dòng điện-điện áp thuận (trạng thái dẫn) và trục điện áp.
521-05-20. Tần số cắt
Tần số tại đó độ lớn của một đại lượng đặc trưng đo được giảm xuống một phần nhỏ quy định của giá trị của nó ở tần số thấp.
CHÚ THÍCH: Đối với transistor, tần số cắt thường áp dụng cho tỷ số truyền dòng điện thuận ngắn mạch tín hiệu nhỏ cho đối với cả cấu hình cực gốc chung và cực phát chung.
521-05-21. Thời gian trễ
Khoảng thời gian giữa sự thay đổi hàm bậc thang của mức tín hiệu đầu vào và thời điểm tại đó độ lớn của tín hiệu đầu ra đi qua giá trị quy định gần với giá trị ban đầu của nó.
521-05-22. Thời gian tăng
Khoảng thời gian giữa các thời điểm mà tại đó độ lớn của xung tại các chân nối đầu ra đạt đến các giới hạn dưới và giới hạn trên một cách tương ứng khi linh kiện bán dẫn được chuyển mạch từ trạng thái không dẫn sang trạng thái dẫn.
CHÚ THÍCH: Giới hạn dưới và giới hạn trên thường tương ứng với 10 % và 90 % biên độ cuối của xung đầu ra.
521-05-23. Thời gian tích các phần tử mang điện tích
Khoảng thời gian giữa thời điểm bắt đầu đi xuống của xung đặt vào các chân nối đầu vào của linh kiện bán dẫn và thời điểm bắt đầu đi xuống của xung phát ra do các phần tử mang điện tích tại các chân nối đầu ra.
521-05-24. Thời gian giảm
Khoảng thời gian giữa các thời điểm mà tại đó độ lớn của xung tại các chân nối đầu ra đạt đến giới hạn trên và giới hạn dưới được quy định khi linhkiện bán dẫn được chuyển từ trạng thái dẫn sang trạng thái không dẫn.
CHÚ THÍCH: Giới hạn dưới và giới hạn trên thường tương ứng với 10 % và 90 % biên độ ban đầu của xung đầu ra.
521-05-25. Thời gian phục hồi thuận
Khoảng thời gian yêu cầu để dòng điện hoặc điện áp phục hồi đến giá trị quy định sau khi chuyển tức thời từ không hoặc điện áp ngược quy định sang điều kiện định thiên thuận quy định.
521-05-26. Thời gian phục hồi ngược
Khoảng thời gian yêu cầu để dòng điện hoặc điện áp phục hồi đến giá trị quy định sau khi chuyển tức thời từ điều kiện dòng điện thuận quy định (trạng thái dẫn) sang điều kiện phân cực ngược quy định.
521-05-27. Linh kiện nhạy với phóng điện tĩnh điện
Linh kiện rời rạc hoặc mạch tích hợp mà có thể bị hỏng vĩnh viễn do các điện thế tĩnh điện xuất hiện trong bốc dỡ, thử nghiệm và vận chuyển thường xuyên.
521-05-28. Chất nền
Vật liệu mà linh kiện bán dẫn hoặc phần tử mạch được chế tạo trên đó hoặc trong đó.
521-05-29. Lát bán dẫn
Lát mỏng hoặc đĩa phẳng, bằng vật liệu bán dẫn hoặc vật liệu tương tự được lắng đọng trên chất nền, trong đó có thể xử lý một hoặc nhiều mạchđiện hoặc linh kiện.
521-05-30. Chip
Phần riêng rẽ (hoặc toàn bộ) lát bán dẫn được thiết kế để thực hiện một hoặc nhiều chức năng của linh kiện.
521-05-31. Vỏ
Vỏ bao ngoài của một hoặc nhiều chíp, phần tử màng hoặc các thành phần khác, cho phép đấu nối điện và cung cấp bảo vệ cơ và bảo vệ môi trường.
521-05-32. Mạch tương đương
Cách bố trí các phần tử mạch lý tưởng có tham số mạch, trong dải quan tâm, tương đương về điện với tham số của mạch hoặc linh kiện cụ thể.
CHÚ THÍCH: Để phân tích, dùng mạch điện tương đương thay cho mạch hoặc linh kiện phức tạp hơn.
521-05-33. Cánh tản nhiệt
Phần tử có thể tách rời hoặc liền với vỏ góp phần vào tiêu tán nhiệt sinh ra bên trong vỏ.
521-05-34. Tham số mạch điện
Giá trị của đại lượng vật lý đặc trưng cho phần tử mạch điện hoặc mạch điện.
521-05-35. Khung đầu dây (của vỏ)
Khung kim loại có các đầu nối và phương tiện đỡvề cơ để định vị chúng.
521-05-36. Phần tử mạch điện ký sinh
Phần tử mạch điện không mong muốn tức là phần tử thêm vào không tránh khỏi của một hoặc nhiều phần tử mạch mong muốn.
Mục 521-06 - Thuật ngữ riêng dành cho điốt
521-06-01. Điểm đỉnh (của điốt đường hầm)
Điểm trên đường đặc tính dòng điện-điện áp của điốt đường hầm ứng với điện áp thấp nhất theo chiều thuận mà đối với điểm đó độ dẫn vi sai bằng không.
521-06-02. Điểm lõm (của điốt đường hầm)
Điểm nằm trên đặc tính dòng điện-điện áp của điốt đường hầm ứng với điện áp thấp nhất lớn hơn điện áp điểm đỉnh mà đối với điểm đó độ dẫn vi sai bằng không.
521-06-03. Điểm đỉnh nhô ra (của điốt đường hầm)
Điểm nằm trên đặc tính dòng điện-điện áp của điốt đường hầm ở đó dòng điện bằng dòng điện điểm đỉnh nhưng điện áp lớn hơn điện áp điểm lõm.
521-06-04. Tần số cắt thuần trở
Tần số tại đó phần thực của độ dẫn nạp của điốt tại các chân của nó là bằng không, ở điểm định thiên quy định.
521-06-05. Điện trở độ dốc thuận
Giá trị của điện trở tính từ độ dốc của đường thẳng tiệm cận với đường đặc tính dòng điện-điện áp thuận.
Mục 521-07 - Thuật ngữ riêng dành cho tranzito
521-07-01. Tiếp giáp phát
Tiếp giáp giữa vùng cực gốc và vùng cực phát, thường định thiên theo chiều thuận và qua đó các phần tử mang điện tích chạy từ vùng mà chúng là phần tử mang chủ yếu sang vùng chúng là phần tử mang thứ yếu.
521-07-02. Tiếp giáp góp
Tiếp giáp giữa vùng cực gốc và vùng cực góp, thường định thiên theo chiều ngược và qua đó các phần tử mang điện tích chạy từ vùng mà chúng là phần tử mang thứ yếu sang vùng chúng là phần tử mang chủ yếu.
521-07-03. Cực gốc
Vùng giữa tiếp giáp phát và tiếp giáp góp của linh kiện bán dẫn lưỡng cực.
521-07-04. Cực phát
Vùng giữa tiếp giáp phát và điện cực phát.
521-07-05. Cực góp
Vùng giữa tiếp giáp góp và điện cực góp.
521-07-06. Kênh dẫn (của tranzito trường)
Lớp bán dẫn mỏng giữa vùng nguồn và vùng máng, trong đó dòng điện được khống chế bởi điện thế cổng.
521-07-07. Vùng nguồn (của transistor trường)
Vùng mà từ đó các phần tử mang điện tích chủ yếu chạy vào kênh dẫn.
521-07-08. Vùng máng (của transistor trường)
Vùng trong đó các phần tử mang điện tích chủ yếu chạy từ kênh dẫn vào.
521-07-09. Vùng cổng (của transistor trường)
Vùng mà ở đó trường điện có hiệu lực do có điện áp cổng điều khiển.
521-07-10. Hoạt động ở chế độ suy giảm
Hoạt động của transistor trường sao cho việc thay đổi điện áp cổng-nguồn từ không đến giá trị xác định làm giảm độ lớn của dòng máng.
521-07-11. Hoạt động ở chế độ tăng cường
Hoạt động của transistor trường sao cho việc thay đổi điện áp cổng-nguồn từ không đến giá trị xác định làm tăng độ lớn của dòng thoát.
521-07-12. Đảo chiều hoạt động
Chế độ hoạt động của transistor tiếp giáp lưỡng cực trong đó cực góp đóng vai trò là cực phát và chiều dòng tổng của các phần tử mang thứ yếu là từ vùng góp sang vùng gốc.
521-07-13. Cực gốc chung
Cấu trúc mạch điện trong đó chân nối cực gốc là chung cho mạch đầu vào và mạch đầu ra và trong đó chân nối đầu vào là chân cực phát còn chân nối đầu ra là chân cực góp.
521-07-14. Cực góp chung
Cấu trúc mạch điện trong đó chân nối cực góp là chung cho mạch đầu vào và mạch đầu ra và trong đó chân nối đầu vào là chân nối cực gốc còn chân nối đầu ra là chân cực phát.
521-07-15. Cực phát chung
Cấu trúc mạch điện trong đó chân cực phát là chung cho mạch đầu vào và mạch đầu ra và trong đó chân nối đầu vào là chân nối cực gốc còn chân nối đầu ra là chân cực góp.
521-07-16. Cực gốc chung đảo ngược
Cấu trúc mạch điện trong đó chân cực gốc là chung cho mạch đầu vào và mạch đầu ra và trong đó chân nối đầu vào là chân nối cực góp còn chân nối đầu ra là chân cực phát.
521-07-17. Cực góp chung đảo ngược
Cấu trúc mạch điện trong đó chân cực góp là chung cho mạch đầu vào và mạch đầu ra và trong đó chân nối đầu vào là chân nối cực phát còn chân nối đầu ra là chân cực gốc.
521-07-18. Cực phát chung đảo ngược
Cấu trúc mạch điện trong đó chân cực phát là chung cho mạch đầu vào và mạch đầu ra và trong đó chân nối đầu vào là chân nối cực góp còn chân nối đầu ra là chân cực gốc.
521-07-19. Tỷ số truyền dòng điện thuận ngắn mạch tín hiệu nhỏ
Tỷ số giữa dòng điện xoay chiều đầu ra và dòng điện hình sin đầu vào sinh ra nó trong các điều kiện tín hiệu nhỏ, đầu ra được nối tắt trên dòng điện xoay chiều.
521-07-20. Tỷ số truyền dòng điện thuận tĩnh
Tỷ số giữa dòng điện đầu ra một chiều và dòng điện đầu vào một chiều, điện áp đầu ra được giữ không đổi.
521-07-21. Tần số chuyển tiếp
Tích của giá trị tuyệt đối của tỷ số truyền dòng điện phân cực thuận ngắn mạch tín hiệu nhỏ có cực phát chung |h21e| và tần số đo, tần số nàyđược chọn sao cho |h21e|giảm theo độ dốc xấp xỉ bằng 6 dB trên octave.
521-07-22. Tần số của tỷ số truyền dòng điện bằng một
Tần số tại đó giá trị tuyệt đối của tỷ số truyền dòng điện phân cực thuận ngắn mạch tín hiệu thấp có cực phát chung|h21e| giảm về một.
521-07-23. Điện áp cắt (của transistor trường kiểu suy giảm)
Điện áp cổng-nguồn tại đó độ lớn của dòng máng đạt đến giá trị nhỏ quy định.
521-07-24. Điện áp ngưỡng (của transistor trường kiểu tăng cường)
Điện áp cổng-nguồn tại đó độ lớn của dòng máng đạt đến giá trị nhỏ quy định.
521-07-25. Độ hỗ dẫn (của transistor trường)
Tỷ số của số gia trong dòng thoát với sự thay đổi số gia tương ứng của điện áp cổng-nguồn trong khi điện áp máng-nguồn được giữ không đổi.
Mục 521-08 - Thuật ngữ riêng dành cho thyristor
521-08-01. Cổng
Chân phụ để điều khiển hoạt động chuyển mạch của thyristor.
521-08-02. Dòng điện chính
Dòng điện chạy qua linh kiện, không kể dòng điện cổng.
521-08-03. Chân chính
Chân có dòng điện chính chạy qua.
521-08-04. Điện áp chính
Điện áp giữa các chân chính.
521-08-05. Đặc tuyến chính (điện áp-dòng điện)
Hàm số, thường được thể hiện bằng đồ thị, liên hệ giữa điện áp chính và dòng điện chính, với dòng điện cổng, trong trường hợp thuộc đối tượng áp dụng, là một tham số.
521-08-06. Đặc tuyến anốt - catốt (điện áp - dòng điện)
Đặc tuyến anốt
Hàm số, thường được thể hiện bằng đồ thị, liên hệ giữa điện áp anốt và dòng điện chính, với dòng điện cổng, trong trường hợp thuộc đối tượng áp dụng, là một tham số.
521-08-07. Trạng thái dẫn
Trạng thái của thyristor tương ứng với đoạn điện áp thấp điện trở thấp của đặc tuyến chính.
CHÚ THÍCH: Trong trường hợp linh kiện dẫn ngược, định nghĩa này chỉ áp dụng cho điện áp anốt dương.
521-08-08. Trạng thái khóa
Trạng thái của thyristor tương ứng với đoạn của đặc tuyến chính giữa (các) gốc tọa độ và điểm hoặc các điểm đánh thủng.
521-08-09. Trạng thái khóa ngược (hoặc thyristor khóa ngược)
Trạng thái của thyristor khóa ngược tương ứng với dòng điện ngược có biên độ thấp hơn dòng điện ở điện áp đánh thủng ngược.
521-08-10. Dòng điện giữ
Dòng điện chính tối thiểu cần thiết để duy trì thyristor ở trạng thái dẫn.
521-08-11. Dòng điện khóa
Dòng điện chính tối thiểu cần thiết để duy trì thyristor ở trạng thái dẫn ngay lập tức sau khi chuyển từ trạng thái khóa sang trạng thái dẫn và tín hiệu trigger bị loại bỏ.
521-08-12. Điểm đánh thủng
Điểm bất kỳ trên đặc tính chính tại đó điện trở vi sai bằng 0 và tại đó điện áp chính đạt đến giá trị lớn nhất.
521-08-13. Điện trở độ dốc ở trạng thái đóng
Điện trở bằng với độ dốc của đường thẳng được sử dụng để xác định điện áp ngưỡng từ đặc tính dòng điện-điện áp.
521-08-14. Dòng điện cổng kích hoạt
Dòng điện cổng nhỏ nhất yêu cầu để chuyển thyristor từ trạng thái khóa sang trạng thái dẫn.
521-08-15. Điện áp cổng kích hoạt
Điện áp cổng yêu cầu để sinh ra dòng điện cổng kích hoạt.
521-08-16. Điện áp cổng không kích hoạt
Điện áp cổng cao nhất không làm cho thyristor chuyển từ trạng thái khóa sang trạng thái dẫn.
521-08-17. Dòng điện cổng không kích hoạt
Dòng điện cổng ứng với điện áp cổng không kích hoạt.
521-08-18. Tốc độ tăng tới hạn của điện áp trạng thái cắt
Giá trị nhỏ nhất của tốc độ tăng điện áp chính gây chuyển mạch từ trạng thái khóa sang trạng thái dẫn trong các điều kiện quy định.
521-08-19. Tốc độ tăng tới hạn của dòng điện trạng thái đóng
Giá trị cao nhất của tốc độ tăng dòng điện ở trạng thái đóng mà thyristor có thể chịu được mà không có ảnh hưởng bất lợi.
Mục 521-09 - Thuật ngữ riêng dành cho linh kiện sử dụng hiệu ứng Hall và từ trở
521-09-01. Hiệu ứng Hall
Việc tạo ra trong chất dẫn hoặc trong chất bán dẫn một cường độ trường điện tỷ lệ với tích véctơ giữa mật độ dòng điện và mật độ từ thông.
521-09-02. Hệ số Hall
Hệ số tỷ lệ RH trong quan hệ định lượng của hiệu ứng Hall:
trong đó
là cường độ trường điện theo phương ngang
là mật độ dòng điện
là mật độ từ thông
CHÚ THÍCH: Dấu của phần tử mang điện tích chủ yếu thường có thể suy ra từ dấu của hệ số Hall.
521-09-03. Góc Hall
Góc tồn tại khi có hiệu ứng Hall, giữa cường độ trường điện tạo ra và mật độ dòng điện.
521-09-04. Độ linh động Hall
Tích của hệ số Hall và độ dẫn điện.
521-09-05. Điện áp Hall
Điện áp sinh ra bởi hiệu ứng Hall.
521-09-06. Chân nối Hall
Các chân nối của bộ phát Hall mà xuất hiện điện áp Hall giữa chúng.
521-09-07. Chân nối dòng điện điều khiển (của bộ phát Hall)
Chân nối của bộ phát Hall mà dòng điện điều khiển đi qua đó.
521-09-08. Vùng cảm ứng hiệu quả của vòng lặp đầu ra
Vùng hiệu quả của vòng lặp khép kín bởi các dây dẫn đến các chân nối Hall và tuyến dẫn liên quan đi qua linh kiện hiệu ứng Hall.
521-09-09. Vùng cảm ứng hiệu quả của vòng lặp dòng điện điều khiển
Vùng hiệu quả của vòng lặp khép kín bởi các dây dẫn dòng điện điều khiển và tuyến dẫn liên quan đi qua tấm Hall nhờ hiệu ứng Hall.
521-09-10. Trường cùng loại (của bộ phát Hall)
Trường từ gây ra bởi dòng điện điều khiển qua vòng lặp tạo bởi các dây dẫn dòng điện điều khiển và tuyến liên quan đi qua linh kiện hiệu ứng Hall.
521-09-11. Dòng điện điều khiển (của máy phát Hall)
Dòng điện đi qua tấm Hall phát ra điện áp Hall do tương tác với trường từ.
521-09-12. Độ nhạy từ (của đầu dò Hall)
Thương số giữa điện áp Hall và mật độ từ thông của dải làm việc tuyến tính của đầu dò Hall.
521-09-13. Điện áp điều khiển cảm ứng (của linh kiện hiệu ứng Hall)
Điện áp cảm ứng trong vòng lặp tạo bởi các dây dẫn dòng điều khiển và tuyến dòng điện đi qua tấm Hall được tạo ra do thay đổi mật độ từ thông.
521-09-14. Điện áp dư đối với dòng điện điều khiển bằng không (của đầu do hiệu ứng Hall)
Điện áp tại các chân nối Hall khi có trường từ thay đổi theo thời gian và dòng điện điều khiển bằng không.
521-09-15. Điện áp dư đối với trường từ bằng không (của linh kiện hiệu ứng Hall)
Điện áp tại các chân nối Hall khi có dòng điện điều khiển chạy qua trong điều kiện không có trường từ đặt vào.
521-09-16. Độ nhạy với dòng điện điều khiển (của đầu dò Hall)
Điện áp cảm ứng trong vòng lặp tạo bởi các dâydẫn dòng điện điều khiển và tuyến dòng điện đi qua tấm Hall được tạo ra do thay đổi mật độ từ thông.
521-09-17. Đường cong đặc tính từ trở
Đường cong điện trở của một từ trở theo mật độ từ thông.
521-09-18. Hệ số từ trở
Ở mật độ từ thông quy định, hệ số từ trở là thương số giữa sự biến đổi điện trở với cảm ứng từ của từ trở và điện trở ở mật độ từ thông quy định.
521-09-19. Vi mạch
Linh kiện điện tử có mật độ phần tử mạch điện cao và được coi là một khối duy nhất.
Mục 521-10 - Thuật ngữ riêng dành cho mạch tích hợp
521-10-01. Vi điện tử
Lĩnh vực khoa học và kỹ thuật về mạch điện tử cực nhỏ và việc sử dụng chúng.
521-10-02. Tỉsố từ trở
Tỉ số của điện trở từ nghiệm ở mật độ từ thông quy định với điện trở ở mật độ từ thông bằng 0.
521-10-03. Mạch tích hợp
Vi mạch trong đó tất cả hoặc một số linh kiệnmạch điện được kết hợp không tách rời được và được nối điện sao cho mạch này được xem là không chia tách được cho mục đích cấu tạo và thương mại.
521-10-04. Cụm vi điện tử
Cấu trúc vi mô gồm nhiều linh kiện khác nhau được kết cấu riêng rẽ và có thể được thử nghiệm riêng rẽ trước khi được lắp ráp và gắn kín lại với nhau.
521-10-05. Màng mỏng (của mạch tích hợp dạng màng)
Màng tạo bởi quá trình bồi đắp như sự lắng đọng ở pha hơi hoặc thổi chân không.
521-10-06. Mạch tích hợp dạng màng
Mạch tích hợp mà các phần tử mạch của chúng, kể cả các mối nối liên kết, là các phần tử dạng màng hình thành trên bề mặt nền cách điện.
CHÚ THÍCH: Phần tử màng có thể là phần tử tích cực hoặc thụ động.
521-10-07. Màng (của mạch tích hợp dạng màng)
Lớp vật liệu rắn hình thành bởi quá trình lắng đọng trên nền hoặc trên các màng khác đã được lắng đọng trên nền.
521-10-08. Mạch tích hợp bán dẫn
Linh kiện bán dẫn được thiết kế như một mạch tích hợp.
521-10-09. Màng dày (của mạch tích hợp dạng màng)
Màng được tạo ra bởi quá trình tạo mạch in hoặc kỹ thuật liên quan khác.
521-10-10. Mạch tích hợp nhiều chip
Mạch tích hợp bán dẫn gồm hai hoặc nhiều chip.
Mục 521-11 - Thuật ngữ riêng dành cho mạch tích hợp digital
521-11-01. Linh kiện lôgic lập trình được
(PLD)
Mạch tích hợp gồm các phần tử lôgic có các dạng thức liên kết, các phần liên kết mà người sử dụng có thể lập trình được.
521-11-02. Mảng lôgic lập trình được
Linh kiện lôgic lập trình được trong đó các phần tử lôgic gồm chủ yếu là các dãy cổng AND và dãy cổng OR.
521-11-03. Trạng thái latch-up
Trạng thái thuận nghịch, trong đó tuyến dẫn trở kháng thấp được tạo ra và tiếp tục tồn tại theo dòng điện được tạo ra từ đầu vào, đầu ra hoặc quá điện áp nguồn làm kích hoạt cấu trúc hai cực bốn lớp ký sinh.
521-11-04. Phần tử nhớ
Phần chia nhỏ nhất của bộ nhớ trong đó một đơn vị dữ liệu được hoặc có thể được nhập vào, lưu giữ hoặc lấy ra.
521-11-05. Bộ nhớ mạch tích hợp
Mạch tích hợp bao gồm các phần tử nhớ và thường gồm cả các mạch kết hợp như mạch chọn địa chỉ, khuếch đại, v.v...
521-11-06. Bộ nhớ tĩnh (đọc/ghi)
Bộ nhớ trong đó nội dung dữ liệu được giữ lại khi không có các tín hiệu điều khiển.
521-11-07. Bộ nhớ đọc/ghi
Bộ nhớ trong đó nội dung dữ liệu dự kiến được đọc và sửa đổi trong vận hành bình thường.
521-11-08. Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên
RAM
Bộ nhớ cho phép truy cập vào các vị trí địa chỉ bất kỳ của nó theo trình tự mong muốn bất kỳ.
CHÚ THÍCH: Theo cách sử dụng chung, thuật ngữ này thường bao hàm bộ nhớ "đọc/ghi"; nhưng thuật ngữ này cũng có thể áp dụng cho bộ nhớ “chỉ đọc".
521-11-09. Bộ nhớ chỉ đọc
ROM
Bộ nhớ trong đó nội dung dữ liệu dự kiến chỉ được đọc mà không được sửa đổi được trong vận hành bình thường.
521-11-10. Bộ nhớ động (đọc/ghi)
Bộ nhớ trong đó các phần tử nhớ đòi hỏi phải đặt lặp lại các tín hiệu điều khiển để lưu giữ các dữ liệu đã lưu giữ.
521-11-11. Bộ nhớ linh động
Bộ nhớ trong đó nội dung dữ liệu bị mất khi mất nguồn cung cấp cho nó.
521-11-12. Linh kiện bucket-brigade
Linh kiện truyền điện tích lưu giữ điện tích ở các vùng rời rạc trong chất bán dẫn và truyền điện tích này thành một gói qua một loạt các linh kiện chuyển mạch liên kết với các vùng này.
521-11-13. Bộ nhớ định địa chỉ nội dung dữ liệu
Bộ nhớ liên kết
Bộ nhớ đáp ứng với tất cả các dữ liệu trong vùng lưu giữ nếu phần dữ liệu này phù hợp với dữ liệu đầu vào của bộ nhớ.
521-11-14. Linh kiện truyền điện tích
Linh kiện bán dẫn mà hoạt động của linh kiện phụ thuộc vào sự di chuyển có hiệu quả của các gói điện tích rời rạc dọc theo hoặc bên dưới bề mặt bán dẫn hoặc thông qua các liên kết trên bề mặt chất bán dẫn.
521-11-15. Bộ nhớ truy cập nối tiếp
Bộ nhớ trong đó các vùng lưu giữ chỉ có thể được truy cập theo trình tự xác định trước.
521-11-16. Linh kiện ghép nối điện tích
CCD
Linh kiện truyền điện tích lưu giữ điện tích trong các giếng điện thế và truyền điện tích này hầunhư hoàn toàn thành một gói bằng cách di chuyển các giếng điện thế đó.
521-11-17. Cảm biến hình ảnh truyền điện tích
Linh kiện truyền điện tích trong đó hình ảnh được biến đổi thành các gói điện tích có thể được truyền như một sự thể hiện bằng điện của hình ảnh.
521-11-18. Phần tử (trong chất bán dẫn)
Sự kết hợp được thiết kế trước của các phần tử mạch điện với cách bố trí và các chân liên kết cụ thể để thực hiện chức năng trong mạch tích hợp.
521-11-19. Mạch tích hợp bán tùy chỉnh
Mạch tích hợp gồm các mạch, phần tử và vĩ mô được thiết kế trước mà có thể được sử dụng trong quá trình bố trí chip tự động để chế tạo ra mạch điện dùng cho ứng dụng cụ thể.
521-11-20. Dãy cổng
Mạch tích hợp có chứa một mạng cố định các phần tử mạch điện được sử dụng để tạo thành các phần tử vĩ mô và các chức năng vĩ mô mà được hoặc có thể liên kết để thực hiện chức năng logic.
521-11-21. Mạch tích hợp cho ứng dụng cụ thể
ASIC
Mạch tích hợp được thiết kế cho các ứng dụng cụ thể.
521-11-22. Phần tử vĩ mô
Tập hợp các phần tử có các liên kết cụ thể.
MỤC LỤC
Lời nói đầu
Lời giới thiệu
1. Phạm vi áp dụng
2. Tài liệu viện dẫn
3. Thuật ngữ và định nghĩa
Mục 521-01: Giới thiệu về vật lý nguyên tử
Mục 521-02: Đặc tính của vật liệu bán dẫn
Mục 521-03: Xử lý vật liệu bán dẫn
Mục 521-04: Các loại linh kiện bán dẫn
Mục 521-05: Thuật ngữ chung dùng cho linh kiện bán dẫn
Mục 521-06: Thuật ngữ riêng dành cho điốt
Mục 521-07: Thuật ngữ riêng dành cho tranzito
Mục 521-08: Thuật ngữ riêng dành cho thyristor
Mục 521-09: Thuật ngữ riêng dành cho linh kiện sử dụng hiệu ứng Hall và từ trở
Mục 521-10: Thuật ngữ riêng dành cho mạch tích hợp
Mục 521-11: Thuật ngữ riêng dành cho mạch tích hợp digital
Ý kiến bạn đọc
