Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 7186:2018 (CISPR 15:2018) về Giới hạn và phương pháp đo đặc tính nhiễu tần số radio của thiết bị chiếu sáng và thiết bị tương tự
CISPR 15:2018
Limits and methods of measurement of radio disturbance characteristics of electrical lighting and similar equipment
Lời nói đầu
TCVN 7186:2018 thay thế cho TCVN 7186:2010;
TCVN 7186:2018 hoàn toàn tương đương với CISPR 15:2018;
TCVN 7186:2018 do Ban kỹ thuật Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN/TC/E9 Tương thích điện từ biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.
GIỚI HẠN VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO ĐẶC TÍNH NHIỄU TẦN SỐ RADIO CỦA THIẾT BỊ CHIẾU SÁNG VÀ THIẾT BỊ ĐIỆN TƯƠNG TỰ
Limits and methods of measurement of radio disturbance characteristics of electrical lighting and similar equipment
Tiêu chuẩn này áp dụng cho phát xạ (bức xạ hoặc dẫn) của nhiễu tần số radio phát ra từ:
- thiết bị chiếu sáng (3.3.16);
- phần chiếu sáng của thiết bị đa chức năng trong đó một trong các chức năng chính là chiếu sáng;
CHÚ THÍCH 1: Ví dụ như thiết bị chiếu sáng có hệ thống truyền thông bằng ánh sáng nhìn thấy được và hệ thống chiếu sáng giải trí.
- thiết bị bức xạ UV và IR sử dụng trong khu dân cư và không sử dụng trong công nghiệp;
- biển hiệu quảng cáo;
CHÚ THÍCH 2: Ví dụ như biển hiệu quảng cáo đèn nê ông.
- chiếu sáng trang trí;
- biển báo khẩn cấp.
Tiêu chuẩn này không áp dụng cho:
- linh kiện hoặc môđun được thiết kế để lắp trong thiết bị chiếu sáng và người dùng không thay thế được;
CHÚ THÍCH 3: Xem CISPR 30 (tất cả các phần) đối với bộ điều khiển lắp trong.
- thiết bị chiếu sáng hoạt động trong bằng tần ISM (như định nghĩa trong Nghị quyết 63 (1979) của qui định kỹ thuật về radio của ITU);
- thiết bị chiếu sáng dùng cho máy bay và phương tiện sân bay (đường chạy, phương tiện dịch vụ, sân bay);
- tín hiệu hình ảnh;
- hệ thống lắp đặt;
- thiết bị có các yêu cầu về tương thích điện từ trong dải tần số radio được trình bày rõ trong các tiêu chuẩn khác, ngay cả khi thiết bị có lắp chức năng chiếu sáng lắp trong.
CHÚ THÍCH 4: Ví dụ về các loại trừ gồm:
- Thiết bị có cơ cấu chiếu sáng lắp trong dùng để chiếu sáng phía sau màn hình, chiếu sáng thang đo và báo hiệu;
- Màn hiển thị SSL;
- Máy hút mùi, tủ lạnh, tủ đông;
- Máy photocopy, máy chiếu;
- Thiết bị chiếu sáng dùng cho phương tiện giao thông đường bộ (thuộc phạm vi áp dụng của CISPR 12)
Dải tần được đề cập là từ 9 kHz đến 400 GHz. Không cần thực hiện các phép đo tại các tần số mà không được quy định giới hạn trong tiêu chuẩn này.
Thiết bị đa chức năng phải chịu đồng thời các điều khác nhau của tiêu chuẩn này và/hoặc các tiêu chuẩn khác thì phải đáp ứng các quy định của từng điều/tiêu chuẩn với các chức năng hoạt động liên quan.
Đối với các thiết bị nằm ngoài phạm vi qui định của tiêu chuẩn này đồng thời chức năng chiếu sáng chỉ là chức năng phụ thì không cần đánh giá riêng chức năng chiếu sáng theo tiêu chuẩn này với điều kiện chức năng chiếu sáng hoạt động suốt quá trình đánh giá theo tiêu chuẩn được áp dụng.
CHÚ THÍCH 5: Ví dụ về thiết bị có chức năng chiếu sáng phụ có thể là máy hút mùi, quạt, tủ lạnh, tủ đông, lò và tivi với ánh sáng xung quanh.
Yêu cầu về phát xạ bức xạ trong tiêu chuẩn này không nhằm áp dụng cho việc truyền dẫn có chủ ý từ một máy phát tần số radio theo định nghĩa trong ITU, và cũng không áp dụng cho việc phát xạ giả liên quan đến việc truyền dẫn có chủ ý này.
Trong tiêu chuẩn này, khi sử dụng thuật ngữ “thiết bị chiếu sáng” hoặc “EUT” có nghĩa là thiết bị chiếu sáng và thiết bị điện tương tự thuộc phạm vi áp dụng của tiêu chuẩn này.
Các tài liệu viện dẫn sau đây là cần thiết cho việc áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu ghi năm công bố thì áp dụng bản được nêu. Đối với các tài liệu không ghi năm công bố thì áp dụng bản mới nhất (kể cả các sửa đổi).
TCVN 5175 (IEC 61195), Bóng đèn huỳnh quang hai đầu - Qui định về an toàn
TCVN 6479 (IEC 60921), Balát dùng cho bóng đèn huỳnh quang dạng ống - Yêu cầu về tính năng
TCVN 7670 (IEC 60081), Bóng đèn huỳnh quang hai đầu - Yêu cầu tính năng
TCVN 7722-1:2017 (IEC 60598-1:2014 with amendment 1:2017), Đèn điện - Phần 1: Yêu cầu chung và các thử nghiệm
TCVN 7995 (IEC 60038), Điện áp tiêu chuẩn
IEC 60050-161, International Electrotechnical Vocabulary (IEV) - Chapter 161: Electromagnetic compatibility (Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế (IEV) - Phần 161: Tương thích điện từ
IEC 60050-845:1987, International Electrotechnical Vocabulary - Chapter 845: Lighting (Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế - Phần 845: Chiếu sáng)
IEC 60061-1, Lamp caps and holders together with gauges for the control of interchangeability and safety - Part 1: Lamp caps (Đầu đèn và đui đèn cùng với dưỡng đo để kiểm tra tính lắp lẫn và an toàn - Phần 1: Đầu đèn)
IEC 61000-4-20:2010, Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-20: Testing and measurement techniques - Emission and immunity testing in transverse electromagnetic (TEM) waveguides (Tương thích điện từ (EMC) - Phần 4-10: Kỹ thuật thử nghiệm và đo - Thử nghiệm phát xạ và miễn nhiễm trong ống dẫn điện từ ngang (TEM))
IEC 62504:20141, General lighting - Light emitting diode (LED) products and related equipment - Terms and definitions (Chiếu sáng thông dụng - sản phẩm đi ốt phát quang (LED) và thiết bị liên quan - Thuật ngữ và định nghĩa)
CISPR 16-1-1:20152, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-1: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Measuring apparatus (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Phần 1-1: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Thiết bị đo)
CISPR 16-1-2:20143, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-2: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Coupling devices for conducted disturbance measurements (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Phần 1-2: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Thiết bị kết hợp - Nhiễu dẫn)
CISPR 16-1-4:2010 with amendment 1:2012 và amendment 2:20174, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-4: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Antennas and test sites for radiated disturbance measurements (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Phần 1-4: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Anten và vị trí thử nghiệm dùng để đo nhiễu bức xạ)
CISPR 16-2-1:2014 with amendment 1:20175, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 2-1: Methods of measurement of disturbances and immunity - Conducted disturbance measurements (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Phần 2-1: Phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm - Đo nhiễu dẫn)
CISPR 16-2-3:20166, Specification for radio disturbances and immunity measuring apparatus and methods - Part 2-3: Methods of measurement of disturbances and immunity - Radiated disturbance measurements (Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Phần 2-3: Phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm - Đo nhiễu bức xạ)
CISPR 16-4-2:2011 with amendment 1:2014, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 4-2: Uncertainties, statistics and limit modelling - Measurement instrumentation uncertainty (Quy định kỹ thuật đối với thiết bị và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số radio - Phần 4-2: Độ không đảm bảo, thống kê và mẫu giới hạn - Độ không đảm bảo của thiết bị đo)
CISPR TR 30-1:2012, Test method on electromagnetic emissions - Part 1: Electronic control gear for single- and double-capped fluorescent lamps (Phương pháp thử phát xạ điện từ - Phần 1: Bộ điều khiển điện tử dùng cho bóng đèn huỳnh quang một đầu và hai đầu)
CISPR 32:2015, Electromagnetic compatibility of multimedia equipment - Emission requirements (Tương thích điện từ đối với thiết bị đa phương tiện - Yêu cầu về phát xạ)
TCVN ISO/IEC 17025:2007 (ISO/IEC 17025:2005)7, Yêu cầu chung về năng lực của phòng thử nghiệm và hiệu chuẩn
3 Thuật ngữ, định nghĩa và chữ viết tắt
Trong tiêu chuẩn này, áp dụng các thuật ngữ và định nghĩa được cho trong IEC 60050-161, IEC 62504, IEC 60050-845 và các thuật ngữ và định nghĩa dưới đây.
3.2 Thuật ngữ và định nghĩa chung
3.2.1
Đế của đèn điện (base of the luminaire)
Bề mặt lắp vào của đèn điện trong quá trình sử dụng bình thường, thường là phía đối diện với cửa sổ quang.
3.2.2
Tần số xung nhịp (clock frequency)
Tần số cơ bản của tín hiệu bất kỳ được dùng trong EUT ngoại trừ các tần số được phát ra bên trong mạch tích hợp (IC) và các tần số chỉ được sử dụng bên trong cùng mạch tích hợp nhưng không tiếp cận được bên ngoài mạch IC và ngoại trừ các tần số được sử dụng riêng cho việc truyền dẫn radio hoặc cho các chức năng thu sóng radio.
CHÚ THÍCH: Các tần số cao thường được phát bên trong mạch tích hợp (IC) bởi các mạch vòng lặp khóa pha (PLL) xuất phát từ các tần số của bộ dao động xung nhịp thấp hơn bên ngoài mạch tích hợp (IC).
3.2.3
Điện áp cực thấp (extra-low voltage)
ELV
Điện áp không vượt quá 50 V xoay chiều hoặc 120 V một chiều không nhấp nhô giữa các dây dẫn hoặc giữa dây dẫn bất kỳ với đất (dải điện áp 1 của IEC 60449) được đặt vào giao diện tải cung cấp điện cho thiết bị chiếu sáng, ngoại trừ các giao diện được sử dụng trong truyền thông hoặc truyền dữ liệu.
CHÚ THÍCH: Không nhấp nhô thường được định nghĩa đối với điện áp nhấp nhô hình sin là thành phần nhấp nhô không quá 10 % giá trị hiệu dụng: giá trị đỉnh lớn nhất không được vượt quá 140 V đối với hệ thống dòng điện một chiều không nhấp nhô 120 V danh nghĩa.
[NGUỒN: IEC 61347-1:2015 with amendment 1:2017, 3.27, có sửa đổi - Làm rõ định nghĩa]
3.2.4
Truyền công suất cảm ứng (inductive power transfer)
Quá trình truyền năng lượng điện cảm ứng theo thời gian từ một nguồn đến một tải riêng khi chúng được đặt tiếp xúc vật lý (mà không phải tiếp xúc điện) hoặc đặt gần sát với nhau.
VÍ DỤ: Ví dụ là đèn điện nạp lại được có lắp bộ truyền công suất cảm ứng hoặc bóng đèn không có điện cực có bộ truyền công suất cảm ứng.
CHÚ THÍCH 1: Ngoài ra, nếu công nghệ tần số radio, như định nghĩa của ITU, được sử dụng hoặc được thêm vào chức năng truyền công suất của thiết bị truyền công suất kiểu cảm ứng đối với mục đích truyền dữ liệu thì áp dụng các tiêu chuẩn thích hợp đối với công nghệ tần số radio này.
CHÚ THÍCH 2: Sự lan truyền năng lượng điện từ bất kỳ bên ngoài hệ thống của nguồn điện cảm ứng và tải được coi là nhiễu điện từ và do đó phải chịu sự đánh giá của tiêu chuẩn này.
3.2.5
Cửa sổ quang (optical window)
Phần thiết bị chiếu sáng mà từ đó ánh sáng phát ra.
3.2.6
Chức năng chính (primary function)
Chức năng của một thiết bị được chỉ định bởi nhà chế tạo.
3.2.7
Chức năng phụ (secondary function)
Chức năng bất kỳ của một thiết bị không cần thiết để thực hiện chức năng chính, được chỉ định bởi nhà chế tạo.
3.2.8
Bố trí thử nghiệm (test arrangement)
Bố trí quy định của EUT, hệ thống đi cáp, thiết bị phụ trong quá trình thử nghiệm.
3.3 Thuật ngữ và định nghĩa liên quan đến thiết bị
3.3.1
Biển hiệu quảng cáo (advertising sign)
Khối sử dụng ánh sáng dùng cho quảng cáo, bảng tín hiệu giao thông, biển báo đường bộ hoặc tương tự.
3.3.2
Thiết bị phụ trợ (ancillary equipment)
Thiết bị chuyển đổi (ví dụ như đầu đo dòng điện và đầu đo điện áp và mạng giả) và thiết bị khác (ví dụ như cáp, bộ tiền khuếch đại, bộ suy giảm, bộ lọc, bộ phối hợp) được nối với máy thu đo hoặc với EUT và được sử dụng trong việc truyền tín hiệu nhiễu giữa EUT và máy thu đo.
CHÚ THÍCH 1: Các CISPR đưa ra các định nghĩa khác nhau về thiết bị kết hợp, thiết bị phụ trợ và thiết bị phụ. Các định nghĩa được nêu trong tiêu chuẩn này dựa vào CISPR 16-2-3. Xem thêm 3.3.3 và 3.3.4.
CHÚ THÍCH 2: Xem thêm Hình 2.
[NGUỒN: CISPR 16-2-3:2016, 3.1.2, có sửa đổi - Bổ sung các ví dụ trong định nghĩa và chú thích].
3.3.3
Thiết bị kết hợp (associated equipment)
AE
Thiết bị, không phải là một phần của hệ thống cần thử nghiệm, nhưng cần thiết để hỗ trợ vận hành EUT.
VÍ DỤ: Thiết bị để phát ra tín hiệu điều khiển ánh sáng.
CHÚ THÍCH: Xem thêm Hình 2.
[NGUỒN: CISPR 16-2-3:2016, 3.1.5, có sửa đổi - Bổ sung các ví dụ và chú thích].
3.3.4
Thiết bị phụ (auxiliary equipment)
AuxEq
Thiết bị ngoại vi là một phần của hệ thống cần thử nghiệm.
VÍ DỤ: Trong CISPR TR 30-1 hoặc CISPR TR 30-2, đèn điện chuẩn, trong trường hợp thử nghiệm balát hoặc bộ điều khiển.
CHÚ THÍCH: Xem thêm Hình 2.
[NGUỒN: CISPR 16-2-3:2016, 3.1.6, có sửa đổi - Bổ sung các ví dụ và chú thích].
3.3.5
Bộ điều khiển (controlgear)
Cơ cấu bằng điện giữa nguồn và một hoặc nhiều (các) nguồn sáng có thể sử dụng để biến đổi điện áp nguồn, giới hạn dòng điện của (các) nguồn sáng đến giá trị quy định, cung cấp điện áp khởi động và dòng điện nung nóng trước, ngăn ngừa khởi động nguồn hiệu chỉnh hệ số công suất, triệt nhiễu tần số radio, kể cả dùng để điều chỉnh độ sáng và các chức năng điều khiển khác.
CHÚ THÍCH: Định nghĩa này khác với TCVN 7722-1 (IEC 60598-1).
[NGUỒN: IEC 62504:2014; 3.6.1, có sửa đổi - Chữ viết tắt “LED” trong thuật ngữ được xóa bỏ và các sửa đổi khác về định nghĩa.]
3.3.6
Chiếu sáng trang trí (decorative lighting)
Thiết bị phát ra ánh sáng cho mục đích khí quyển, nghệ thuật hoặc xung quanh.
3.3.7
Bộ phối hợp của bóng đèn hai đầu (double-capped lamp adapter)
Thành phần được thiết kế để lắp đặt trong đèn điện, có kết cấu dùng cho bóng đèn có đường kính ống (theo TCVN 7670 (IEC 60081) và TCVN 5175 (IEC 61195)) và chiều dài ống quy định với mục đích là để chứng nhận bóng đèn có đường kính ống khác hoặc chiều dài ống khác thay thế.
CHÚ THÍCH: Bộ phối hợp bóng đèn có thể có lắp cơ cấu đóng cắt hoặc cầu chảy hoặc bộ điều khiển bóng đèn điện tử dùng để vận hành bóng đèn tần số cao.
3.3.8
Bóng đèn hai đầu có balát lắp liền (double capped self-ballasted lamp)
Khối mà có thể bị hỏng vĩnh viễn nếu tháo rời ra, được cung cấp kèm theo một hoặc nhiều nguồn sáng và hai đầu đèn và các linh kiện bổ sung bất kỳ cần thiết để khởi động và vận hành ổn định nguồn sáng.
CHÚ THÍCH: Xem thêm chú thích 1 và chú thích 2 được cho trong 3.3.21.
3.3.9
Nửa đèn điện có hai đầu (double-capped semi-luminaire)
Khối tương tự với bóng đèn có balát lắp liền nhưng được thiết kế để sử dụng cho nguồn sáng có thể thay thế được và/hoặc cơ cấu khởi động.
CHÚ THÍCH 1: Nửa đèn điện dùng cho bóng đèn huỳnh quang compact và bóng đèn nung sáng, đôi khi được gọi là bộ phối hợp, và là thiết bị được trang bị, trên một phía, với đầu đèn tiêu chuẩn theo IEC 60061-1 đẻ cho phép lắp trong đui đèn tiêu chuẩn, phía còn lại, với đui đèn cho phép lắp nguồn sáng thay thế được.
CHÚ THÍCH 2: Thành phần nguồn sáng và/hoặc cơ cấu khởi động của nửa đèn điện có thể thay thế được một cách dễ dàng.
CHÚ THÍCH 3: Đối với công nghệ phóng điện qua khí, thành phần balát không thay thế được và cũng không được sử dụng mỗi lần để thay thế nguồn sáng.
3.3.10
Bóng đèn hai đầu dùng để thay thế (double-capped retrofit lamp)
Bóng đèn dạng ống dùng công nghệ thay thế cho công nghệ huỳnh quang và có thể được sử dụng như sự thay thế cho bóng đèn huỳnh quang hai đầu mà không yêu cầu bất kỳ sửa đổi bên trong nào trong đèn điện và, sau khi lắp đặt, duy trì ở cùng mức an toàn của bóng đèn được thay thế trong đèn điện.
CHÚ THÍCH: Sự thay thế tắc te chớp sáng theo IEC 60115 bằng tắc te thay thế dùng cho LED có cùng kích thước và thích hợp đối với chức năng điều chỉnh của bóng đèn LED có hai đầu, không được coi là sửa đổi về đèn điện.
3.3.11
Bóng đèn không có điện cực (electrodeless lamp)
Bóng đèn phóng điện qua khí mà trong đó năng lượng cần thiết để phát sáng được truyền từ bên ngoài bóng đèn đến khí bên trong thông qua trường điện hoặc trường từ.
3.3.12
Thiết bị cần thử nghiệm (equipment-under-test)
EUT
Thiết bị thuộc phạm vi áp dụng của tiêu chuẩn này phải chịu các thử nghiệm sự phù hợp (đánh giá sự phù hợp) về EMC (phát xạ).
VÍ DỤ: EUT có thể là đèn điện kể cả (các) bóng đèn, bóng đèn balát lắp liền, chuỗi dây đèn hoặc môđun.
CHÚ THÍCH: Xem thêm Hình 2.
[NGUỒN: CISPR 16-2-3:2016, 3.1.14, có sửa đổi - Sửa đổi định nghĩa và bổ sung ví dụ và chú thích 2).
3.3.13
Bóng đèn (lamp)
Khối có chứa một hoặc nhiều nguồn sáng và một hoặc hai đầu đèn tiêu chuẩn để ghép.
3.3.14
Nguồn sáng LED (LED light source)
Thiết bị có chứa một LED hoặc tập hợp các LED được dùng cho mục đích chiếu sáng.
3.3.15
Nguồn sáng (light source)
Thiết bị phát ra ánh sáng được tạo ra bằng cách chuyển đổi điện năng.
CHÚ THÍCH: Thiết bị chiếu sáng phát ra ánh sáng trong phạm vi chiều dài sóng nhìn thấy được từ 400 nm đến 780 nm.
[NGUỒN: IEC 60050-845:1987, 845-07-01, có sửa đổi - Làm rõ định nghĩa và bổ sung chú thích].
3.3.16
Thiết bị chiếu sáng (lighting equipment)
Thiết bị có thể được sử dụng như một khối độc lập để chiếu sáng khung cảnh, vật thể hoặc môi trường xung quanh các vật thể sao cho chúng có thể được nhìn thấy và các modul được thiết kế để sử dụng trong hoặc với thiết bị này hoặc cơ cấu lắp ráp của thiết bị.
CHÚ THÍCH: Ví dụ về thiết bị chiếu sáng là đèn điện, bóng đèn có balát lắp liền, bóng đèn ELV và các mođun được sử dụng cho mục đích chiếu sáng, chiếu sáng đường/đèn pha được thiết kế để sử dụng ngoài trời, thiết bị chiếu sáng được lắp đặt trong hoặc trên các phương tiện giao thông mà không thuộc phạm vi áp dụng của CISPR 12.
[NGUỒN: IEC 60050-845:1987, 845-09-01, có sửa đổi - Làm rõ định nghĩa]
3.3.17
Đèn điện (luminaire)
Thiết bị chiếu sáng phân phối, lọc hoặc truyền ánh sáng phát ra từ một hoặc nhiều bóng đèn hoặc nguồn sáng và bao gồm tất cả các bộ phận cần thiết để đỡ, cố định và bảo vệ các bóng đèn, nhưng không bao gồm bản thân bóng đèn và trong trường hợp cần thiết còn bao gồm các mạch điện phụ trợ cùng với các phương tiện nối chúng với nguồn, kể cả bộ điều khiển, khối điều khiển, đi cáp, vỏ và lắp đặt.
CHÚ THÍCH: Định nghĩa này lấy từ định nghĩa TCVN 7722-1 (TCVN 60598-1). Trong tiêu chuẩn này, đèn điện không bao gồm bóng đèn, trừ khi bóng đèn là bộ phận tích hợp. Tuy nhiên, đối với mục đích thử nghiệm phát xạ của tiêu chuẩn này, đèn điện luôn luôn chứa bóng đèn hoặc nguồn sáng hoặc tải điện trở.
[NGUỒN: IEC 60598-1:2014, 1.2.1, có sửa đổi - Làm rõ định nghĩa]
3.3.18
Môđun (Module)
Bộ phận điện tử hoặc điện thực hiện chức năng cụ thể hoặc các chức năng của ứng dụng chiếu sáng và có thể có nguồn tần số radio, được thiết kế cho ứng dụng trong đèn điện hoặc trong hệ thống lắp đặt bởi người sử dụng cuối và được thiết kế để được bán riêng rẽ với thiết bị hoặc hệ thống chiếu sáng.
CHÚ THÍCH: Ví dụ: bóng đèn có balát lắp liền, tắcte, bộ điều khiển bóng đèn, bộ điều chỉnh độ sáng gắn tường, khối điều khiển, môđun LED.
3.3.19
Thiết bị cần thử nghiệm thụ động (passive EUT)
Thiết bị, mà bản chất và đặc tính vật lý vốn có của nó ví dụ như việc không có thành phần tích cực và biến đổi nhanh hoặc đóng cắt dòng điện hoặc điện áp, không có khả năng tạo ra hoặc góp phần vào việc phát xạ điện từ vượt quá mức cho phép của việc thu tần số radio như dự kiến.
CHÚ THÍCH 1: EUT thụ động ít có khả năng sinh ra nhiễu điện từ. Xem 6.2.
CHÚ THÍCH 2: Điốt chính lưu lưới điện và tắc te điện tử chỉ hoạt động trong giai đoạn khởi động được coi là thành phần thụ động.
3.3.20
Bóng đèn ELV bị hạn chế (restricted ELV lamp)
Bóng đèn điện áp cực thấp có các hạn chế đặc biệt về loại nguồn điện và/hoặc chiều dài cáp có thể dùng cho bóng đèn, do nhà chế tạo cung cấp hoặc quy định.
CHÚ THÍCH: Bóng đèn ELV không có mô tả chi tiết về các hạn chế là bóng đèn không bị hạn chế.
3.3.21
Bóng đèn có balát lắp liền (self-ballasted lamp)
Cụm lắp liền có nguồn sáng và các thành phần bổ sung có thể cần thiết để khởi động và đảm bảo vận hành ổn định nguồn sáng mà nếu tháo rời thì sẽ bị hỏng vĩnh viễn và được nối với đui đèn hoặc với đèn điện thông qua một hoặc hai đầu đèn tiêu chuẩn theo IEC 60061-1.
CHÚ THÍCH 1: Thành phần nguồn sáng của bóng đèn có balát lắp liền không thể thay thế được.
CHÚ THÍCH 2: Đối với công nghệ “phóng điện qua khí”, thành phần balát là bộ phận của bóng đèn có balát lắp liền; nó không phải là bộ phận của đèn điện.
CHÚ THÍCH 3: Thuật ngữ “bóng đèn có balát lắp liền” được sử dụng là thuật ngữ chung cho thiết kế tất cả bóng đèn mà có thể vận hành độc lập các phụ kiện hoặc thiết bị phụ trợ bên ngoài khác, ngoại trừ đui đèn. Điều này bao gồm cả các công nghệ phóng điện qua khi cũng như các công nghệ LED và OLED.
[NGUỒN: IEC 60598-1:2014,1.2.59, có sửa đổi - Làm rõ định nghĩa. Sửa đổi nội dung của chú thích 2 và chú thích 3 và xóa chú thích 4]
3.3.22
Nửa đèn điện (semi luminaire)
Cơ cấu (đôi khi được gọi là bộ phối hợp) được trang bị, trên một phía, có hệ thống đầu đèn tiêu chuẩn để cho phép lắp vào đui đèn tiêu chuẩn, phía còn lại, có đui đèn cho phép lắp nguồn sáng thay thế được với đầu đèn.
3.3.23
Thiết bị phát xạ UV và IR (UV and IR radiation equipment)
Thiết bị phát xạ quang làm việc ở bước sóng nằm trong khoảng từ 780 nm đến 1 mm hoặc từ 1 nm đến 400 nm.
VÍ DỤ: Ví dụ như các thiết bị được sử dụng cho y tế, chăm sóc thẩm mỹ và gia nhiệt tức thời.
[NGUỒN: IEC 60050-731:1991 và sửa đổi 1:2016, 731-01-05 và 731-01-06, có sửa đổi - Đã kết hợp các định nghĩa]
3.4 Thuật ngữ và định nghĩa liên quan đến giao diện và cổng
3.4.1
Giao diện cấp nguồn điện xoay chiều (AC electric power supply interface)
Điểm kết nối đến lưới điện xoay chiều.
3.4.2
Giao diện truyền thông/dữ liệu/mạng (communication/data/network interface)
Điểm kết nối dùng cho truyền dữ liệu và tín hiệu được thiết kế để nối liên kết hệ thống phân tán rộng khắp qua phương tiện tương tự như kết nối đến mạng viễn thông nhiều người sử dụng (ví dụ như mạng nội bộ giống Ethernet, token ring, v.v...).
3.4.3
Giao diện điều khiển (control interface)
Điểm mà tại đó dây dẫn hoặc cáp được gắn vào thiết bị chiếu sáng dùng cho mục đích điều khiển chức năng của thiết bị.
3.4.4
Giao diện cấp nguồn điện một chiều (DC electric power supply interface)
Điểm kết nối với lưới điện một chiều bên ngoài.
3.4.5
Giao diện cấp nguồn điện (electric power supply interface)
Điểm kết nối tại đó dây dẫn hoặc cáp mang điện năng sơ cấp cần thiết cho hoạt động (vận hành) của thiết bị chiếu sáng được kết nối và qua đó nhiễu dẫn điện từ cũng có thể kết hợp với môi trường điện từ.
CHÚ THÍCH: Có thể nối cáp với giao diện này để truyền điện từ hệ thống phân phối điện lưới một chiều và/hoặc xoay chiều có cấu trúc liên kết sao cho nhiễu điện từ kết hợp dễ dàng với môi trường điện từ.
3.4.6
Cổng vỏ (enclosure port)
Giao diện giả không dây không chú ý của thiết bị chiếu sáng qua đó nhiễu điện từ có thể bức xạ vào môi trường.
CHÚ THÍCH 1: Dựa vào IEC 61000-6-3:2006/AMD1:2010, 3.1.2.
CHÚ THÍCH 2: Giao diện giả có thể gồm có ví dụ như mạch ghép và lỗ hổng trong vỏ kim loại vật lý, và cả các chiều dài giới hạn của từng giao diện có dây của nó. Điển hình trong dải tần cao hơn 30 MHz, một phần ba bước sóng của chiều dài của giao diện có dây có thể góp phần vào nhiễu bức xạ. Do đó, giao diện giả này cũng bao gồm cả giao diện có dây tới thiết bị phụ, được thiết kế để nối với cáp có chiều dài nhỏ hơn 3 m.
3.4.7
Giao diện về điện (electrical interface)
Điểm kết nối của thiết bị mà tại đó dây dẫn hoặc cáp được gắn vào dùng cho các mục đích khác nhau ví dụ như cấp nguồn, điều khiển hoặc truyền thông.
Ví DỤ: Xem Hình 3.
3.4.8
Đất chức năng (functional earth)
Đầu nối của thiết bị được thiết kế để kết nối với dây dẫn nối đất bên ngoài đối với mục đích chức năng và/hoặc tương thích điện từ.
3.4.9
Giao diện tải (load interface)
Điểm kết nối của thiết bị chiếu sáng cung cấp năng lượng điện cho hạng mục khác của thiết bị chiếu sáng.
3.4.10
Cổng có dây nội bộ (local wired port)
Giao diện của thiết bị chiếu sáng, nối trực tiếp với các cáp mà cáp này không được nối với mạng và có chiều dài lớn hơn hoặc bằng 3 m, hoặc cáp được nối gián tiếp với mạng thông qua thiết bị phụ.
VÍ DỤ: ví dụ như: giao diện cấp điện của bóng đèn ELV, giao diện của bộ điều khiển dùng để nối cáp tải dài (≥ 3 m), giao diện điều khiển của bộ cảm biến dùng để nối với cáp điều khiển ngắn (< 3 m) với đèn điện cấp nguồn xoay chiều, Xem Phụ lục D về các ví dụ.
CHÚ THÍCH: Cổng này có thể phát xạ nhiễu điện từ.
3.4.11
Mạng (network)
Hệ thống lắp đặt điện gồm thiết bị và cáp nối liên kết hoặc hệ thống có dây dùng cho việc truyền và phân bố điện năng, tín hiệu điện dùng cho việc truyền dữ liệu hoặc truyền thông hoặc tương tự.
3.4.12
Cổng (port)
Loại giao diện cụ thể của EUT cung cấp đường ghép nối cho nhiễu điện từ từ EUT vào trong môi trường điện từ riêng biệt đối với loại đó.
CHÚ THÍCH: Cổng vỏ có thể gồm các giao diện có dây khác, có chiều dài nhỏ hơn 3 m (xem 3.4.6).
Hình 1 - EMC-cổng của EUT
3.4.13
Đất bảo vệ (protective earth)
Đầu nối thiết bị được thiết kế để nối với dây dẫn bên ngoài dùng cho việc bảo vệ chống điện giật trong trường hợp có sự cố.
3.4.14
Cổng mạng có dây (wired network port)
Giao diện có dây của thiết bị chiếu sáng, nối với cáp mà cáp được nối trực tiếp với một mạng và qua đó nhiễu dẫn điện từ có thể được nối với mạng đó.
3.5 Thuật ngữ viết tắt
| AAN | artificial asymmetrical network | mạng giả không đối xứng |
| AC | alternating current | dòng điện xoay chiều |
| AE | associated equipment | thiết bị kết hợp |
| AMN | artificial mains network | mạng nguồn giả |
| AuxEq | auxiliary equipment | thiết bị phụ |
| CDNE | Coupling Decoupling Network Emission | phát xạ của mạng ghép khử ghép |
| CISPR | International Special Committee on Radio Interference | ban kỹ thuật đặc biệt về miễn nhiễm tần số radio |
| CM | common mode | phương thức chung |
| CP | current probe | đầu đo dòng điện |
| CVP | capacitive voltage probe | đầu đo điện áp kiểu điện dung |
| dB | decibel | deciben |
| DC | direct current | dòng điện một chiều |
| DALI | Digital Addressable Lighting Interface | giao diện chiếu sáng địa chỉ số hóa |
| DM | differential mode | phương thức vi sai |
| E | earth terminal | đầu nối đất |
| ELV | extra-low voltage | điện áp cực thấp |
| EMC | electromagnetic compatibility | tương thích điện từ |
| EUT | equipment under test | thiết bị cần thử nghiệm |
| FAR | fully anechoic room | phòng hấp thụ hoàn toàn |
| FE | functional earth | đất chức năng |
| GHz | gigahertz | gigahéc |
| GU10 | glass U-shaped housing and cap of a multifaceted reflector (MR) light bulb | vỏ kính hình chữ U và đầu của bóng đèn phản xạ đa diện (MR) |
| Hz | hertz | héc |
| IEC | International Electrotechnical Commission | ủy ban kỹ thuật điện quốc tế |
| IEV | International Electrotechnical Vocabulary | từ vựng kỹ thuật điện quốc tế |
| IR | infrared | hồng ngoại |
| ISM | industrial, scientific and medical | công nghiệp, khoa học và y tế |
| ISN | impedance stabilization network | mạng ổn định trở kháng |
| ITE | information tachnology equipment | thiết bị công nghệ thông tin |
| ITU | International Telecommunication Union | liên hiệp viễn thông quốc tế |
| kHz | kilohertz | kilohéc |
| L | line | pha |
| LAN | local area network | mạng nội bộ |
| LED | light emitting diode | điốt phát quang |
| LLAS | large loop antenna system | hệ thống anten vòng lớn |
| MHz | megahertz | megahéc |
| µA | microampere | microampe |
| µF | microfarad | microfara |
| µV | microvolt | microvôn |
| N | neutral | trung tính |
| N.A | not applicable | không áp dụng được |
| nf | nanofarad | nanofara |
| OATS | open area test site | khu vực thử nghiệm ngoài trời |
| OLED | organic light emitting diode | điốt phát quang hữu cơ |
| PE | protective earth | đất bảo vệ |
| PWM | pulse width modulation | điều chế độ rộng xung |
| RF | radio frequency | tần số radio |
| RGP | reference-ground plane | mặt phẳng nền chuẩn |
| SAC | semi anechoic chamber | buồng bán hấp thụ |
| SSL | solid state light | chiếu sáng rắn |
| TEM | transverse electromagnetic | ống dẫn sóng điện từ ngang |
| TR | technical report | báo cáo kỹ thuật |
| UV | ultraviolet | cực tím |
Hình 2 - Mô tả đặc điểm chung về các định nghĩa của thiết bị thử nghiệm, thiết bị phụ trợ, thiết bị phụ, thiết bị kết hợp đối với EUT và môi trường thử nghiệm/đo (các định nghĩa được nêu trong TCVN 6989-2-3 (CISPR 16-2-3))
Các yêu cầu đối với EUT được nêu trong điều này dựa trên cơ sở về ba cổng EMC cơ bản có thể có để có thể áp dụng cho từng giao diện EUT: cổng vỏ, cổng mạng có dây và cổng có dây nội bộ. Phân loại cổng và việc áp dụng giới hạn đối với từng giao diện có thể có của EUT được quy định tại Điều 5 và Điều 6.
Giới hạn nhiễu được quy định đối với các kiểu cụ thể của bộ tách sóng, nghĩa là bộ tách sóng tựa đỉnh hoặc bộ tách sóng trung bình (xem quy định kỹ thuật của máy thu đo CISPR trong CISPR 16-1-1). Nếu giới hạn áp dụng được trên một dải tần cụ thể được quy định cho cả bộ tách sóng tựa đỉnh và cả bộ tách sóng trung bình, miễn là mức nhiễu của EUT được đo bằng bộ tách sóng tựa đỉnh đáp ứng các giới hạn trung bình thì EUT phải được coi là đáp ứng cả hai giới hạn và không cần thực hiện phép đo theo bộ tách sóng trung bình đối với dải tần đó.
Trong trường hợp có thể áp dụng phương pháp khác có các giới hạn liên quan thì báo cáo thử nghiệm phải nêu rõ phương pháp được sử dụng và giới hạn được áp dụng.
CHÚ THÍCH: Giới hạn trong tiêu chuẩn này đã được xác định dựa trên cơ sở xác suất. Trong trường hợp ngoại lệ. yêu cầu phải có các điều khoản bổ sung.
Các giới hạn và phương pháp đo trong 4.3, 4.4 và 4.5 đối với đặc tính nhiễu radio được cho dưới dạng hàm số của dải tần. Không cần thực hiện các phép đo tại các tần số không quy định giới hạn.
4.3 Giới hạn và phương pháp đánh giá cổng mạng có dây
4.3.1 Giao diện cấp nguồn điện
Giới hạn và phương pháp đo đối với việc đánh giá điện áp nhiễu dẫn tại đầu nối giao diện cấp nguồn điện AC hoặc DC trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz được cho trong Bảng 1.
Bảng 1 - Giới hạn điện áp nhiễu tại giao diện cấp nguồn điện
| Dải tần | Giới hạna dBµV | Phương pháp | |
| Tựa đỉnh | Trung bình |
| |
| 9 kHz đến 50 kHz | 110 | - | CISPR 16-2-1 và 8.3 |
| 50 kHz đến 150 kHz | 90 đến 80b | - | |
| 150 kHz đến 0,5 MHz | 66 đến 56b | 56 đến 46b | |
| 0,5 MHz đến 5,0 MHz | 56c | 46c | |
| 5 MHz đến 30 MHz | 60 | 50 | |
| a Áp dụng giới hạn thấp hơn tại các tần số chuyển tiếp b Giới hạn giảm tuyến tính theo logarit của tần số từ 50 kHz đến 150 kHz và từ 150 kHz đến 0,5 MHz c Đối với thiết bị chiếu sáng có lắp bóng đèn không điện cực chuyên dụng, trong dải tần từ 2,2 MHz đến 3,0 MHz áp dụng các giới hạn tựa đỉnh 73 dBµV và trung bình 63 dBµV. | |||
4.3.2 Giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn điện
Giới hạn và phương pháp đo đối với việc đánh giá điện áp nhiễu dẫn tại giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn điện trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz được cho Bảng 2 và Bảng 3.
Có thể áp dụng phương pháp và giới hạn kết hợp từ Bảng 2 hoặc Bảng 3 để chứng minh sự phù hợp.
Bảng 2 - Giới hạn điện áp nhiễu ở giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn điện
| Dải tần (MHz) | Giới hạn dBµV | Phương pháp | |
| Tựa đỉnh | Trung bình | CISPR 16-2-1 và 8.4 | |
| 0,15 đến 0,50 | 84 đến 74 | 74 đến 64 | |
| 0,50 đến 30 | 74 | 64 | |
| CHÚ THÍCH 1: Giới hạn giảm tuyến tính theo logarit của tần số trong dải tần từ 0,15 MHz đến 0,5 MHz. CHÚ THÍCH 2: Giới hạn điện áp nhiễu được lấy để sử dụng với mạng giả không đối xứng (AAN), mạng này đưa ra trở kháng phương thức chung (phương thức không đối xứng) là 150 Ω cho giao diện được đo. | |||
Bảng 3 - Giới hạn dũng điện nhiễu tại giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn điện
| Dải tần (MHz) | Giới hạn dBµA | Phương pháp | |
| Tựa đỉnh | Trung bình | CISPR 16-2-1 và 8.4 | |
| 0,15 đến 0,50 | 40 đến 30 | 30 đến 20 | |
| 0,50 đến 30 | 30 | 20 | |
| CHÚ THÍCH 1: Giới hạn giảm tuyến tính theo logarit của tần số trong dải tần từ 0,15 MHz đến 0,5 MHz. CHÚ THÍCH 2: Giới hạn dòng điện nhiễu được lấy để sử dụng trở kháng phương thức chung (phương thức không đối xứng) là 150 Ω. Do đó, hệ số chuyển đổi được đặt là 20 log(150) = 44 dBΩ. | |||
4.4 Giới hạn và phương pháp đo để đánh giá cổng có dây nội bộ
Tiêu chuẩn này phân biệt giữa hai loại “cổng có dây nội bộ". Hai loại này là:
a) Giao diện EUT nối gián tiếp với mạng, qua thiết bị phụ (thiết bị này gồm giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV);
b) Giao diện EUT không được nối trực tiếp hoặc gián tiếp với mạng và có thể được nối với cáp có chiều dài lớn hơn hoặc bằng 3 m.
Đối với hai loại “cổng có dây nội bộ” này, như đã liệt kê ở trên, các giới hạn đối với nhiễu dẫn được quy định trong điều này.
Giới hạn và phương pháp đo đối với việc đánh giá điện áp nhiễu dẫn của cổng có dây nội bộ trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz được cho trong Bảng 1, Bảng 4, Bảng 5 và Bảng 6.
Giới hạn và phương pháp áp dụng được cho giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV được cho trong Bảng 1 và Bảng 4, đối với lần lượt bóng đèn ELV bị hạn chế và không bị hạn chế, cùng các yêu cầu bổ sung đối với phương pháp thử nghiệm trong 6.4.7.
Bảng 4 - Giới hạn điện áp nhiễu của cổng có dây nội bộ: giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV bị hạn chế
| Dải tần | Giới hạn a c d dBµV | Phương pháp | |
| Tựa đỉnh | Trung bình | CISPR 16-2-1 và A.5.1 | |
| 9 kHz đến 50 kHZ 50 kHz đến 150 kHz 150 kHz đến 0,5 MHz 0,5 MHz đến 5,0 MHz 5,0 MHz đến 3,0 MHz | 136 116 đến 106b 92 đến 82b 82 86 | - - 82 đến 72b 72 76 | |
| a Áp dụng giới hạn thấp hơn tại các tần số chuyển tiếp. b Giới hạn giảm tuyến tính theo logarit của tần số từ 50 kHz đến 150 kHz và từ 150 kHz đến 0,5 MHz. c Áp dụng giới hạn trong bảng này nếu không áp dụng bộ suy giảm 26 dB (xem Hình A.3). d Giới hạn điện áp nhiều đối với bóng đèn ELV bị hạn chế được cho trong Bảng 1 (xem 6.4.7). | |||
Giới hạn và phương pháp cho trong Bảng 5 hoặc Bảng 6 phải được áp dụng cho cổng có dây nội bộ không phải giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV.
Bảng 5 - Giới hạn điện áp nhiễu tại cổng có dây nội bộ: cổng có dây nội bộ không phải giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV
| Dải tần MHz | Giới hạn dBµV a | Phương pháp | |
| Tựa đỉnh | Trung bình | CISPR 16-2-1 (phương pháp đầu đo điện áp) xem 8.5.2.2 | |
| 0,15 đến 0,50 | 80 | 74 | |
| 0,50 đến 30 | 74 | 64 | |
| a Áp dụng giới hạn thấp hơn tại các tần số chuyển tiếp. | |||
Bảng 6 - Giới hạn dòng điện nhiễu tại cổng có dây nội bộ: cổng có dây nội bộ không phải giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV
| Dải tần MHz | Giới hạn dBµA | Phương pháp | |
| Tựa đỉnh | Trung bình | CISPR 16-2-1 Xem 8.5.2.3 | |
| 0,15 đến 0,50 0,50 đến 30 | 40 đến 30 30 | 30 đến 20 20 | |
| CHÚ THÍCH 1: Giới hạn giảm tuyến tính theo logarit của tần số trong dải từ 0,15 MHz đến 0,5 MHz. CHÚ THÍCH 2: Giới hạn dòng điện nhiễu được lấy để sử dụng trở kháng phương thức chung (phương thức không đối xứng) là 150 Ω và hệ số chuyển đổi được đặt là 20 log(150) = 44 dBΩ. | |||
4.5 Giới hạn và phương pháp đánh giá cổng vỏ
4.5.1 Yêu cầu chung
Điều này đưa ra các giới hạn nhiễu bức xạ đối với cổng vỏ dưới dạng hàm số của dải tần.
4.5.2 Dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz
Giới hạn nhiễu trường bức xạ trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz được cho trong Bảng 8 và Bảng 9.
Giới hạn trong Bảng 8 được thể hiện dưới dạng dòng điện đo được trong hệ thống anten vòng lớn (LLAS) như quy định trong CISPR 16-1-4. Dòng điện này là dòng điện đo theo mức trường từ xung quanh EUT. Giới hạn này, áp dụng cho bộ tách sóng tựa đỉnh của máy thu đo CISPR, được đưa ra đối với ba kích thước hệ thống thống anten vòng lớn khác nhau trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz.
Phạm vi kích thước lớn nhất của EUT đối với từng đường kính của ba anten vòng được cho trong Bảng 7.
Đối với kích thước EUT lớn hơn 1,6 m, có thể áp dụng các giới hạn cho trong Bảng 9 kết hợp với phương pháp đo anten vòng trường từ được quy định trong 9.3.3.
Giới hạn trong Bảng 8 và Bảng 9 đưa ra các lựa chọn khác nhau. Trong tình trạng bất kỳ, nếu cần xác nhận kết quả đo ban đầu thì phương pháp đo được chọn ban đầu phải được sử dụng để đảm bảo tính nhất quán của các kết quả. Báo cáo thử nghiệm phải nêu rõ phương pháp được sử dụng và giới hạn được áp dụng.
Bảng 7 - Kích thước EUT lớn nhất có thể được sử dụng để thử nghiệm bằng LLAS có các đường kích khác nhau
| Kích thước lớn nhất của EUT, D m | Đường kính anten vòng m |
| D ≤ 1,6 | 2 |
| D ≤ 2,6 | 3 |
| D ≤ 3,6 | 4 |
Bảng 8 - Giới hạn nhiễu bức xạ LLAS trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz
| Dải tần | Giới hạn tựa định đối với ba đường kính vòng dBµA/m | Phương pháp | ||
| 2 m | 3 m | 4 m | CISPR 16-2-3 và 9.3.2 | |
| 9 kHz đến 70 kHz 70 kHz đến 150 kHz 150 kHz đến 3,0 MHz 3,0 MHz đến 30 MHz | 88 88 đến 58a 58 đến 22 a b 22 | 81 81 đến 51a 51 đến 15 a b 15 đến 16c | 75 75 đến 45a 45 đến 9 a b 9 đến 12c | |
| a Giảm tuyến tính theo logarit của tần số. b Đối với thiết bị chiếu sáng có lắp bóng đèn không có điện cực chuyên dụng, giới hạn trong dải tần từ 2,2 MHz đến 3,0 MHz là 58 dBµA đối với đường kính vòng 2 m, 51 dBµA đối với đường kính vòng 3 m và 45 dBµA đối với đường kính bằng 4 m. c Tăng tuyến tính theo logarit của tần số. | ||||
4.5.3 Dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz
Giới hạn nhiễu trường bức xạ và phương pháp đo trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz được cho trong Bảng 10 theo giá trị tựa đỉnh của thành phần trường điện.
Bảng 10 cùng cấp các lựa chọn khác nhau. Trong tình trạng bất kỳ, nếu cần xác nhận kết quả đo ban đầu thì phương pháp đo được chọn ban đầu phải được sử dụng để đảm bảo tính nhất quán của các kết quả. Báo cáo thử nghiệm phải nêu rõ phương pháp được sử dụng và giới hạn được áp dụng.
Bảng 9 - Giới hạn nhiễu bức xạ anten vòng trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz đối với thiết bị có kích thước > 1,6 m
| Dải tần MHz | Giới hạn tại khoảng cách 3 m Tựa đỉnh dBµA/m | Phương pháp |
| 0.009 đến 0,070 | 69 | 9.3.3 |
| 0,070 đến 1,150 | 69 đến 39 b | |
| 0,150 đến 4,0 | 39 đến 3 a b | |
| 4,0 đến 30 | 3 | |
| a Đối với thiết bị chiếu sáng có lắp bóng đèn không điện cực chuyên dụng, giới hạn trong dải tần từ 2,2 MHz đến 3,0 MHz là 39 dBµA/m. b Giới hạn giảm tuyến tính theo logarit của tần số | ||
Bảng 10 - Giới hạn nhiễu bức xạ và phương pháp đo kết hợp trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz
| Phương pháp thử nghiệm a | Tham chiếu g | Dải tần MHz | Giới hạn tựa đỉnh d |
| OATS hoặc SAC Tại khoảng cách 10 m | CISPR 16-2-3 | 30 đến 230 230 đến 1 000 | 30 dBµV/m 37 dBµV/m |
| OATS hoặc SAC Tại khoảng cách 3 m | CISPR 16-2-3 | 30 đến 230 230 đến 1 000 | 40 dBµV/m 47 dBµV/m |
| FAR Tại khoảng cách 3m | CISPR 16-2-3 | 30 đến 230 230 đến 1 000 | 42 đến 35 e dBµV 42 dBµV |
| TEM-ống dẫn sóng điện từ ngang b | IEC 61000-4-20 | 30 đến 230 230 đến 1 000 | 30 dBµV 37 dBµV |
| Phương pháp CDNE c,f | CISPR 16-2-1 | 30 đến 100 100 đến 200 200 đến 300 | 64 đến 54 e dBµV 54 dBµV 54 đến 51 e dBµV |
| a Có thể áp dụng phương pháp hoặc giới hạn kết hợp bất kỳ để chứng minh sự phù hợp. b Phương pháp TEM-ống dẫn sóng điện từ ngang được giới hạn với các EUT không gắn cáp và có kích thước lớn nhất theo 6.2 của IEC 61000-4-20 (kích thước lớn nhất của vỏ bằng một bước sóng 300 mm tại tần số đo 1 GHz). c Phương pháp CDNE và giới hạn kết hợp lên đến 300 MHz chỉ có thể áp dụng được cho các EUT có tần số xung nhịp thấp hơn hoặc bằng 30 MHz. Trong trường hợp này, sản phẩm được xem là phù hợp với các yêu cầu nằm trong khoảng 300 MHz đến 1 000 MHz. Giới hạn CDNE nằm trong khoảng từ 200 MHz đến 300 MHz được quy định trong Bảng 10 là nghiêm ngặt hơn các giới hạn được cho trong CISPR 15:2013. Lượng dư tăng (lên đến 10 dB tại 300 MHz) đã được áp dụng trong khoảng từ 200 MHz đến 300 MHz. Nếu thử nghiệm CDNE bị lỗi thì vẫn có thể áp dụng phương pháp và giới hạn kết hợp bất kỳ khác. d Áp dụng giới hạn thấp hơn tại các tần số chuyển tiếp. e Giảm tuyến tính theo logarit của tần số. f Không áp dụng giới hạn kích thước EUT của CISPR 16-2-1. Đối với phương pháp CDNE, kích thước lớn nhất của EUT là 3 m x 1 m x 1 m (I x w x h). Chỉ áp dụng các hạn chế CDNE cho EUT và không áp dụng cho hệ thống có dây hoặc kích thước tổng của hệ thống cần thử nghiệm, xem Hình 2. g Xem thêm 9.3.4. | |||
Việc áp dụng các giới hạn đối với EUT được cho trong điều này. Hướng dẫn/yêu cầu bổ sung đối với việc áp dụng các giới hạn để quy định kiểu EUT được cho trong Điều 6. Xem Hình 4.
Điều kiện hoạt động chung đối với EUT được cho trong Điều 7. Phương pháp đo đối với nhiễu dẫn và nhiễu bức xạ được quy định trong Điều 8 và Điều 9.
5.2 Nhận biết giao diện phải chịu thử nghiệm
Nếu EUT không thuộc một trong số các phân loại được quy định trong Điều 6 thì các trường hợp thử nghiệm áp dụng được đối với các giao diện EUT khác nhau phải được đưa ra như sau.
Trước tiên, đặc tính vật lý liên quan đến EMC của EUT và các giao diện có dây của nó cần được xác định; xem Hình 3 về hướng dẫn. Đối với lần lượt từng giao diện có dây, thì phải đưa ra một quyết định rằng nó có được nối với mạng theo cách trực tiếp hoặc gián tiếp hay không. Khi biết được các kiểu giao diện và kết nối thì từng giao diện được chỉ định cho một trong số ba cổng EMC tiêu chuẩn như được nêu chi tiết dưới đây:
• cổng vỏ;
• cổng mạng có dây;
• cổng có dây nội bộ.
Sau đó phải lựa chọn phương pháp thử nghiệm, bố trí thử nghiệm kết hợp và các giới hạn áp dụng được cho lần lượt từng giao diện, phụ thuộc vào phân loại cổng và yêu cầu tại 5.3.
5.3 Áp dụng các giới hạn cho giao diện
5.3.1 Quy định chung
Sơ đồ luồng miêu tả quy trình quyết định đối với việc áp dụng các giới hạn được cho trên Hình 4.
5.3.2 Yêu cầu về nhiễu dẫn đối với cổng mạng có dây
5.3.2.1 Yêu cầu về nhiễu dẫn đối với giao diện cấp nguồn điện
Giới hạn điện áp nhiễu và phương pháp đo giao diện cấp nguồn điện trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz được cho trong Bảng 1.
Áp dụng các giới hạn này đối với giao diện cấp nguồn được nối trực tiếp với mạng cấp nguồn (Hình 4)
5.3.2.2 Yêu cầu về nhiễu dẫn đối với giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn
Các giới hạn được quy định trong điều này áp dụng cho giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn được nối trực tiếp với mạng (xem Hình 4).
Giới hạn điện áp nhiễu và phương pháp đo của giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn (ví dụ như dùng cho truyền thông hoặc truyền dữ liệu) trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz được cho trong Bảng 2 đối với việc sử dụng với mạng giả không đối xứng (ANN). Nếu không có sẵn mạng ghép dùng cho giao diện không đáng tin cậy thì phải áp dụng các giới hạn dòng điện nhiễu cho trong Bảng 3 bằng cách sử dụng phương pháp đo dòng điện cho trong 8.4.
5.3.3 Yêu cầu về nhiễu dẫn đối với cổng có dây nội bộ
Các giới hạn này áp dụng cho các kiểu giao diện (Hình 4):
1) được nối gián tiếp với mạng thông qua thiết bị khác, kể cả giao diện cấp nguồn của bóng đèn ELV;
2) không được nối với mạng và có chiều dài cáp lớn hơn hoặc bằng 3 m.
Đối với cổng có dây cục bổ không phải giao diện cấp nguồn của bóng đèn ELV, phải áp dụng giới hạn điện áp nhiễu hoặc dòng điện nhiễu được cho trong Bảng 5 hoặc Bảng 6 bằng cách sử dụng phương pháp đo cho trong 8.5.2.2 và 8.5.2.3. Phương pháp đo và giới hạn áp dụng được đối với giao diện cấp nguồn của bóng đèn ELV được mô tả trong 6.4.7.
CHÚ THÍCH: Giao diện không được nối với một mạng và có chiều dài cáp ngắn hơn 3 m được đánh giá qua thử nghiệm cổng vỏ. Tuy nhiên, giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV thường phải chịu thử nghiệm phát xạ nhiễu dẫn, theo 6.4.7.
5.3.4 Yêu cầu về nhiễu bức xạ đối với cổng vỏ
5.3.4.1 Dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz
Áp dụng các giới hạn nhiễu trường phát xạ trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz (Bảng 8 hoặc Bảng 9) cho cổng vỏ của EUT. Tuy nhiên, EUT cần được thử nghiệm đối với phát xạ bức xạ chỉ trong khoảng từ 9 kHz đến 30 MHz, nếu ứng dụng, kết cấu hoặc công nghệ của EUT có thể gây ra momen lưỡng cực từ. Trong trường hợp có nghi ngờ, hoặc nếu không có thông tin này thì thử nghiệm được coi là hoàn thành. Mômen lưỡng cực từ thu được nếu dòng điện nhiễu đáng kể đang chạy trong vòng lặp bao quanh bề mặt lớn, (nhưng không giới hạn cho) ví dụ như trong các trường hợp sau:
- nhà chế tạo cho phép giao diện có dây bên ngoài được nối với EUT bằng cáp một ruột dẫn;
- EUT áp dụng hệ thống có dây một ruột dẫn bên trong và nối liên kết riêng rẽ (hoặc các đường mạch PCB) để tạo ra mạch vòng và lưỡng cực từ kết hợp;
- các EUT áp dụng các công nghệ truyền điện cảm ứng.
VÍ DỤ: Đèn điện có đường dây cấp nguồn riêng biệt; bóng đèn không có điện cực có truyền điện cảm ứng và đèn điện nạp lại được có lắp bộ truyền điện cảm ứng được coi là thiết bị có mômen lưỡng cực từ lớn. Nguồn sáng LED được cấp điện một chiều và đèn điện có balát dây quấn từ tính 50 Hz hoặc 60 Hz là ví dụ về thiết bị chiếu sáng được coi là có mômen lưỡng cực rất nhỏ và do đó không cần thử nghiệm.
Nếu EUT không thể sinh ra mômen lưỡng cực từ lớn thì không yêu cầu thử nghiệm và EUT được coi là phù hợp với giới hạn nhiễu trường bức xạ trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz.
5.3.4.2 Dải tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz
EUT phải được đánh giá về phát xạ bức xạ trong dải tần từ 30 MHz đến 1 000 MHz bằng cách thử nghiệm theo một trong các phương pháp trong Bảng 10.
Khi sử dụng phương pháp CDNE và tất cả các tần số xung nhịp của EUT thấp hơn hoặc bằng 30 MHz thì sản phẩm được coi là phù hợp với các yêu cầu nằm trong khoảng từ 300 MHz đến 1 000 MHz nếu phát xạ phù hợp với giới hạn trong giải tần từ 30 MHz đến 300 MHz như quy định trong Bảng 10.
5.3.5 Nhiều giao diện có cùng kiểu
Trong trường hợp EUT có nhiều hơn một giao diện có cùng kiểu thì chúng phải được lựa chọn để thử nghiệm như dưới đây:
• nếu có nhiều giao diện tương tự được nối với cùng một thẻ hoặc môđun thì có thể cấp nhận một trong số các giao diện này;
• trong trường hợp có các cổng có cùng một loại trên các thẻ hoặc môđun khác nhau thì có thể chấp nhận một cổng điền hình trên mỗi loại thẻ hoặc mỗi loại môđun.
Có thể áp dụng thử nghiệm trên cho phép đo phát xạ dẫn chỉ trên cổng mạng và cổng có dây nội bộ.
Báo cáo thử nghiệm phải chỉ ra cổng được đánh giá. Tất cả các giao diện và cổng còn lại được coi là phù hợp với giới hạn áp dụng được trong tiêu chuẩn này với điều kiện là tuân thủ các yêu cầu trên theo cách lựa chọn cổng để thử nghiệm và đưa ra tất cả các cổng được thử nghiệm đã được chứng minh là phù hợp với giới hạn áp dụng được của tiêu chuẩn này.
5.3.6 Giao diện có thể được phân loại là loại nhiều cổng
Nếu một giao diện thỏa mãn định nghĩa của nhiều loại cổng được nêu trong tiêu chuẩn này thì giao diện này phải chịu các yêu cầu áp dụng cho từng loại cổng mà nó thỏa mãn.
VÍ DỤ: Cáp mạng cấp nguồn có thể được chỉ ra là cả cổng mạng có dây mạng (kết nối Ethernet) và cả cổng có dây nội bộ (cấp điện một chiều). Đối với cổng mạng có dây (kết nối Ethernet), áp dụng giới hạn trong Bảng 2 hoặc Bảng 3. Đối với cổng có dây nội bộ (cấp điện một chiều) áp dụng giới hạn trong Bảng 5 hoặc Bảng 6. Trong trường hợp này, giới hạn dòng điện nhiễu của Bảng 3 và Bảng 6 là như nhau. Giới hạn điện áp nhiễu trong Bảng 2 và Bảng 5 là chênh lệch nhỏ hơn 0,5 MHz do phương pháp khác nhau. Trong ví dụ này, giới hạn đối với loại cổng này cơ bản là giống nhau. Công suất trên băng thông rộng và truyền thông trên đường dây tải điện là ví dụ khác mà trong đó giao diện đang được xem xét có thể được phân loại là loại cổng mạng có dây khác (4.3).
6 Yêu cầu áp dụng giới hạn đối với sản phẩm cụ thể
Điều này bao gồm các yêu cầu áp dụng giới hạn đối với các loại thiết bị chiếu sáng cụ thể và phải được sử dụng cùng với các yêu cầu chung của Điều 5. Điều 5 áp dụng cho thiết bị không được liệt kê trong Điều 6 (ô quyết định đầu tiên trên Hình 4).
Ứng dụng quy định sản phẩm lưu ý liên quan đến việc thiết lập phép đo hoặc điều kiện làm việc cụ thể được cho trong Phụ lục A.
EUT thụ động được coi làm đáp ứng các yêu cầu của tiêu chuẩn này mà không cần thử nghiệm thêm. Ví dụ về các thiết bị này gồm: đèn điện phù hợp dùng cho bóng đèn nung sáng hoặc bóng đèn có balát lắp liền, máy biến áp dùng cho bóng đèn nung sáng hoặc bóng đèn có balát lắp liền không điều chỉnh điện áp bằng các thành phần điện tử tích cực, đèn điện chỉ được lắp LED và thành phần thụ động. Điốt chỉnh lưu nguồn lưới được coi là thành phần thụ động.
CHÚ THÍCH: Trong tiêu chuẩn này ở những chỗ dùng thuật ngữ "bóng đèn nung sáng", thì có nghĩa là tất cả các loại bóng đèn nung sáng kể cả bóng đèn halogen.
VÍ DỤ: Bóng đèn nung sáng thường là thiết bị thụ động, mặc dù cần lưu ý rằng một vài kiểu bóng đèn nung sáng có sợi nung sáng rất dài có thể sinh ra nhiễu quá mức.
EUT có bộ điều khiển điện từ có thể được coi là chỉ có các thành phần thụ động. Tuy nhiên do các đặc tính vật lý của bóng đèn phóng điện nên yêu cầu phải đánh giá thêm. Thiết bị này phải phù hợp với giới hạn điện áp nhiễu tại đầu nối giao diện cấp nguồn điện cho trong Bảng 1. Tuy nhiên, đèn điện dùng cho bóng đèn phóng điện chỉ có bộ điều khiểu khiển thụ động và có lắp tụ điện điều chỉnh hệ số công suất hoặc tụ khử (ở tối thiểu 47 nF) chạy qua đầu nối nguồn lưới được coi là phù hợp với các yêu cầu của tiêu chuẩn này mà không cần đo. Có thể đạt được sự phù hợp bằng cách xem xét.
6.3.1 Quy định chung
Chuỗi đèn ví dụ như chuỗi đèn giáng sinh, dây đèn, được sử dụng cho các ứng dụng khác nhau cả trong nhà và ngoài trời trong khu vực chung hoặc khu vực chiếu sáng hiệu ứng. Căn cứ vào ứng dụng và kết cấu, có thể áp dụng nguồn sáng hoặc công nghệ bóng đèn khác nhau, ví dụ như bóng đèn nung sáng hoặc bóng đèn LED. Bộ điều khiển dùng cho chuỗi đèn có thể là độc lập hoặc được kết hợp. Cũng có thể có chuỗi đèn không có bộ điều khiển.
6.3.2 Yêu cầu đối với chuỗi đèn
Chuỗi đèn có các thành phần điện tử đóng cắt tích cực phải phù hợp với giới hạn điện áp nhiễu tại đầu nối nguồn lưới cho trong Bảng 1 và phù hợp với giới hạn nhiễu bức xạ cho trong Bảng 8 hoặc Bảng 9 nếu thuộc đối tượng áp dụng, và trong Bảng 10.
Thiết lập và bố trí thử nghiệm được quy định trong Điều A.3.
6.4.1 Quy định chung
Điều này quy định về cách định hình một hệ thống cần thử nghiệm trong trường hợp EUT là một môđun được thiết kế để được bán riêng rẽ với thiết bị hoặc hệ thống chiếu sáng và do đó được sử dụng bởi người sử dụng cuối cùng trong thiết bị hoặc hệ thống chiếu sáng.
Có thể phân biệt được các kiểu môđun khác nhau, ví dụ như EUT có thể là (Hình 5):
• Môđun thay thế được, ví dụ như bóng đèn có balát lắp liền, bóng đèn ELV hoặc tắc te;
• Môđun bên ngoài, ví dụ như bộ điều khiển hoặc bộ mồi độc lập, bộ điều chỉnh độ sáng gắn tường hoặc bộ điều khiển từ xa;
• Môđun bên trong, ví dụ như bộ điều khiển;
• Môđun lắp đặt, ví dụ như nguồn sáng, bộ phối hợp hoặc thẻ giao diện mạng.
Môđun bên trong, lắp đặt, thay thế được hoặc bên ngoài phải được đánh giá với tối thiểu một hệ thống chủ đại điện như thiết bị phụ.
(Các) cổng của môđun bất kỳ cần đánh giá phải được đấu nối theo 7.9. Chức năng của hệ thống chủ phải là đặt trưng cho môđun cần đánh giá phải được sử dụng trong suốt phép đo. Môđun được xem là đáp ứng các yêu cầu của tiêu chuẩn này trong một hệ thống chủ đại diện thì được coi là đáp ứng các yêu cầu của tiêu chuẩn này khi được sử dụng trong hệ thống chủ bất kỳ. Hệ thống chủ và môđun được sử dụng trong phép đo phải được liệt kê trong báo cáo thử nghiệm.
Nhà chế tạo môđun phải chỉ định hệ thống chủ hoặc kiểu đèn điện và mạch kết hợp phù hợp và đại diện cho việc sử dụng cùng với môđun. Điều này phải được dựa vào việc phân tích các ứng dụng điển hình khác nhau có thể có đối với môđun cụ thể sao cho hệ thống chủ được chọn là đại diện sử dụng điển hình về các nhiễu giảm nhẹ từ môđun đang được xem xét.
Nhiễu từ chính thiết bị phụ (kể cả hệ thống chủ) phải đủ thấp hơn mức giới hạn áp dụng được.
Yêu cầu đối với các kiểu môđun cụ thể được cho từ 6.4.3 đến 6.4.10.
6.4.2 Môđun có nhiều ứng dụng
Môđun có chức năng và kết nối cho phép môđun có thể thay thế được, bên trong, lắp đặt và/hoặc bên ngoài phải được thử nghiệm theo từng cấu hình ứng dụng của môđun. Nếu có thể cho thấy rằng một cấu hình cụ thể đưa ra tình trạng xấu nhất thì thử nghiệm theo cấu hình này là đủ để thể hiện sự phù hợp.
6.4.3 Môđun bên trong
Đối với môđun bên trong, khả năng ứng dụng các giới hạn được xác định bằng cách sử dụng quy trình cho trong 5.3. Quy trình đó phải được áp dụng cho từng giao diện của máy chủ có thể bị ảnh hưởng bởi phát xạ (dẫn hoặc bức xạ) được sinh ra bởi môđun cần thử nghiệm. Đối với các giao diện của hệ thống chủ không được thử nghiệm thì báo cáo thử nghiệm phải bao gồm lý do tại sao giao diện đó được coi là không bị ảnh hưởng bởi phát xạ được sinh ra bởi môđun cần thử nghiệm.
Hệ thống chủ có môđun là EUT, được thử nghiệm như đèn điện phù hợp Điều B.6 (Hình B.1b) và Điều C.4 (Hình C.4) hoặc thiết lập CDNE theo CISPR 16-2-1.
6.4.4 Môđun bên ngoài
Đối với môđun bên ngoài, khả năng áp dụng của các giới hạn được xác định bằng cách sử dụng quy trình được cho trong 5.3 đối với từng giao diện của môđun.
CHÚ THÍCH: Đối với môđun bên ngoài, máy chủ được áp dụng là thiết bị phụ. Nhiễu được đo tại đầu nối của EUT (môđun cần thử nghiệm). Xem ví dụ của Điều D.3 (Trường hợp 1 - ứng dụng 2).
Môđun bên ngoài là EUT được đo riêng rẽ để đảm bảo rằng thiết bị phụ (máy chủ) không biến đổi kết quả phép đo (không tác động lẫn nhau). Chi tiết về bố trí của môđun bên ngoài được cho trong Điều B.6 (Hình B.2) và Điều C.4 (Hình C.5) hoặc thiết lập CDNE theo CISPR 16-2-1.
6.4.5 Bóng đèn một đầu có balát lắp liền
Bóng đèn một đầu có balát lắp liền phải phù hợp với các giới hạn điện áp nhiễu tại đầu nối điện lưới cho trong Bảng 1 và phù hợp với giới hạn nhiễu bức xạ cho trong Bảng 8 hoặc Bảng 9, nếu thuộc đối tượng áp dụng và trong Bảng 10.
Việc thiết lập và bố trí thử nghiệm đối với bóng đèn một đầu có balát lắp liền được quy định trong Điều A.1.
6.4.6 Bóng đèn hai đầu có balát lắp liền, bộ phối hợp của bóng đèn hai đầu, nửa đèn điện hai đầu và bóng đèn hai đầu dùng để thay thế được sử dụng trong đèn điện có bóng đèn huỳnh quang
Bóng đèn hai đầu có balát lắp liền, bộ phối hợp của bóng đèn hai đầu, nửa đèn điện hai đầu và bóng đèn hai đầu dùng để thay thế được sử dụng trong đèn điện có bóng đèn huỳnh quang phải phù hợp với các giới hạn điện áp dùng cho giao diện cấp nguồn điện cho trong Bảng 1 và với giới hạn nhiễu bức xạ cho trong Bảng 8 hoặc Bảng 9, và trong Bảng 10 nếu thuộc đối tượng áp dụng.
Phương pháp thử nghiệm được quy định trong Điều A.4.
6.4.7 Bóng đèn ELV
Bóng đèn ELV phải phù hợp với một trong các yêu cầu sau:
a) Bóng đèn có điện áp cực thấp (ELV) không bị hạn chế (xem 3.3.20), được thiết kế để nối với mạng
ELV đối xứng, phải phù hợp với các điện áp nhiễu dẫn của cổng có dây nội bộ trong Bảng 4 tại giao diện ELV, đo theo phương pháp được quy định tại A.5.1 và phù hợp với giới hạn nhiễu bức xạ trong Bảng 8 hoặc Bảng 9 và Bảng 10 nếu thuộc đối tượng áp dụng, đo theo phương pháp được quy định tại A.5.2.
CHÚ THÍCH 1: Tổn hao xen của bộ điều khiển được áp dụng thường là 26 dB dựa trên các phép đo mô hình thực tế.
CHÚ THÍCH 2: Cần đặc biệt thận trọng để máy thu đo không bị quá tải.
CHÚ THÍCH 3: Việc thêm vào 26 dB là không áp dụng cho đánh giá nhiễu bức xạ.
b) Bóng đèn ELV bị hạn chế (xem 3.3.20) phải phù hợp với các giới hạn điện áp nhiễu điện lưới trong Bảng 1, được đo theo phương pháp quy định của A.5.1 và phù hợp với giới hạn nhiễu bức xạ trong Bảng 8 hoặc Bảng 9, và trong Bảng 10 nếu thuộc đối tượng áp dụng, được đo theo phương pháp quy định của A.5.2.
CHÚ THÍCH 4: Bóng đèn ELV có mạch điện tử tích cực không được thiết kế đối với kết nối với mạng ELV không đối xứng.
6.4.8 Nửa đèn điện một đầu
Nửa đèn điện một đầu phải phù hợp với các yêu cầu nêu trong Điều 5, với bóng đèn điển hình thỏa mãn các yêu cầu về tải như quy định trong 7.4.
Nửa đèn điện một đầu phải được bố trí, thiết lập và đo như bóng đèn có balát lắp liền. Phương pháp thử nghiệm được quy định trong Điều A.1.
6.4.9 Bộ mồi độc lập
Bộ mồi độc lập dùng cho bóng đèn huỳnh quang và bóng đèn phóng điện khác phải phù hợp với giới hạn điện áp nhiễu điện lưới trong Bảng 1, và được thử nghiệm trong mạch điện như mô tả tại Điều A.6.
6.4.10 Tắcte thay thế được dùng cho bóng đèn huỳnh quang
Nếu tắcte thay thế được có các thành phần điện từ tích cực thì tắc te phải phù hợp với giới hạn điện áp nhiễu điện lưới trong Bảng 1, khi tắc te được sử dụng và thử nghiệm theo máy chủ liên quan, nghĩa là đèn điện một bóng đèn được trang bị bóng đèn có thông số công suất lớn nhất mà tắc te được thiết kế. Nhà chế tạo phải quy định trong sổ tay vận hành về kiểu đèn điện và (các) mạch kết hợp phù hợp để sử dụng với tắc te. Máy chủ có tắc te thay thế được như EUT được thử nghiệm như đèn điện theo Điều B.5.
Nếu tắc te thay thế được lắp tụ điện có giá trị nằm trong khoảng từ 0,005 µF đến 0,02 µF và tụ điện được nối song song với các chân tiếp xúc của tắc te thì tụ điện được coi là phù hợp với yêu cầu của tiêu chuẩn này mà không cần thử nghiệm.
7 Điều kiện làm việc và thử nghiệm của EUT
Khi cần thực hiện các phép đo nhiễu của EUT, thiết bị phải được cho làm việc trong các điều kiện quy định tại các điều từ 7.2 đến 7.9.
EUT cần được thử nghiệm được giao nhận bởi nhà chế tạo, trong điều kiện làm việc bình thường, ví dụ như đã cho trong TCVN 7722-1 (IEC 60598-1) đối với đèn điện.
Áp dụng thêm các điều kiện đặc biệt có thể có được cho trong Điều 8 và Điều 9 đối với các phương pháp đo khác nhau, nếu thích hợp.
Không xét đến nhiễu gây ra do thao tác một thiết bị đóng cắt bằng tay hay tự động (lắp bên ngoài hoặc lắp kèm thiết bị) để nối hoặc cắt nguồn. Điều này bao gồm thao tác đóng/cắt bằng tay hoặc, ví dụ, thiết bị đóng cắt tác động bằng cảm biến hoặc bằng máy thu có điều khiển nhấp nhô. Tuy nhiên, trong ngoại lệ này không kể đến những thiết bị đóng cắt thường được tác động nhiều hơn một lần trong thời gian 10 giây (ví dụ như thiết bị đóng cắt của biển hiệu quảng cáo) (xem 7.5).
Điện áp nguồn nằm trong khoảng ± 2 % điện áp danh định. Trong trường hợp của dải điện áp, phải tiến hành phép đo trong phạm vi ± 2 % từng điện áp nguồn chuẩn của dải được cho trong IEC 60038. Tần số của nguồn điện lưới phải là tần số danh định dùng cho thiết bị. EUT có thể được cho làm việc từ nguồn cấp dòng điện một chiều hoặc xoay chiều, phải được đo trong cả hai điều kiện đó.
Nếu dải tần danh định bao gồm cả 50 Hz và 60 Hz thì phải thực hiện phép đo tại 50 Hz hoặc tại 60 Hz. Phát xạ tại các tần số nguồn lưới khác được đề cập trong phép đo này.
7.4 Tải bóng đèn danh định và điều chỉnh ánh sáng
Nếu EUT có dải tải bóng đèn thì chỉ đo với tải bóng đèn danh định lớn nhất.
Nếu EUT có khả năng giảm công suất đầu ra (điều chỉnh độ sáng) thì nhiễu trường điện của EUT phải được đo tại công suất đầu ra ánh sáng lớn nhất và nhỏ nhất.
Bộ điều chỉnh độ sáng theo pha được cho làm việc ở chế độ đặt xấu nhất như được xác định trong quá trình thử nghiệm sơ bộ.
Nếu EUT có khả năng được sử dụng ở các chế độ làm việc khác nhau, ví dụ như nháy sáng, chiếu sáng động, liên lạc bằng điều biến ánh sáng, thay đổi màu sắc, khẩn cấp, nạp điện, v.v..., thì phải thực hiện các phép đo ở chế độ làm việc xấu nhất.
CHÚ THÍCH: Có thể sử dụng chế độ nạp nhiều bằng một số công nghệ pin/acquy trong quá trình nạp, nghĩa là nhanh, từ từ, chờ, PWM v.v... đối với các ứng dụng trong đèn pin, chiếu sáng khẩn cấp, v.v....
Việc xác định chế độ làm việc xấu nhất bằng cách quét trước mỗi chế độ làm việc ít nhất một lần lặp lại của từng chế độ cụ thể.
Phép đo phải được tiến hành trong điều kiện phòng thí nghiệm bình thường. Nhiệt độ môi trường phải nằm trong dải từ 15 °C đến 30 °C hoặc trong dải quy định bởi nhà chế tạo trong sổ tay hướng dẫn vận hành nếu có hạn chế thêm.
7.7.1 Loại bóng đèn được sử dụng trong thiết bị chiếu sáng
Phép đo nhiễu của thiết bị chiếu sáng phải được thực hiện với bóng đèn được thiết kế cho thiết bị chiếu sáng.
Khi thiết bị chiếu sáng có lắp nhiều bóng đèn thì tất cả các bóng đèn này phải được cho làm việc cùng một lúc.
7.7.2 Thời gian già hóa
(Các) nguồn sáng hoặc (các) bóng đèn là bộ phận của EUT phải là các khối ổn định. Một vài công nghệ nguồn sáng cần thời gian già hóa tối thiểu để đạt được trạng thái mà trong đó đặc tính tính năng của nó ổn định đối với mục đích của thử nghiệm này.
Nếu không có quy định nào khác trong tiêu chuẩn này hoặc được quy định bởi nhà chế tạo thì phải áp dụng thời gian già hóa dưới đây:
- 2 h đối với công nghệ nung sáng;
- 100 h đối với công nghệ phóng điện.
Đối với công nghệ LED và OLED, không yêu cầu thời gian già hóa từ điểm quan sát thử nghiệm EMC.
Trước khi đo, EUT bao gồm (các) nguồn sáng hoặc (các) bóng đèn là (các) bộ phận của EUT, phải được làm việc cho đến khi đạt được sự ổn định. Nếu không có qui định nào khác trong tiêu chuẩn này hoặc qui định của nhà chế tạo, thì phải tuân thủ thời gian ổn định sau:
- 15 min đối với các EUT không có công nghệ phóng điện qua khí;
- 30 min đối với các EUT có công nghệ phóng điện qua khí;
7.9 Hoạt động và tải của giao diện có dây
7.9.1 Quy định chung
Giao diện hoặc kết nối được ấn định là cổng có dây phải được cho làm việc với hệ thống đi dây và tải điển hình hoặc đầu nối phù hợp với quy định kỹ thuật của nhà chế tạo. Giao thức truyền bất kỳ được yêu cầu phải là điển hình đối với việc sử dụng bình thường và như quy định của nhà chế tạo.
7.9.2 Giao diện được thiết kế để truyền tín hiệu hoặc dữ liệu liên tục
Nếu giao diện được thiết kế dùng cho việc truyền tín hiệu liên tục (ví dụ như PWM) thì việc truyền tín hiệu phải làm việc trong quá trình đo ở tất cả các cổng của EUT. Việc truyền tín hiệu hoặc dữ liệu liên tục có thể được yêu cầu để duy trì tình trạng (ví dụ như mức điều chỉnh độ sáng) của EUT hoặc của thiết bị được nối với EUT.
7.9.3 Giao diện không được thiết kế dùng cho việc truyền tín hiệu hoặc dữ liệu liên tục
Nếu việc truyền không liên tục hoặc việc truyền dữ liệu liên tục là không cần thiết để duy trì tình trạng của EUT (ví dụ như lệnh điều chỉnh độ sáng gửi qua giao thức DALI) thì không áp dụng việc truyền liên tục trong quá trình thử nghiệm.
7.9.4 Tải
Tải của EUT phải được đặt như sau:
- giao diện tải phù hợp đối với cả bóng đèn nung sáng và cả thiết bị chiếu sáng loại khác (ví dụ như bóng đèn có balát lắp liền) phải được thử nghiệm với tải điện trở không cảm ứng;
CHÚ THÍCH: Bóng đèn nung sáng cũng được coi là tải điện trở không cảm ứng.
- giao diện tải chỉ phù hợp với thiết bị chiếu sáng không phải là bóng đèn nung sáng, phải được thử nghiệm với thiết bị chiếu sáng thích hợp như quy định của nhà chế tạo.
Yêu cầu mức tải được cho trong 7.4.
Điều này quy định các phương pháp đo, bố trí EUT và quy trình liên quan đến các phép đo nhiễu dẫn và bao gồm cả các yêu cầu cụ thể được ưu tiên hơn các yêu cầu được cung cấp trong tiêu chuẩn cơ bản. Chi tiết về các bố trí EUT cụ thể đối với phép đo nhiễu dẫn được cho trong Phụ lục B.
8.2 Thiết bị và phương pháp đo
Nhiễu dẫn tại các điểm khác nhau phải được đo bằng cách áp dụng thiết bị đo, khu vực thử nghiệm, quy trình và phương pháp như được chỉ ra trong các tiêu chuẩn tham chiếu của Bảng 11.
Bảng 11 - Tổng quan về phương pháp đo chuẩn về nhiễu dẫn
| Giao diện | Giới hạn | Dải tần | Tham chiếu |
| Giao diện cấp nguồn điện | Bảng 1 | 9 kHz đến 30 MHz | CISPR 16-1-1 (máy thu đo) CISPR 16-1-2 (thiết bị phụ trợ: AMN) CISPR 16-2-1 (Phương pháp đo) |
| Giao diện mạng có dây không phải là giao diện cấp nguồn điện (ví dụ như để truyền thông hoặc truyền dữ liệu) | Bảng 2 | 150 kHz đến 30 MHz | CISPR 16-1-1 (máy thu đo) CISPR 16-1-2 (ANN, CVP) CISPR 16-2-1 và 8.4 (Phương pháp đo) |
| Bảng 3a | 150 kHz đến 30 MHz | CISPR 16-1-1 (máy thu đo) CISPR 16-1-2 (đầu đo dòng điện) CISPR 16-2-1 và 8.4 (Phương pháp đo) | |
| Cổng có dây nội bộ - giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV | Bảng 1 hoặc Bảng 4 | 9 kHz đến 30 MHz | CISPR 16-1-1 (máy thu đo) CISPR 16-1-2 (thiết bị phụ trợ: AMN) CISPR 16-2-1 và A.5.1 (Phương pháp đo) |
| Cổng có dây nội bộ - không phải giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV | Bảng 5 | 150 kHz đến 30 MHz | CISPR 16-1-1 (máy thu đo) CISPR 16-1-2 (đầu đo điện áp) CISPR 16-2-1 và 8.5.2.2 (Phương pháp đo) |
| Bảng 6 | 150 kHz đến 30 MHz | CISPR 16-1-1 (máy thu đo) CISPR 16-1-2 (đầu đo dòng điện) CISPR 16-2-1 và 8.5.2.3 (Phương pháp đo) | |
| a Phụ thuộc vào cổng EUT cần thử nghiệm và phụ thuộc vào phương pháp thử nghiệm được chọn, giới hạn áp dụng theo Bảng 2 hoặc Bảng 3 hoặc cả hai. | |||
Ngoài các yêu cầu được nêu trong tiêu chuẩn cơ bản, áp dụng các yêu cầu dưới đây đối với bố trí và quy trình đo EUT.
8.3 Phép đo nhiễu của giao diện cấp nguồn điện
Phép đo điện áp nhiễu phải được thực hiện theo phương pháp CISPR 16-2-1 tại giao diện cấp nguồn điện của EUT bằng mạch điện và bố trí được mô tả trong Phụ lục B đối với kiểu thiết bị liên quan. Phải sử dụng mạng nguồn giả-V 50 Ω/50 µH + 5 Ω thỏa mãn các yêu cầu của CISPR 16-1-2 ở cả hai dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz và 150 kHz đến 30 MHz.
8.4 Phép đo nhiễu của giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn điện
Phép đo nhiễu điện áp tại giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn điện (ví dụ như dùng để truyền thông hoặc truyền dữ liệu) phải được thực hiện bằng phương thức mạng giả không đối xứng (AAN) như quy định trong CISPR 32. AAN phải liên kết với mặt phẳng nền chuẩn (xem Phụ lục B). Áp dụng phương pháp đo quy định trong CISPR 16-2-1.
Phép đo nhiễu dòng điện tại giao diện mạng có dây không phải cấp nguồn điện (ví dụ như dùng để truyền thông hoặc truyền dữ liệu) phải được thực hiện bằng đầu đo dòng điện (CP) được quy định trong CISPR 16-2-1. Đầu đo dòng điện phải phù hợp với 5.1 của CISPR 16-1-2:2014
Ngoài ra, phép đo đầu đo điện áp và dòng điện kết hợp có thể được áp dụng bằng cách sử dụng giới hạn của cả Bảng 2 và Bảng 3 và phương pháp CVP/CP kết hợp được mô tả trong C.4.1.6.4 của CISPR 32:2015.
CHÚ THÍCH: Chỉ đo được nhiễu phương thức chung sinh ra, vì trong thực tế, nhiễu sinh ra từ tín hiệu điều khiển phương thức vi sai được bỏ qua.
8.5 Phép đo nhiễu của cổng có dây nội bộ
8.5.1 Nguồn cấp điện của bóng đèn ELV
Phương pháp đo nhiễu dẫn tại giao diện cấp nguồn điện của bóng đèn ELV được quy định tại A.5.1.
8.5.2 Không phải nguồn cấp điện của bóng đèn ELV
8.5.2.1 Quy định chung
Phương pháp đo nhiễu dẫn tại cổng có dây nội bộ khác với giao diện ELV của bóng đèn ELV phải theo CISPR 16-2-1 và các điều sau.
8.5.2.2 Phương pháp đo bằng đầu đo điện áp
Khi đầu đo điện áp được sử dụng để đo nhiễu điện áp tại cổng có dây nội bộ, phải áp dụng mạch đo được thể hiện trên Hình B.2. Xem thêm B.3.5.
Điện áp được đo giữa từng dây đơn lẻ của cáp trên cổng có dây nội bộ và đất.
Đầu đo điện áp phải như được chỉ ra trong 5.2 của CISPR 16-1-2:2014.
Kết quả phép đo phải hiệu chỉnh theo phân áp giữa đầu đo và máy đo. Trong hiệu chỉnh này, chỉ tính đến phần điện trở của trở kháng.
Chiều dài của cáp đồng trục giữa đầu đo và máy thu đo không được lớn hơn 2 m.
8.5.2.3 Phương pháp đo bằng đầu đo dòng điện
Khi sử dụng đầu đo dòng điện để đo nhiễu dẫn trên cổng có dây nội bộ thì phải áp dụng mạch đo như thể hiện trên Hình B.2. Xem thêm B.3.5.
Đầu đo dòng điện phải phù hợp với 5.1 của CISPR 16-1-2:2014.
Điều này đưa ra các chi tiết về phương pháp đo, bố trí EUT và các quy trình kết hợp với phép đo nhiễu bức xạ và bao gồm cả các yêu cầu cụ thể được ưu tiên hơn các yêu cầu được cung cấp trong tiêu chuẩn cơ bản. Chi tiết về các bố trí EUT cụ thể đối với phép đo nhiễu bức xạ được cho trong Phụ lục C.
9.2 Bộ phát không dây có chủ ý
Nếu bộ phát không dây có chủ ý là bộ phận của EUT thì sự phát xạ từ các bộ phát không dây không được coi là phần của nhiễu bức xạ (xem Điều 1). Điều này được thực hiện bằng cách tắt chức năng không dây của EUT (nếu có thể và nếu nó không bao gồm các phát xạ điển hình không dự kiến) hoặc bằng cách bỏ qua phát xạ bức xạ có chủ ý trong dải tần tương ứng.
CHÚ THÍCH: Đối với bộ phát không dây có chủ ý, Xem xét khả năng áp dụng các quy định cụ thể của quốc gia/lãnh thổ.
9.3 Thiết bị và phương pháp đo
9.3.1 Quy định chung
Nhiễu bức xạ các cổng khác nhau phải được đo bằng cách sử dụng thiết bị đo, khu vực thử nghiệm, quy trình và phương pháp được chỉ ra trong các tiêu chuẩn tham chiếu của Bảng 12.
Bảng 12 - Tổng quan về phương pháp đo nhiễu bức xạ tiêu chuẩn
| Phương pháp | Giới hạn | Dải tần | Tiêu chuẩn tham chiếu |
| LLAS | Bảng 8 | 9 kHz đến 30 kHz | CISPR 16-1-1 (máy thu đo) CISPR 16-1-4 (thiết bị đo: anten và khu vực thử nghiệm) CISPR 16-2-3 (phương pháp đo) |
| Anten vòng | Bảng 9 | 9 kHz đến 30 MHz | CISPR 16-1-1 (máy thu đo) CISPR 16-1-4 (thiết bị đo: anten và khu vực thử nghiệm) 9.3.3 (phương pháp do) |
| OATS/SAC | Bảng 10 | 30 MHz đến 1 GHz | CISPR 16-1-1 (máy thu đo) CISPR 16-1-4 (thiết bị đo: anten và khu vực thử nghiệm) CISPR 16-2-3 (phương pháp đo bức xạ) |
| FAR | Bảng 10 | 30 MHz đến 1 GHz | CISPR 16-1-1 (máy thu đo) CISPR 16-1-4 (thiết bị đo: anten và khu vực thử nghiệm) CISPR 16-2-3 (phương pháp đo) |
| TEM | Bảng 10 | 30 MHz đến 1 GHz | CISPR 16-1-1 (máy thu đo) IEC 61000-4-20 (Phương pháp đo và thiết bị đo) |
| CDNE | Bảng 10 | 30 MHz đến 300 MHz | CISPR 16-1-1 (máy thu đo) CISPR 16-1-2 (thiết bị đo: thiết bị ghép-CDNEs) CISPR 16-2-1 (phương pháp đo CDNE) |
Ngoài các yêu cầu được cho trong tiêu chuẩn cơ bản, áp dụng các yêu cầu dưới đây đối với bố trí EUT và quy trình đo.
9.3.2 Phương pháp đo nhiễu bức xạ LLAS trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz
9.3.2.1 Bố trí EUT
Thành phần từ phải được đo bằng hệ thống anten vòng lớn (LLAS) như mô tả trong CISPR 16-1-4. EUT phải được đặt tại tâm của LLAS như thể hiện trong Phụ lục C của CISPR 16-1-4:2010. Phải áp dụng các yêu cầu về định hướng cáp từ EUT và về vị trí của EUT bên trong LLAS được cho trong CISPR 16-1-4.
Nếu nhà chế tạo cho phép giao diện có dây bên ngoài được nối với EUT bằng cáp một ruột dẫn (mà có thể tạo ra mạch vòng và lưỡng cực từ kết hợp; xem 5.3.4.1) thì EUT phải được thử nghiệm bằng cách định hình từng giao diện trong số các giao diện bên ngoài với hệ thống đi dây một ruột dẫn có mạch vòng hình chữ nhật có diện tích là 1 m2. Có thể sử dụng tấm đỡ của Hình A.6 để thiết lập mạch vòng 1 m2 này. Hệ thống cần thử nghiệm, nghĩa là EUT bao gồm cả các giao diện bên ngoài của nó được bố trí trong một hoặc nhiều mạch vòng 1 m2, phải được bố trí sao cho nó nằm vừa bên trong hình cầu nhỏ nhất có thể tại cùng thời điểm phù hợp với các yêu cầu dưới đây:
- khoảng cách giữa vỏ của EUT và mặt phẳng của giao diện bất kỳ của EUT được bố trí trong mạch vòng có diện tích 1 m2, bằng hoặc lớn hơn 10 cm;
- khoảng cách giữa diện tích mạch vòng của 2 giao diện liền kề bất kỳ của EUT được bố trí trong mạch vòng 1 m2, bằng hoặc lớn hớn 10 cm;
Hình cầu nhỏ nhất có thể bao quanh EUT và các giao diện được bố trí trong mạch vòng có diện tích 1 m2, phải được bố trí với tâm của nó đặt tại tâm của LLAS.
9.3.2.2 Phép đo theo ba hướng
Dòng điện cảm ứng trong LLAS được đo theo 7.2 của CISPR 16-2-3:2016. Bằng thiết bị đóng cắt đồng trục, có thể đo lần lượt ba hướng từ trường của EUT. Kết quả phép đo đối với từng hướng phải phù hợp với các giới hạn.
9.3.3 Phép đo nhiễu bức xạ anten vòng trong dải tần từ 9 kHz đến 30 MHz
Phép đo phải được thực hiện cách anten vòng có kích thước 60 cm một khoảng là 3 m như quy định trong 4.3.2 của CISPR 16-1-4:2010.
Áp dụng các yêu cầu bố trí và phương pháp đo dưới đây:
1) Phép đo phải được thực hiện ở OATS hoặc SAC;
CHÚ THÍCH: Các yêu cầu có hiệu lực đối với các phép đo dưới 30 MHz đang được xây dựng bởi ban kỹ thuật về tương thích điện từ; đối với một số hướng dẫn, xem IEC PAS 62825.
2) Chiều cao của tâm anten vòng nằm phía trên GRP của OATS hoặc SAC phải là 1,3 m;
3) Anten vòng phải được bố trí theo hai vị trí vuông góc với GRP, nghĩa là trục đứng và đồng phẳng đứng;
4) Khoảng cách đo cần được tính giữa tâm của anten vòng và đường biên của EUT;
5) EUT phải được bố trí theo Điều C.4;
6) EUT phải được xoay theo hướng bất kỳ của anten vòng và giá trị lớn nhất được ghi lại đối với từng hướng của anten vòng phải phù hợp với các giới hạn cho trong Bảng 9.
9.3.4 Phép đo nhiễu bức xạ trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz
9.3.4.1 Phương pháp OATS hoặc SAC
Áp dụng yêu cầu về bố trí và phương pháp thử của CISPR 16-2-3 khi thực hiện thử nghiệm bằng cách sử dụng phương pháp bức xạ ở OATS hoặc SAR. Các quy định về bố trí EUT được nêu trong Phụ lục C.
Để nâng cao khả năng tái lập, cần đấu nối cáp nguồn lưới của EUT với CDNE (như đã nêu trong CISPR 16-1-2) được đặt trên mặt phẳng nền chuẩn (nếu áp dụng được) và cổng máy thu đo của CDNE được đấu nối với một trở kháng 50 Ω.
9.3.4.2 Phương pháp FAR
Áp dụng các yêu cầu về bố trí và phương pháp thử của CISPR 16-23 khi thực hiện thử nghiệm bằng cách sử dụng phương pháp bức xạ trong FAR. Các quy định về bố trí EUT được nêu trong Phụ lục C.
Để tăng khả năng tái lập, cần đấu nối cáp nguồn lưới của EUT với CDNE (như đã nêu trong CISPR 16-1-2) được đặt trên mặt phẳng nền chuẩn (nếu áp dụng được) và cổng máy thu đo của CDNE được đấu nối với một trở kháng 50 Ω
9.3.4.3 Phương pháp TEM
Áp dụng các yêu cầu về bố trí và phương pháp thử của IEC 61000-4-20 khi thực hiện thử nghiệm bằng cách sử dụng phương pháp bức xạ trong tế bào TEM.
9.3.4.4 Phương pháp CDNE
Áp dụng các yêu cầu về bố trí và phương pháp thử của CISPR 16-2-1 khi thực hiện thử nghiệm bằng cách sử dụng CDNE.
10 Sự phù hợp với tiêu chuẩn này
Tiêu chuẩn này đưa ra các lựa chọn để đánh giá các đặc tính EMC cụ thể với việc lựa chọn các phương pháp đo, sự phù hợp có thể được thể hiện dựa vào bất kỳ giới hạn được quy định nào bằng cách sử dụng phương pháp đo thích hợp. Trong trường hợp bất kỳ nếu cần đo lại thiết bị để chứng minh sự phù hợp với tiêu chuẩn này thì phương pháp đo được chọn ban đầu phải được sử dụng để đảm bảo tính nhất quán của các kết quả.
CHÚ THÍCH: Nếu thử nghiệm các hạng mục riêng lẻ của thiết bị tạo thành một nhóm thì có khả năng thu được một loạt các kết quả, không phụ thuộc vào độ không đảm bảo đo. Phụ lục E đưa ra thông tin về phương pháp đánh giá thống kê thiết bị được sản xuất hàng loạt.
Cho phép hướng dẫn về việc tính toán độ không đảm bảo đo của thiết bị đo được quy định trong CISPR 16-4-2, và đối với các phép đo này, việc xác định sự phù hợp với các giới hạn trong tiêu chuẩn này phải được tính đến độ không đảm bảo của thiết bị đo theo CISPR 16-4-2. Việc tính toán để xác định kết quả đo và việc điều chỉnh kết quả đo nếu yêu cầu khi độ không đảm bảo đo của phòng thí nghiệm lớn hơn giá trị của UCISPR cho trong CISPR 16-4-2 phải được nêu trong báo cáo thử nghiệm.
Áp dụng các yêu cầu chung của 5.10 trong ISO/IEC 17025:2005 để biên soạn báo cáo thử nghiệm. Chi tiết đầy đủ phải được cung cấp để thuận tiện cho khả năng tái tạo của phép đo. Điều này phải bao gồm các ảnh chụp của EUT và cấu hình phép đo nếu phù hợp.
Báo cáo thử nghiệm phải bao gồm thông tin dưới đây:
- kích thước của EUT;
- phương pháp nhiễu trường bức xạ ở tần số thấp hơn 30 MHz được sử dụng và các giới hạn kết hợp đã được áp dụng;
- phương pháp nhiễu trường bức xạ ở tần số cao hơn 30 MHz được sử dụng và các giới hạn kết hợp đã được áp dụng;
- khi sử dụng phương pháp CDNE để chứng minh sự phù hợp ở tần số 1 GHz, nêu rõ (từ nhà chế tạo) rằng tần số xung nhịp thấp hơn 30 MHz;
- giao diện có dây đã được đánh giá cũng với cổng được chỉ định, phương pháp được sử dụng và giới hạn kết hợp (5.3);
- trong trường hợp của phép đo môđun, mô tả và bố trí của máy chủ và môđun được sử dụng trong phép đo (6.4);
- sự điều chỉnh kết quả thử nghiệm được yêu cầu khi độ không đảm bảo của phòng thử nghiệm lớn hơn giá trị của UCISPR cho trong CISPR 16-4-2;
- độ lệch so với các yêu cầu về chiều dài cáp, trong trường hợp chiều dài cáp không như các yêu cầu khác về chiều dài hoặc kích thước cáp trong bố trí đo (B.2.1).
Hình 3 - EUT và các giao diện vật lý của nó
Hình 4 - Quy trình quyết định về việc áp dụng giới hạn cho EUT
Hình 5 - Ví dụ về hệ thống máy chủ có các loại môđun khác nhau
Lưu ý trong ứng dụng sản phẩm cụ thể liên quan đến bố trí phép đo hoặc điều kiện làm việc cụ thể
A.1 Bóng đèn một đầu có balát lắp liền
A.1.1 Bố trí phép đo nhiễu dẫn
Mạch dùng cho phép đo điện áp nhiễu đối với bóng đèn một đầu được thể hiện trên Hình B.1c.
Bóng đèn được lắp vào đui đèn thích hợp và lắp vào hộp chuẩn hình nón như quy định trong Hình A.2. Hộp hình nón được đặt trên bàn cách RGP một khoảng là 40 cm (xem Hình B.1 và Hình A.3 và Hình A.4) Bóng đèn có balát lắp liền có đầu đèn cổ gài GU10 (IEC 60061-1) cần được lắp vào cơ cấu cố định kiểu kẹp dạng ống dẫn điện, tạo tiếp xúc với đường tròn của hộp hình nón (dẫn điện hoặc không dẫn điện) của bóng đèn GU10 gần với mép như thể hiện trên Hình A.5. Kẹp dạng ống phải có chiều rộng là (9 ± 1) mm. Cơ cấu cố định kiểu kẹp dạng ống cần được nối với đầu nối đất của AMN. kẹp dạng ống dẫn điện cùng với đui đèn thích hợp hoạt động như đèn điện chuẩn dùng cho bóng đèn GU10.
Cáp cấp nguồn nối đầu nối của hộp hình nón hoặc của kẹp dạng ống của GU10 với AMN có chiều dài là 0,8 m. Hộp kim loại hình nón hoặc kẹp dạng ống của GU10 phải được nối với đầu nối đất của AMN.
Bóng đèn một đầu có balát lắp liền có hình dạng đặc biệt không được lắp vào hộp hình nón phải được đo bằng cách sử dụng hộp chuẩn (đèn điện chuẩn) thỏa mãn các yêu cầu đối với hệ thống máy chủ được quy định tại 6.4.1.
A.1.2 Bố trí phép đo nhiễu bức xạ
Bóng đèn một đầu phải được đo khi đã lắp vào đui đèn liên quan.
A.2 Nửa đèn điện
Nửa đèn được phải được đo cùng với bóng đèn thích hợp có công suất lớn nhất cho phép đối với bóng đèn. Sự phối hợp của nửa đèn điện (EUT) và bóng đèn (AuxEq) tạo thành hệ thống cần thử nghiệm và sự phối hợp này phải được thử nghiệm như một bóng đèn một đầu theo Điều A.1
A.3 Chuỗi đèn
A.3.1 Chuẩn bị EUT
Chuỗi đèn (không phải dây điện lưới, nếu áp dụng được) phải được gập lại trên tấm đỡ cách điện như mô tả trên Hình A.6. Tấm đỡ gồm mặt phẳng cách điện hình vuông có kích thước (1 250 x 1 250) mm và hai hàng, mỗi hàng gồm 24 cọc cách điện được bố trí như thể hiện trên Hình A.6. Điểm bắt đầu (đầu nối điện lưới) của chuỗi đèn nằm ở giữa hai hàng về phía bên trái của mặt phẳng. Nếu chiều dài của chuỗi đèn (không phải dây điện lưới) ngắn hơn 1,2 m thì không cần gập trên tấm đỡ và chuỗi đèn phải được xử lý như một đèn điện.
A.3.2 Bố trí phép đo nhiễu dẫn
Giá đỡ cách điện (AuxEq) cùng với chuỗi đèn (EUT) phải được coi là đèn điện và phải bố trí như quy định trong Điều B.5.
A.3.3 Bố trí phép đo nhiễu bức xạ
Giá đỡ cách điện (AuxEq) cùng với chuỗi đèn (EUT) phải được coi là đèn điện và được bố trí như quy định trong C.4.2.
A.4 Bộ phối hợp bóng đèn hai đầu, bóng đèn hai đầu có balát lắp liền, nửa đèn điện hai đầu và bóng đèn hai đầu dùng để thay thế được sử dụng trong đèn điện có bóng đèn huỳnh quang
A.4.1 Đối với ứng dụng trong đèn điện dạng thẳng có bộ điều khiển điện từ
Bộ phối hợp bóng đèn hai đầu, bóng đèn hai đầu có balát lắp liền, nửa đèn điện hai đầu và bóng đèn hai đầu dùng để thay thế phải được đo với thiết bị phụ như quy định trên Hình A.1. EUT được lắp vào đèn điện chuẩn dạng thẳng như quy định trên Hình A.1. Bộ điều khiển điện từ sẵn có của bóng đèn được nối tắt nếu nhà chế tạo quy định trong sổ tay vận hành. Chiều dài của đui đèn phải sao cho khoảng cách giữa mặt ngoài của bóng đèn và mặt phẳng kim loại là (9 ± 1) mm đối với bóng đèn có đường kính ống danh nghĩa nhỏ hơn hoặc bằng 25 mm và (20 ± 1) mm đối với bóng đèn có đường kính ống danh nghĩa lớn hơn 25 mm.
Khối cần thử nghiệm (EUT) phải được đo như chế tạo. Đối với bộ phối hợp bóng đèn hai đầu và nửa đèn điện hai đầu, phải sử dụng bóng đèn phù hợp có công suất lớn nhất cho phép.
Nếu trong sổ tay hướng dẫn vận hành nhà chế tạo yêu cầu sử dụng bộ điều khiển điện từ thì bộ điều khiển điện từ phải đáp ứng TCVN 6479 (IEC 60921) và điện dung ký sinh giữa pha và đất phải nhỏ hơn 2 nF, như được đo tại tần số 1 kHz hoặc thấp hơn. Bộ điều khiển điện từ của bóng đèn trong bố tri phép đo trên Hình A.1 phải được cho nối tắt nếu nhà chế tạo không yêu cầu sử dụng bộ điều khiển điện từ. Đối với phát xạ dẫn, cáp nối các đầu nối tại đèn điện chuẩn với AMN phải phù hợp với yêu cầu được cho trong B.2.1 và đầu nối đất của đèn điện chuẩn phải được nối với đầu nối đất của AMN.
A.4.2 Đối với ứng dụng trong đèn điện dạng thẳng có bộ điều khiển bằng điện tử
Đối với ứng dụng của bộ phối hợp bóng đèn hai đầu, bóng đèn hai đầu có balát lắp liền, nửa đèn điện hai đầu và bóng đèn hai đầu dùng để thay thế trong đèn điện có bộ điều khiển bằng điện từ đang hoạt động, cần phải kiểm tra các yêu cầu bằng cách sử dụng đèn điện máy chủ điển hình hoặc đèn điện chuẩn CISPR TR 30-1 phù hợp với tiêu chuẩn này.
A.4.3 Đối với ứng dụng không phải trong đèn điện dạng thẳng
Bóng đèn hai đầu có balát lắp liền có hình dạng đặc biệt (ví dụ như hình chữ U) không được lắp vào đèn điện chuẩn theo Hình A.1, phải được đo bằng cách sử dụng hộp chuẩn để thỏa mãn các yêu cầu đối với hệ thống máy chủ quy định trong 6.4.1.
A.4.4 Phương pháp đo
EUT trong đèn điện chuẩn (AuxEq) được thử nghiệm như một đèn điện. Hệ thống cần thử nghiệm, bao gồm cả EUT, như thể hiện trên Hình A.1 phải được thử nghiệm đối với cả phép đo điện áp nhiễu được mô tả trong Điều 8 và đối với cả phép đo nhiễu bức xạ điện từ được mô tả trong Điều 9.
A.5 Bóng đèn ELV
A.5.1 Thử nghiệm nhiễu dẫn
Bóng đèn ELV phải được thử nghiệm như sau:
a) Bóng đèn ELV không bị hạn chế: đầu nối điện áp cực thấp của bóng đèn ELV phải được nối với AMN. Phía đầu nối vào điện lưới của AMN được nối với đầu ra của một máy biến áp điện từ thích hợp. Xem Hình A.3.
b) Bóng đèn ELV bị hạn chế: Bóng đèn ELV phải được nối với nguồn điện có cùng model/kiểu như quy định trong sổ tay hướng dẫn vận hành của nhà chế tạo. Sự phối hợp phải được đo bằng cách sử dụng bố trí như thể hiện trên Hình A.4.
Trong cả hai trường hợp trên, bóng đèn ELV được lắp theo mô tả ở A.1.1. Trong cả hai trường hợp, dây liên kết của AMN phải thỏa mãn các yêu cầu trong 5.3 của CISPR 16-2-1:2014
A.5.2 Thử nghiệm nhiễu bức xạ
Phương pháp đo nhiễu bức xạ của bóng đèn ELV (nếu phù hợp; xem 6.4.7) phải thực hiện theo Điều 9. Tuy nhiên, bóng đèn không phải lắp vào hộp kim loại hình nón.
Đối với bất kỳ phương pháp đánh giá nhiễu bức xạ nào đều phải tuân theo quy định sau:
• chỉ đánh giá bóng đèn đối với bóng đèn ELV không bị hạn chế;
• đánh giá cả bóng đèn và cả nguồn cấp điện riêng đối với bóng đèn ELV bị hạn chế.
A.6 Bộ mồi độc lập
Bộ mồi độc lập được đo trong mạch bóng đèn-balát liên quan. Bộ mồi phải được lắp cùng với bóng đèn và balát phù hợp trên tấm vật liệu cách điện có chiều dày là (12 ± 2) mm, tấm vật liệu này được đặt lên tấm kim loại có kích thước rộng hơn một chút so với tấm vật liệu cách điện. Tấm kim loại phải nối tới đất chuẩn của AMN. Nếu thiết bị hoặc balát có đầu nối đất, thì đầu nối này phải nối tới điểm đất chuẩn đó. Tiếp đó, khởi động bóng đèn. Sau thời gian ổn định, đo điện áp đầu nối.
Kích thước tính bằng milimét
Hình A.1 - Đèn điện chuẩn dùng cho bộ phối hợp bóng đèn hai đầu, bóng đèn hai đầu có balát lắp liền, nửa đèn điện hai đầu và bóng đèn hai đầu dùng để thay thế được sử dụng trong bóng đèn huỳnh quang dạng thẳng (xem A.4.1)
Kích thước tính bằng centimét
CHÚ DẪN:
T Ống: đường kính ngoài 1,9 cm, đường kính trong 1,6 cm
LH Đui đèn
EUT Bóng đèn có balát lắp liền cần thử nghiệm
MCH Hộp kim loại hình nón được đục lỗ, ví dụ hình vuông 5 mm
EPSI Giao diện cấp nguồn điện
CHÚ THÍCH 1: Dung sai kích thước: ±1 mm, nếu không có quy định nào khác.
CHÚ THÍCH 2: Để tham khảo tốt, điều chỉnh bóng đèn đến vị trí gần với đui đèn nhất.
CHÚ THÍCH 3: Để tham khảo tốt, đui đèn được làm bằng vật liệu cách điện
Hình A.2 - Hộp kim loại hình nón dùng cho bóng đèn một đầu (Xem A.1.1)
CHÚ DẪN:
PS Nguồn điện (nguồn điện thích hợp, ví dụ như máy biến áp điện từ hoặc nguồn điện nói chung)
L Pha
N Trung tính
PE Đất bảo vệ
AMN Mạng nguồn giả
ELV Điện áp cực thấp
M Máy thu đo CISPR
Bố trí này thể hiện hình chiếu đứng và sử dụng mặt phẳng nền chuẩn ngang. Thiết lập này cũng có thể được sử dụng ở cách mặt phẳng nền chuẩn thẳng đứng một khoảng là 0,4 m (xem CISPR 16-2-1, Điều B.5 và Hình B.3 về chi tiết bố trí). AMN phải được đặt lên trên và liên kết với RGP. Ngoài ra, có thể đặt trên bàn không dẫn điện và liên kết với RGP bằng dây dẫn trở kháng thấp, rất rộng. Ở cả hai trường hợp này, dây liên kết phải thỏa mãn các yêu cầu của 5.3 trong CISPR 16-2-1:2014.
CHÚ THÍCH 1: Nếu sử dụng bộ suy giảm 26 dB thì áp dụng giới hạn cho trong Bảng 1. Nếu không sử dụng bộ suy giảm thì áp dụng giới hạn trong Bảng 4. Xem 6.4.7a). Bộ suy giảm 26 dB nằm giữa AMN và máy thu đo cũng được dùng để để bảo vệ máy thu đo khỏi các mức tín hiệu cao có thể có tại đầu nối ELV.
CHÚ THÍCH 2: Đầu nối đất của cáp mềm không có vỏ bọc giữa AMN và EUT được nối với hộp kim loại hình nón.
Hình A.3 - Bố trí phép đo nhiễu dẫn từ bóng đèn ELV không bị 0hạn chế (xem A.5.1)
Bố trí này thể hiện hình chiếu đứng và sử dụng mặt phẳng nền chuẩn ngang. Thiết lập này cũng có thể được sử dụng cách mặt phẳng nền chuẩn thẳng đứng một khoảng là 0,4 m (xem CISPR 16-2-1, Điều B.5 và Hình B.3 về chi tiết bố trí). AMN phải được đặt lên và liên kết với RGP. Ngoài ra, có thể đặt lên bàn không dẫn điện và liên kết với RGP bằng dây dẫn trở kháng thấp, rất rộng. Ở cả hai trường hợp này, dây liên kết phải thỏa mãn các yêu cầu của 5.3 trong CISPR 16-2-1:2014.
Cáp nối đất giữa AMN và EUT được nối với hộp kim loại hình nón. Nếu PS cũng yêu cầu kết nối PE thì phải nối với PE của AMN
CHÚ DẪN:
PS nguồn điện thích hợp do nhà chế tạo quy định
L Pha
N Trung tính
PE Nối đất bảo vệ
AMN Mạng nguồn giả
ELV Điện áp cực thấp
M Máy thu đo CISPR
Hình A.4 - Bố trí phép đo nhiễu dẫn từ bóng đèn ELV bị hạn chế (xem A.5.1)
CHÚ DẪN:
Gu10 Bóng đèn có balát lắp liền có đầu đèn cổ gài GU10
Hình A.5 - Đèn điện chuẩn có kẹp dạng ống dùng cho bóng đèn có balát lắp liền có đầu đèn cổ gài GU10 (xem A.1.1)
Kích thước tính bằng milimét
CHÚ THÍCH: Tất cả các kích thước có dung sai là 5 %
Hình A.6 - Tấm đỡ để bố trí cáp dài và chuỗi đèn (xem 9.3.2, Điều A.3 và Điều B.3)
Bố trí thử nghiệm đối với phép do nhiễu dẫn
B.1 Quy định chung
Phụ lục này nêu chi tiết hơn về bố trí thử nghiệm đối với phép đo nhiễu dẫn. Phụ lục này đề cập đến các nội dung chi tiết về việc bố trí EUT, cáp, thiết bị phụ và thiết bị phụ trợ (giống như đầu đo).
B.2 Bố trí cáp được nối với giao diện của cổng mạng có dây
B.2.1 Bố trí cáp cấp nguồn
Đầu nối ra của mạng nguồn giả (AMN 50 Ω/50 µH + 5 Ω đáp ứng các yêu cầu được quy định trong CISPR 16-1-2 ở cả dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz và cả dải tần từ 150 kHz đến 30 Mhz) và các đầu nối cấp nguồn của EUT phải được bố trí cách nhau (0,8 ± 0,05) m và phải được nối bằng hai dây dẫn nguồn là cáp mềm ba lõi hoặc hai lõi có chiều dài (0,8 ± 0,05) m.
Nếu cáp cấp nguồn của EUT hai hơn chiều dài cần thiết để nối với AMN thì phần chiều dài cáp vượt quá 0,8 m phải được gập lại để tạo thành bó nằm ngang có chiều dài từ 0,3 m đến 0,4 m.
Nếu chiều dài cáp dùng cho phép đo cần thực hiện, ngắn hơn khoảng cách yêu cầu giữa EUT và AMN thì phải nối dài đến chiều dài cần thiết.
Trong trường hợp có tranh chấp giữa khoảng cách được thể hiện trên các hình vẽ từ Hình B.1 đến Hình B.3 và chiều dài cáp được quy định trong điều này thì ưu tiên giá trị đề cập sau.
Trong các trường hợp cụ thể, như là EUT rất lớn, có thể không có khả năng phù hợp với các yêu cầu chiều dài cáp được nêu ở trên. Trong trường hợp có yêu cầu chênh lệch so với chiều dài cáp cấp nguồn điện được nêu ở trên thì các chênh lệch này cùng với các bằng chứng tương ứng phải được nêu rõ trong báo cáo thử nghiệm.
Nếu cáp nguồn của EUT bao gồm dây nối đất bảo vệ, thì đầu cáp nguồn ngược với EUT của dây dẫn nối đất phải được nối với điểm đất chuẩn của AMN.
Khi có yêu cầu dây nối đất nhưng không nằm trong dây dẫn thì việc đấu nối giữa đầu nối đất của thiết bị và điểm đất chuẩn của AMN phải được thực hiện bằng dây dẫn có độ dài cần thiết để nối với AMN và đi song song với cáp nguồn và cách cáp này không quá 0,1 m.
B.2.2 Bố trí cáp không phải cáp cấp nguồn
Các EUT có giao diện được thiết kế là cổng mạng, được nối cáp không phải cáp nguồn (xem B.2.1) với AuxEq (ví dụ như bộ điều khiển DALI, cơ cấu đóng cắt mạng LAN, cơ cấu đóng cắt mạng Ethernet tự cấp nguồn) phải được lắp trên bàn cách điện theo Hình B.1a, Hình B.2 và Hình B.3.
Yêu cầu về chiều dài cáp là (0,8 ± 0,05) m và cáp được bố trí theo phương pháp thử nghiệm áp dụng được cho trong 8.4.
B.3 Bố trí cáp nối với giao diện của cổng có dây nội bộ
B.3.1 Quy định chung
Điều này áp dụng để bố trí giao diện EUT được phân loại là cổng có dây nội bộ (xem 5.3.3).
Các EUT có các giao diện này được phân loại là cổng có dây nội bộ, để nối với AuxEq (ví dụ như tải, tắcte, bộ mồi, bộ điều khiển, cảm biến, cơ cấu đóng cắt điện, cơ cấu đóng cắt mạng LAN, linh kiện, v.v...) phải được lắp trên bàn cách điện cùng với cáp nối liên kết và AuxEq.
Cáp nối liên kết của cổng có dây nội bộ cần đánh giá phải được bố trí như quy định trong các điều từ B.3.2 đến B.3.4.
Trong trường hợp có nhiều cổng có dây nội bộ giống nhau thì chỉ có cáp của cổng có dây nội bộ cần đánh giá được bố trí như quy định trong điều này. Các cổng có dây nội bộ khác phải được đấu nối với AuxEq bằng một cáp ngắn. Xem thêm Điều B.4.
B.3.2 Cáp của cổng có dây nội bộ được nối gián tiếp với mạng
Trong thực tế, cáp của cổng có dây nội bộ được nối gián tiếp với mạng có thể có chiều dài bất kỳ (3.4.10). Nhà chế tạo quy định chiều dài tối đa phụ thuộc vào một trong các bố trí cáp được áp dụng như sau:
a) Đối với cáp có chiều dài ≤ 3 m, phải thực hiện phép đo với cáp có chiều dài 0,8 m ± 20 %, hoặc với chiều dài nhỏ hơn lớn nhất mà nhà chế tạo nêu. Cáp phải là cáp mềm, có tiết diện đủ và phải bố trí theo đường thẳng;
b) Đối với cáp có chiều dài > 3 m, phải thực hiện phép đo hai lần, lần một là với cáp có chiều dài 0,8 m ± 20 % như mục a) ở trên và lần thứ hai là với chiều dài lớn nhất cho phép được bố trí trên tấm đỡ quy định trên Hình A.6. Nếu chiều dài cáp lớn nhất cho phép vượt quá 25 m thì phải thực hiện phép đo lần hai này với chiều dài cáp là 25 m.
c) Trong trường hợp nhà chế tạo đưa các hướng dẫn lắp đặt và ứng dụng nghiêm khắc, bao gồm cả việc bố trí cáp thì phép đo phải được thực hiện theo các điều kiện này. Nếu hướng dẫn của nhà chế tạo yêu cầu sử dụng cáp có vỏ bọc hoặc cáp không có vỏ bọc được lắp đặt bên trong ống dẫn kim loại thì phép đo phải được thực hiện theo các điều kiện này; ngoài ra, các yêu cầu về chiều dài cáp trong mục a) hoặc mục b) phải được quan sát, nếu áp dụng được thì dựa trên chiều dài cáp mà nhà chế tạo quy định.
Chỉ dẫn về chiều dài cáp lớn nhất cho phép phải được thể hiện rõ ràng trong hướng dẫn lắp đặt và/hoặc trên nhãn chủng loại của EUT.
B.3.3 Cáp của cổng có dây nội bộ không phải kiểu được đề cập ở B.3.2
Trong thực tế, cáp của cổng có dây nội bộ không được nối gián tiếp với mạng có thể có chiều dài ≥ 3 m. Nhà chế tạo quy định chiều dài lớn nhất hoặc hệ thống lắp đặt cụ thể hoặc hướng dẫn sử dụng phụ thuộc vào việc áp dụng một trong cách bố trí cáp dưới đây.
a) Phép đo phải được thực hiện hai lần, lần một là với cáp tải có chiều dài là 0,8 m ± 20 % như mục a) ở trên và lần hai là với cáp có chiều dài lớn nhất cho phép được bố trí trên tấm đỡ quy định trên Hình A.6. Nếu chiều dài cáp lớn nhất cho phép vượt quá 25 m thì phải thực hiện phép đo thứ hai với cáp có chiều dài là 25 m.
b) Trong trường hợp nhà chế tạo đưa các hướng dẫn lắp đặt và ứng dụng nghiêm khắc, bao gồm cả việc bố trí cáp thì phép đo phải được thực hiện theo các điều kiện này. Nếu hướng dẫn của nhà chế tạo yêu cầu sử dụng cáp có vỏ bọc hoặc cáp không có vỏ bọc được lắp đặt bên trong ống dẫn kim loại thì phép đo phải được thực hiện theo các điều kiện này: ngoài ra, các yêu cầu về chiều dài cáp trong mục a) hoặc mục b) phải được quat sát, nếu áp dụng được thì dựa trên chiều dài cáp mà nhà chế tạo quy định.
Chỉ dẫn về chiều dài cáp lớn nhất cho phép phải được thể hiện rõ ràng trong hướng dẫn lắp đặt và/hoặc trên nhãn chủng loại của EUT.
B.3.4 Cáp cấp nguồn của bóng đèn ELV
Đối với giao diện cấp nguồn của bóng đèn ELV, cũng là cổng có dây nội bộ được nối gián tiếp với mạng thì áp dụng bố trí thử nghiệm cụ thể của A.5.1.
B.3.5 Bố trí đầu đo
Đối với phép đo đầu đo điện áp, đầu đo điện áp phải được đặt cách EUT một khoảng là (10 ± 5) cm. Đo giao diện EUT được bọc chống nhiễu bằng phương pháp của CISPR 16-2-1 trong đó bọc chống nhiễu được nối với RGP bằng một điện trở 150 Ω; đầu đo điện áp phải được đặt song song với điện trở 150 Ω.
Đối với phép đo đầu đo dòng điện, đầu đo dòng điện phải được đặt cách EUT một khoảng là (30 ± 5) cm. Đầu đo dòng điện phải bao gồm tất cả các dây dẫn của giao diện được nối với EUT, để đo dòng điện phương thức chung. Giao diện EUT được bọc chống nhiễu được đo bằng phương pháp của CISPR 16-2-1 trong đó bọc chống nhiễu được nối với RGP bằng một điện trở 150 Ω.
Ví dụ như, Hình B.2 thể hiện nguyên tắc này đối với một môđun. Nguyên tắc này cũng áp dụng cho phép đo dẫn tại cổng có dây nội bộ của đèn điện.
B.4 Tải và đầu nối của cáp
Theo nguyên tắc chung, tất cả các cáp của EUT phải chịu thử nghiệm nhiễu dẫn (xem 5.3.5), phải được đấu nối và mang tải như đã nêu trong 7.9. Giao diện được chỉ định là cổng mạng phải được đấu nối với AAN hoặc AMN, nếu áp dụng được cho từng giao diện. Hình B.2 thể hiện nguyên tắc này đối với môđun. Nguyên tắc này cũng áp dụng cho đèn điện.
Thông thường thử nghiệm được thực hiện tuần tự. Tất cả các cáp của EUT, không chỉ các cáp cần được thử nghiệm, phải được đấu nối trong quá trình đo.
Cổng đo của AMN hoặc ANN phải được đấu nối với trở kháng 50 Ω nếu không nối với máy thu đo (nếu chức năng của AMN hoặc ANN như một đầu nối).
B.5 Đèn điện
Mạch đo được cho trên Hình B.1a và bố trí phép đo được cho trên Hình B.3.
Nếu đèn điện được cung cấp kèm theo đầu nối đất thì nó phải được nối với điểm đất chuẩn của AMN. Kết nối này phải được thực hiện bằng ruột dẫn nối đất có trong cáp điện dùng cho đèn điện. Trong trường hợp không thực hiện được bố trí này thì phải thực hiện nối đất bằng một dây dẫn, có cùng chiều dài với cáp nguồn, chạy song song và cách cáp nguồn không quá 0,1 m.
Nếu đèn điện có đầu nối đất, nhưng nhà chế tạo nêu rằng không cần nối đất thì đèn điện phải được đo hai lần: một lần có nối đất và một lần không. Trong cả hai trường hợp, đèn điện phải phù hợp với các yêu cầu.
Sử dụng một trong ba phương án sau để bố trí đèn điện:
a) Đèn điện phải được đặt trên một bàn cách điện sao cho đế của đèn điện (thường là phần đối diện của cửa sổ quang học) đặt trên bàn cách điện cách mặt phẳng nền chuẩn nằm ngang 0,4 m và đầu ra chiếu sáng (cửa sổ quang học) thường được hướng cách xa RGP. Xem Hình B.3a;
b) Đèn điện phải được đặt trên một bàn cách điện có chiều cao là 0,8 m hoặc lớn hơn, sao cho đế của đèn điện (thường là phần đối diện của cửa sổ quang học) được đặt thẳng đứng (một góc 90° so với mặt bàn cách điện) và cách mặt phẳng nền chuẩn nằm dọc 0,4 m. Đầu ra chiếu sáng thường được hướng cách xa RGP. Xem Hình B.3b;
c) Đèn điện phải được đặt trên một mặt bàn cách điện, đế của đèn điện đặt trên bàn cách điện cách sàn ít nhất 0,8 m. Phần dài nhất của đèn điện đặt song song cách mặt phẳng nền chuẩn thẳng đứng 0,4 m. Đầu ra chiếu sáng thường được hướng cách xa RGP. Xem Hình B.3c;
CHÚ THÍCH: Trong trường hợp của phương án a), EUT cũng có thể được xoay 90° sao cho đế của EUT vuông góc với RGP
Ngoài ra phải tuân theo yêu cầu dưới đây cho cả ba phương án bố trí trên.
Tất cả bề mặt dẫn điện không phải mặt phẳng nền chuẩn phải đặt cách EUT ít nhất 0,8 m. Mặt phẳng nền chuẩn có kích thước ít nhất là 2 m x 2 m và phải lồi ra ngoài đường biên của hệ thống cần thử nghiệm (EUT, AuxEq và tất cả các cáp) ít nhất là 0,5 m. Tất cả các AMN và AAN phải được liên kết với mặt phẳng nền chuẩn bằng mối nối trở kháng thấp (theo CISPR 16-2-1). Cáp nối từ AMN và AAN tới EUT phải có chiều dài (10 ± 5) cm trừ khi gần với mối nối của EUT và AMN/AAN (xem Hình B.1).
B.6 Môđun
Trong trường hợp của môđun bên trong, môđun lắp đặt hoặc môđun thay thế được, EUT (môđun) phải được nối như thể hiện trên Hình B.1b.
Trong trường hợp của môđun bên ngoài, EUT (môđun) phải được nối như thể hiện trên Hình B.2.
Áp dụng các bố trí phép đo được cho trên Hình B.3.
Chiều dài, kiểu và bố trí của cáp nối EUT (môđun) với AuxEq (tải, tắcte, bộ mồi, đầu nối điều khiển, cảm biến, cơ cấu đóng cắt, linh kiện, v.v...) phải theo quy định trong Điều B.2 và Điều B.3.
AuxEq phải được nối với EUT như quy định của nhà chế tạo trong khi áp dụng các yêu cầu của Điều B.2 và Điều B.3.
Bố trí tổng của EUT và AuxEq và (các) cáp phải được đo theo Điều B.5.
Kích thước tính bằng centimét
| CHÚ DẪN: |
|
| |
| AMN | Mạng nguồn giả | H | Máy chủ (xem chú thích) |
| AAN | Mạng giả không đối xứng | a-b | Đầu nối nguồn |
| MS | Nguồn lưới | c-d | Đầu nối điều khiển |
| M | Máy thu đo | C | Hộp kim loại hình nón |
| MT | Đầu nối nguồn lưới | E | Đầu nối đất |
| NCL | Đường dây điều khiển mạng | IP | Mảnh vật liệu cách điện (xem chú thích |
| NCLT | Đầu nối đường dây điều khiển mạng |
|
|
Xem Hình B.3 về các chi tiết bố trí và định hướng có thể có theo RGP.
Đối với chiều dài cáp của cáp nguồn lưới, xem B.2.1 và đối với chiều dài cáp không phải là cáp nguồn lưới khác, xem B.2.2 và Điều B.3.
CHÚ THÍCH: Máy chủ thường được nhận biết bằng cách lắp ráp các bộ phận của máy chủ trên mặt phẳng gỗ. Nói đúng ra thì không yêu cầu IP, nhưng tùy chọn, để thuận lợi cho chế tạo máy chủ.
Hình B.1 - Mạch để đo nhiễu dẫn từ đèn điện (Hình B.1a), môđun bên trong/lắp đặt/thay thế được (Hình B.1b) và bóng đèn một đầu có balát lắp liền hoặc bóng đèn độc lập phóng điện không qua khí (Hình B.1c)
Kích thước tính bằng centimét
CHÚ DẪN:
| a-b | Đầu nối nguồn | MS | Nguồn lưới |
| c-d | Đầu nối điều khiển | MT | Đầu nối nguồn lưới |
| AMN | Mạng nguồn giả | NCL | Đường dây điều khiển mạng |
| AAN | Mạng giả không đối xứng | NCLT | Đầu nối đường dây điều khiển mạng |
| CP | Đầu đo dòng điện | RC | Điều khiển từ xa (nếu có) |
| E | Đầu nối đất | VP | Đầu đo điện áp |
L Tải
LT Đầu nối tải
M Máy thu đo CISPR (đối với AMN và AAN, được thay bằng trở kháng 50 Ω nếu không được nối)
Nối đất của máy thu đo và đầu nối đất của EUT phải được nối với đất của AMN.
Đối với phép đo điện áp đầu nối tải, chiều dài của cáp đồng trục giữa đầu đo và máy thu đo không được lớn hơn 2 m.
Trong trường hợp thiết bị trực tuyến chì được lắp vào một dây của nguồn, phải thực hiện phép đo bằng cách nối dây nguồn thứ hai như được chỉ ra trên hình vẽ thấp hơn.
Xem Hình 3 về chi tiết bố trí.
Hình B.2 - Mạch đo nhiễu dẫn từ môđun bên ngoài
Kích thước tính bằng centimét
Hình B.3a - Bố trí RGP nằm ngang (lựa chọn 1)
Kích thước tính bằng centimét
Hình B.3b - Bố trí RGP thẳng đứng (lựa chọn 2)
Kích thước tính bằng centimét
Hình B.3c - Bố trí RGP thẳng đứng (lựa chọn 3)
Xem Hình B.1, Hình B.2 và Điều B.5 đối với chi tiết về mạch đo, liên kết AAN và AMN với RGP và bố trí cáp.
Hình B.3 - Bố trí đo nhiễu dẫn (xem Điều B.5)
Bố trí thử nghiệm đối với phép đo nhiễu bức xạ
C.1 Quy định chung
Phụ lục này đưa ra bố trí thử nghiệm đối với phép đo phát xạ bức xạ của EUT trên OATS, SAC hoặc FAR theo CISPR 16-2-3.
C.2 Bố trí cáp cung cấp nguồn điện
Khi áp dụng phương pháp đo OATS hoặc SAC để nâng cao khả năng tái lặp thì cáp nguồn lưới của EUT phải được đấu nối với CDNE được liên kết với mặt phẳng nền chuẩn và đấu nối với cổng máy thu đo của CDNE được đấu nối với trở kháng 50 Ω.
C.3 Bố trí cáp không phải cáp cấp nguồn điện
Áp dụng CISPR 16-2-3 đối với việc bố trí cáp không phải cáp cấp nguồn điện.
C.4 Bố trí EUT, thiết bị phụ và thiết bị kết hợp
C.4.1 Quy định chung
Áp dụng các nguyên tắc chung về bố trí EUT, thiết bị phụ và thiết bị kết hợp như được quy định trong CISPR 16-2-3 để áp dụng cho phương pháp đo nhiễu bức xạ (Bảng 12).
Ví dụ về bố trí EUT, thiết bị phụ và thiết bị kết hợp được đưa ra trong các trường hợp dưới đây:
- Đèn điện; xem Hình C.3;
- Môđun bên trong, lắp đặt và thay thế được; xem Hình C.4;
- Môđun bên ngoài, xem Hình C.5.
C.4.2 Bố trí EUT đối với ứng dụng đặt trên mặt bàn, gắn tường hoặc gắn trần
Hình C.1 đưa ra ví dụ về bố trí EUT trong các ứng dụng đặt trên mặt bàn, gắn tường hoặc gắn trần. Bàn bố trí được mô tả trên Hình C.1 là bàn bố trí tiêu chuẩn có chiều cao 0,8 m được sử dụng trong các phép đo phát xạ bức xạ.
C.4.3 Bố trí EUT đối với ứng dụng đặt đứng trên sàn và gắn trên cột
Hình C.2 đưa ra bố trí EUT trong các ứng dụng đặt đứng trên sàn và gắn trên cột. Bàn bố trí được mô tả trên Hình C.2 là bàn bố trí tiêu chuẩn có chiều cao 0,8 m được sử dụng trong các phép đo phát xạ bức xạ.
C.5 Tải và đấu nối cáp
Theo nguyên tắc chung, tất cả các cáp của EUT phải chịu thử nghiệm nhiễu bức xạ, phải được đấu nối và mang tải như đã nêu trong 7.9. Cáp cấp nguồn điện phải được đấu nối với CDNE phù hợp với Điều C.2.
| Ứng dụng điển hình | Bố trí trong phép đo |
| Đèn điện gắn trần/treo trên trần
|
|
| Đèn điện gắn tường
|
|
| Đèn điện để trên mặt bàn
|
|
Hình C.1 - Bố trí EUT trong các ứng dụng gắn trần, gắn tường và đặt trên mặt bàn trong phép đo nhiễu bức xạ (OATS, SAC hoặc FAR)
| Ứng dụng điển hình | Bố trí trong phép đo |
| Đèn điện đặt đứng trên sàn
|
* giá đỡ cách điện cao đến 15 cm |
| Đèn điện gắn trên cột |
|
|
|
|
Hình C.2 - Bố trí EUT trong các ứng dụng đặt đứng trên sàn và gắn trên cột trong phép đo nhiễu bức xạ (OATS, SAC hoặc FAR)
Hình C.3 - Ví dụ về bố trí đèn điện trong phép đo nhiễu bức xạ (OATS, SAC hoặc FAR)
Hình C.4 - Ví dụ về bố trí môđun bên trong phép đo nhiễu bức xạ (OATS, SAC hoặc FAR)
Hình C.5 - Ví dụ về bố trí môđun bên ngoài trong phép đo nhiễu bức xạ (OATS, SAC hoặc FAR)
Ví dụ về ứng dụng giới hạn và phương pháp thử nghiệm
D.1 Quy định chung
Số lượng các ví dụ được đưa ra trong phụ lục này để giải thích phương pháp luận được mô tả trong Điều 5, Điều 6 và Hình 4 nhằm tìm hiểu các yêu cầu cần áp dụng cho một EUT cụ thể.
D.2 Trường hợp 1: Bộ điều khiển công suất có bộ nối pin/acquy từ xa
D.2.1 Mô tả EUT
EUT là một bộ điều khiển nguồn sáng có thể được nối với khối pin/acquy từ xa hoặc điện lưới một chiều. Kích thước lớn nhất của EUT là 25 cm. Chiều dài của cáp cấp nguồn một chiều có thể tối đa là 10 m. Nguồn sáng LED chung có công suất tối đa là 75 W có thể được nối với giao diện tải của bộ điều khiển bằng cáp sợi đôi dài tối đa 2 m. Điều này không hạn chế về việc định tuyến hai sợi của cáp tải (chúng có thể chạy riêng rẽ). Xem Hình D.1.
Hình D.1 - Trường hợp 1 của EUT
D.2.2 Giao diện, cổng và giới hạn
Tổng quan về giao diện của trường hợp 1 - EUT, áp dụng cổng kết hợp và giới hạn được cho trong Bảng D.1.
Bảng D.1 Trường hợp 1: Tổng hợp các giao diện, cổng ứng dụng và giới hạn
| Giao diện | Cổng | Lý do | Giới hạn | Phương pháp thử nghiệm |
| Vỏ + cáp | Cổng vỏ > 30 MHz | Mặc định | Bảng 10 | Một trong các phương pháp bức xạ tùy chọn |
| Cổng vỏ < 30 MHz | Sợi của cáp tải có thể chạy riêng (xem 5.3.4.1) | Bảng 8 | Phương pháp LAS (kích thước EUT < 1,6 m) với giao diện tải có diện tích mạch vòng 1 m2 | |
| Tải điện | Cổng không có dây nội bộ > 30MHz | Chiều dài cáp nhỏ hơn 3 m; do đó cáp phải được nối với tải trong quá trình áp dụng thử nghiệm bức xạ (xem Điều C.3) | Bảng 10 | Thử nghiệm bức xạ đã được thực hiện (xem ở trên) |
| Đầu vào điện một chiều | Ứng dụng 1: cổng có dây nội bộ | Giao diện không được nối trực tiếp với mạng, nhưng có chiều dài > 3 m | Giới hạn của Bảng 1 khắt khe hơn (bắt đầu từ 9 kHz) giới hạn của Bảng 5 hoặc Bảng 6; do đó giao diện này được thử nghiệm dựa vào giới hạn của Bảng 1 (xem 5.3.6) | Xem 8.2 |
| Ứng dụng 2: Cổng mạng có dây | Giao diện được nối với mạng |
D.3 Trường hợp 2: Bộ dò sự có mặt và bộ dò ánh sáng
D.3.1 Mô tả EUT
EUT là bộ dò sự có mặt và ánh sáng độc lập. Cảm biến dò sự có mặt của con người và đo cường độ ánh sáng. Cảm biến có thể được đặt vào như một môđun độc lập dùng cho hệ thống lắp đặt trong đèn điện hoặc cho ứng dụng riêng khi lắp trần (hệ thống lắp đặt). Cảm biến có giao diện để nối với mạng lưới điện và nó có giao diện để nối với tải được đóng cắt. Giao diện tùy chọn (cho hệ thống lắp đặt) dùng để ghép các cảm biến khác có cùng loại đối với việc mở rộng diện tích cảm biến (cảm biến phụ thuộc). Chiều dải tối đa của từng cáp để có thể được nối với cảm biến là 100 m. Sơ đồ đại cương được đưa ra trên Hình D.2.
D.3.2 Giao diện, cổng và giới hạn
Đối với hai bối cảnh ứng dụng có thể có, EUT có thể được coi là môđun độc lập bên trong (6.4.3) và môđun độc lập bên ngoài (6.4.4). Thử nghiệm được thực hiện (6.4.2) đối với từng ứng dụng này. Tổng quan về các giao diện của Trường hợp 2 - EUT, áp dụng cổng kết hợp và giới hạn đối với hai ứng dụng, được cho trong Bảng D.2 và Bảng D.3.
Ứng dụng 1: Bên trong một đèn điện
Ứng dụng 2 : Cảm biến độc lập trong một hệ thống lắp đặt
Hình D.2 - Trường hợp 2 - EUT
Bảng D.2 - Trường hợp 2 - Ứng dụng 1: Tổng hợp về giao diện, cổng và giới hạn áp dụng
| Giao diện | Cổng | Lý do | Giới hạn | Phương pháp thử nghiệm |
| Cổng vỏ | Cổng vỏ > 30 MHz | Mặc định | Bảng 10 | Một trong các phương pháp bức xạ tùy chọn |
| Không có cổng vỏ < 30 MHz | Bên trong cảm biến, không xuất hiện dòng điện mạch vòng lớn và các sợi của cáp cung cấp nguồn điện chạy cùng nhau (xem 5.3.4.1) | Không áp dụng | Không áp dụng | |
| Cáp cấp nguồn điện | Cổng mạng | Giao diện được nối với mạng (nguồn điện lưới) | Bảng 1 | Xem Điều B.5 Mạch đo: xem Hình B.1b Bố trí: một trong ba lưa chọn từ Hình B.3 |
Bảng D.3 - Trường hợp 2 - Ứng dụng 2: Tổng hợp giao diện, cổng và giới hạn ứng dụng
| Đánh giá | Cổng | Lý do | Giới hạn | Phương pháp thử nghiệm |
| Cổng vỏ | Cổng vỏ > 30 MHz | Mặc định | Bảng 10 | Một trong các phương pháp bức xạ tùy chọn |
| Không có cổng vỏ < 30 MHz | Bên trong cảm biến, không xuất hiện dòng điện mạch vòng lớn và các sợi của cáp cấp nguồn điện chạy cùng nhau (xem 5.3.4.1) | Không áp dụng | Không áp dụng | |
| Cáp cấp nguồn điện | Cổng mạng | Giao diện được nối với mạng (nguồn điện lưới) | Bảng 1 | Xem Điều B.5 Mach đo; xem Hình B.1b Bố trí: một trong ba lựa chọn từ Hình B.3 |
| Cáp điều khiển, dài tối đa 100 m | Cổng có dây nội bộ | Giao diện được nối gián tiếp với mạng (cung cấp nguồn lưới) qua một tải | Bảng 5 hoặc Bảng 6 | Xem 8.5.2.2, 8.5.2.3, B.3.2 b) và Hình B.2 và áp dụng tấm đỡ của Hình A.6 |
| Giao diện chế độ phụ thuộc (nối với cảm biến khác) | Cổng có dây nội bộ | Giao diện không được nối với mạng; tuy nhiên chiều dài của nó > 3 m | Bảng 5 hoặc Bảng 6 | Xem 8.5.2.2, 8.5.2.3, B.3.3 và Hình B2 và áp dụng tấm đỡ của Hình A.6 |
D.4 Trường hợp 3: Bộ điều khiển có ba giao diện tải
D.4.1 Mô tả EUT
EUT là một bộ điều khiển LED độc lập để sử dụng trong hệ thống lắp đặt. Bộ điều khiển cần được nối với nguồn lưới (220 V đến 240 V). Bộ điều khiển có thể được điều khiển (đóng cắt, điều chỉnh độ sáng) bằng cách sử dụng giao diện DALI để nối với bus DALI (mạng). Có giao diện bổ sung dùng cho kết nối của bộ hạn chế dòng điện kích từ có điện trở NTC tùy chọn. Dãy nguồn sáng LED có thể được nối với từng giao diện trong số ba giao diện tải (24 V). Chiều dài tối đa giữa bộ điều khiển và từng dãy nguồn sáng LED là 4 m. Giao diện điều khiển nhiệt độ có thể tùy chọn để bổ sung vào bộ giám sát nhiệt độ của nguồn sáng được nối. Trong trường hợp sau, dây điều khiển nhiệt độ và dây tải được kết hợp trong một cáp dùng cho từng giao diện trong số ba giao diện tải. Chiều dài của giao diện điều khiển nhiệt độ này cũng dài tối đa là 4 m. Các sợi riêng trong mỗi cáp được nối với bộ điều khiển (cáp cung cấp điện, cáp tải và cáp điều khiển) được định tuyến cùng nhau. Sơ đồ đại cương được cho trên Hình D.3.
D.4.2 Giao diện, cổng và giới hạn
Tổng quan về các giao diện trong Trường hợp 3 - EUT, áp dụng cổng kết hợp và giới hạn được cho trong Bảng D.4. EUT có thể được coi là một môđun độc lập bên ngoài (6.4.4).
Hình D.3 - Trường hợp 3 - EUT
Bảng D.4 - Trường hợp 3: Tổng hợp về giao diện, cổng và giới hạn ứng dụng
| Đánh giá | Cổng | Lý do | Giới hạn | Phương pháp thử nghiệm |
| Cổng vỏ | Cổng vỏ > 30 MHz | Lỗi | Bảng 10 | Một trong các phương pháp bức xạ tùy chọn |
| Không có cổng vỏ < 30 MHz | Quy định kỹ thuật của bộ điều khiển không cho phép mạch vòng lớn (xem 5.3.4.1) | Không áp dụng | Không áp dụng | |
| Cáp cấp nguồn điện | Cổng mạng | Giao diện được nối với mạng (nguồn điện lưới) | Bảng 1 | Xem Điều B.5 Mạch đo: xem Hình B.2 Bố trí: một trong ba lựa chọn từ Hình B.3 |
| Từng cáp trong số ba cáp tai điện, có chiều dài tối đa 4 m | Cổng có dây nội bộ | Từng giao diện không được nối với mạng nhưng chiều dài mỗi giao diện lớn hơn 3 m | Bảng 5 hoặc Bảng 6 | Đủ để thử nghiệm một trong số ba cổng tải vì chúng là các cổng có cùng kiểu; xem 5.3.5. |
| Giao diện điều khiển nhiệt độ | Cổng có dây nội bộ | Từng giao diện không được nối với mạng nhưng chiều dài mỗi giao diện lớn hơn 3 m | Bảng 5 hoặc Bảng 6. Giới hạn của Bảng 6 là thực tế hơn so với phép đo đầu đo dòng điện, có thể thực hiện một phép đo với cáp tải điện và cáp điều khiển nhiệt độ. | Nhiễu dẫn của giao diện này được đo dùng với nhiễu từ cổng tải bằng cách sử dụng phép đo đầu đo dòng điện. |
| Giao diện dùng để nối bộ hạn chế dòng điện kích từ | Cổng vỏ > 30 MHz | Giao diện không được nối với mạng và chiều dài giao diện nhỏ hơn 3 m | Bảng 10 | Thử nghiệm bức xạ đã được thực hiện (xem ở trên) |
| Giao diện DALI | Cổng mạng | Giao diện được nối với mạng DALI (4.3.2). | Bảng 2 hoặc Bảng 3 | Xem 5.3.2.2. |
D.5 Trường hợp 4: OLED được cấp nguồn qua mạng ethernet
D.5.1 Mô tả EUT
EUT là đèn điện OLED được cấp nguồn qua giao diện Ethernet CAT 5 có chiều dài tối đa là 15 m. Không có giao diện có dây nào khác. Xem Hình D.4.
Hình D.4 - Trường hợp 4 - EUT
D.5.2 Giao diện, cổng và giới hạn
Tổng quan về giao diện của Trường hợp 4 - EUT, áp dụng cổng kết hợp và các giới hạn được cho trong Bảng D.5.
Bảng D.5 - Trường hợp 4 : Tổng hợp về giao diện, cổng kết hợp và giới hạn
| Đánh giá | Cổng | Lý do | Giới hạn | Phương pháp thử nghiệm |
| Cổng vỏ | Cổng vỏ > 30 MHz | Lỗi | Bảng 10 | Một trong các phương pháp bức xạ tùy chọn |
|
| Không có cổng vỏ < 30 MHz | Quy định kỹ thuật của dây mạng Ethernet không có phép tách rời các sợi riêng; không có mạch vỏng bên ngoài. Cũng không có mạch vòng lớn bên trong đèn điện với dòng điện cao (công nghệ OLED) (xem 5.3.4.1) | Không áp dụng | Không áp dụng |
| Giao diện mạng Ethernet | Cổng mạng | Giao diện được nối với thiết bị đóng cắt mạng Ethernet (4.3.2) | Bảng 2 hoặc Bảng 3 | Xem 5.3.2.2. |
D.6 Trường hợp 5: Cảm biến ánh sáng ban ngày-có người
D.6.1 Mô tả EUT
EUT là một cảm biến có mặt con người kết hợp ánh sáng ban ngày độc lập đơn giản, bộ dò sự chuyển động và bộ điều khiển có thể được nối với tối đa hai đèn điện được cấp điện xoay chiều loại đặc biệt. Cảm biến có khả năng đóng cắt hoặc điều chỉnh độ sáng của đèn điện, phụ thuộc vào việc có mặt con người tại chỗ và mức ánh sáng ban ngày. Hai giao diện điều khiển dùng cho đèn điện là các giao diện có dây ba sợi cân bằng và giao thức riêng để điều khiển đèn điện được sử dụng này. Các giao diện này cũng cung cấp nguồn điện cần thiết cho cảm biến. Chiều dài của từng giao diện điều khiển được hạn chế đến tối đa là 2,5 m. Sơ đồ đại cương của ứng dụng được cho trên Hình D.5.
Hình D.5 - Trường hợp 5 - EUT
D.6.2 Giao diện, cổng và giới hạn
Tổng quan về giao diện của trường hợp 5-EUT, áp dụng cổng kết hợp và giới hạn được cho trong Bảng D.6.
Bảng D.6 - Trường hợp 5: Tổng hợp của giao diện, cổng và giới hạn áp dụng
| Đánh giá | Cổng | Lý do | Giới hạn | Phương pháp thử nghiệm |
| Cổng vỏ | Cổng vỏ > 30 MHz | Lỗi | Bảng 10 | Một trong các phương pháp bức xạ tùy chọn |
| Không có cổng vỏ < 30 MHz | Bản thân EUT và cả hai giao diện có dây không tạo ra mômen lưỡng cực từ lớn (xem 5.3.4.1) | Không áp dụng | Không áp dụng | |
| Từng giao diện trong số hai giao diện điều khiển | Cổng có dây nội bộ | Giao diện được nối gián tiếp với mạng (giao diện được nối với một đèn điện trong đó đèn điện được nối với mạng điện lưới xoay chiều) | Bảng 5 hoặc Bảng 6 | Đủ khả năng để thử nghiệm một trong hai cổng tải vì chúng có cùng kiểu, xem 5.3.5. |
Xem xét thống kê trong việc xác định sự phù hợp về EMC của các sản phẩm sản xuất hàng loạt
E.1 Quy định chung
Giới hạn CISPR đã được xây dựng, có tính đến tính thay đổi vốn có về tính năng EMC của thiết bị sản xuất hàng loạt. Giới hạn CISPR được dựa trên khuyến cáo rằng, đối với việc phê duyệt kiểu của thiết bị sản xuất hàng loạt dựa trên cơ sở thống kê, ít nhất 80 % thiết bị sản xuất hàng loạt phù hợp với các giới hạn này với độ tin cậy ít nhất là 80 %.
CHÚ THÍCH: Thông tin thêm về các phương pháp khác nhau đối với đánh giá thống kê thiết bị sản xuất hàng loạt có thể có trong CISPR TR 16-3 [5] và CISPR TR 16-4-3 [3).
Thử nghiệm điển hình thường được thực hiện trên một khối là đại diện của thiết bị sản xuất hàng loạt.
Do đó, thử nghiệm điển hình phải được thực hiện:
a) hoặc trên một mẫu có tối thiểu 3 khối, theo một trong các phương pháp được cho trong các điều từ Điều E.2 đến Điều E.5
b) hoặc, để đơn giản, chỉ trên một thiết bị.
Các thử nghiệm tiếp theo đôi khi được khuyến cáo trên thiết bị được lấy ngẫu nhiên từ sản xuất, đặc biệt là trong các trường hợp được chỉ ra ở điểm b).
E.2 Phương pháp thử nghiệm dựa trên lượng dư chung về giới hạn
Phương pháp thử nghiệm điển hình đối với phép đo nhiễu dẫn hoặc nhiễu bức xạ có thể dựa trên ứng dụng của phương pháp thống kê bằng cách sử dụng lượng dư chung về giới hạn như được vẽ trong CISPR 16-4-3 [3].
Trong phương pháp thử điển hình này, nhiễu x(f) được đo đối với từng n hạng mục (n≥3) của mẫu thử là một hàm của tần số f đối với từng giới hạn và phương pháp đo kết hợp áp dụng cho EUT.
Thiết bj được thử nghiệm điển hình bằng cách sử dụng phương pháp này có thể là phù hợp với giới hạn liên quan khi giá trị nhiễu đo được xi(f) của tất cả các hạng mục riêng rẽ của mẫu, thấp hơn giới hạn L(f) với lượng dư bổ sung cho giới hạn không thấp hơn giá trị lượng dư phụ thuộc kích thước mẫu Mn được cho trong Bảng E.1:
xi(f) + Mn ≤ L(f), đối với từng hạng mục 1 ≤ i ≤ n (E.1)
Bảng 4 - Lượng dư chung về giới hạn dành cho việc đánh giá thống kê
| Cỡ mẫu (n) | 3 | 4 | 5 | 6 |
| Lượng dư chung Mn về giới hạn (dB) | 3,8 | 2,5 | 1,5 | 0,7 |
CHÚ THÍCH: Giá trị trong Bảng E1 được dựa trên độ lệch chuẩn 6,0 dB đối với nhiễu gây ra bởi thiết bị trong phạm vi của tiêu chuẩn này. Xem thêm thông tin trong CISPR 16-4-3 [3]. Điều quan trọng là nhà chế tạo sản phẩm sản xuất hàng loạt kiểm tra xác nhận xem giả thuyết về độ lệch chuẩn dự kiến của sản phẩm là có giá trị hay không.
Vì trong thực thế, độ lệch chuẩn ở hầu hết các trường hợp sẽ thấp hơn, khuyến cáo sử dụng một trong các phương pháp trong Điều E.3 hoặc Điều E.4 khi phương pháp của Điều E.2 không đạt.
Trong Bảng E.1, giá trị chỉ được cho đối với kích cỡ mẫu lên đến n = 6. Đối với kích cỡ mẫu lớn hơn, phương pháp phân bố nhị thức phù hợp hơn như mô tà trong Điều E.4.
E.3 Phương pháp thử nghiệm dựa trên sự phân bố t không tập trung
E.3.1 Thực hiện bổ sung bằng cách sử dụng dải phụ tần số
Phương pháp thử nghiệm điển hình đối với phép đo nhiễu dẫn hoặc nhiễu bức xạ có thể dựa vào ứng dụng của phương pháp thống kê bằng cách sử dụng sự phân bố t không tập trung như được vẽ trong CISPR TR 16-4-3 [3]. Phương pháp phân bố t tính mức nhiễu cao nhất đo được tại tần số riêng trong dải tần áp dụng cho phương pháp đo nhiễu cụ thể. Tuy nhiên trong thực tế, có thể phát sinh một số khó khăn:
- mức giới hạn thay đổi trên dải tần;
- các tần số mà tại đó đo được các mức nhiễu cao nhất, thay đổi đối với các khối riêng lẻ của một mẫu.
Đối với lý do này, trong thực tế, phương pháp cần được áp dụng bằng cách chia toàn bộ dải tần thành các dải phụ đối với phương pháp đo cụ thể. Sau đó đo giá trị trung bình và độ lệch chuẩn bằng cách sử dụng các mức nhiễu đo được để chuẩn hóa thành mức giới hạn như một hàm số của tần số như sau:
d(f) = x(f) - L(f) (E.2)
trong đó
d(f) là độ lệch giữa mức nhiễu và mức giới hạn (mức nhiễu tương đối) tại tần số cụ thể f, tính bằng dB;
x(f) là mức nhiễu đo được, tính bằng dBµV , dBµA, dBµA/m hoặc dBµV/m;
L(f) là giới hạn nhiễu tại tần số cụ thể, tính bằng dBµV, dBµA, dBµA/m hoặc dBµV/m.
Mức nhiễu tương đối d(f) được tính như một hàm của tần số. Độ chênh lệch là âm khi giá trị đo được thấp hơn giới hạn và là dương khi giá trị đo được cao hơn giới hạn.
Đối với tất cả n hạng mục trong mẫu (ghi nhẵn i), giá trị tối đa của mức nhiễu liên quan d(f) được tính như sau đối với từng dải phụ tần số được quy định trong E.3.2:
di = max{d(f)} (E.3)
Thiết bị được thử nghiệm điển hình bằng cách sử dụng phương pháp này có thể được mong đợi là phù hợp với giới hạn liên quan khi đáp ứng điều kiện dưới đây đối với mức nhiễu liên quan lớn nhất di trong từng dải phụ tần số áp dụng cho phương pháp đo cụ thể:
(E.4)
trong đó
là trung bình số học của các giá trị nhiễu liên quan lớn nhất di của từng hạng mục trong số n hạng mục trong mẫu được tính đối với từng dải phụ tần số như sau (tính bằng dB):
(E.5)
Sn là độ lệch chuẩn của các giá trị nhiễu liên quan lớn nhất di của n hạng mục trong mẫu được tính như sau:
(E.6)
k hệ số được lấy từ bảng phân bố t không tập trung, đảm bảo với độ tin cậy 80 % rằng 80 % hoặc lớn hơn của sản xuất là thấp hơn giới hạn L; giá trị của k phụ thuộc vào cỡ mẫu n và được nêu trong Bảng E.2.
Bảng E.2 - Kích cỡ mẫu và hệ số k tương ứng trong phân bố t không tập trung
| n | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 |
| k | 2,04 | 1,69 | 1,52 | 1,42 | 1,35 | 1,30 | 1,27 | 1,24 | 1,21 | 1,2 |
E.3.2 Dải phụ tần số
Đánh giá thống kê được cho trong E.3.1 phải được thực hiện riêng đối với các dải phụ tần số như sau:
• 9 kHz đến 50 kHz
• 50 kHz đến 150 kHz;
• 150 kHz đến 500 kHz;
• 500 kHz đến 5 MHz;
• 5 MHz đến 30 MHz;
• 30 MHz đến 100 MHz;
• 100 MHz đến 230 MHz;
• 230 MHz đến 300 MHz;
• 300 MHz đến 500 MHz;
• 500 MHz đến 1 000 MHz.
CHÚ THÍCH: Dải phụ tần số đã được chọn sao cho đường biên trùng với các tần số mà đường cong giới hạn thể hiện sự chuyển tiếp hoặc gián đoạn. Trong trường hợp của các dải lớn, áp dụng thêm các dải phụ bổ sung.
Thử nghiệm có thể không đạt do các giả tưởng trong kết quả có thể xuất hiện khi bắt đầu và dừng tần số trong dải phụ tần số. Nguyên nhân của các giả tưởng này được giải thích trong E.3.3.
E.3.3 Biến dạng dữ liệu xuất hiện tại đường biên dải phụ
Nếu tất cả các giá trị đo được thấp hơn giới hạn và thử nghiệm không đạt chỉ do độ lệch chuẩn lớn thì cần được kiểm tra xem độ lệch chuẩn lớn có được tạo ra bởi xi lớn nhất tại đường ranh giới giữa hai dải phụ tần số. Trong trường hợp này, việc đánh giá cần được thực hiện theo Điều E.4.
Hình E.4 minh hoạ độ lệch có thể có nếu nhiễu lớn nhất đo được xuất hiện tại ranh giới giữa hai dải phụ tần số. “U” là điện áp nhiễu đo được; T là tần số. Ở đây thể hiện hai khối có các đặc tính ra khác nhau của một mẫu. Đối với nhiễu băng rộng, giá trị lớn nhất cũng như tần số lớn nhất có thể thay đổi theo các khối. Sự khác nhau được thể hiện trên Hình E.1 là giữa khối 1 và khối 2 trong một mẫu là điển hình. Giá trị trung bình và độ lệch chuẩn được tính từ mức nhiễu lớn nhất ở tất cả các khối (thể hiện hai khối) đối với từng dải phụ. Trong ví dụ này, độ lệch chuẩn tính được cho dải phụ 1 cao hơn nhiều so với dải phụ 2 (ví dụ coi sự chênh lệch giá trị của x1 và x2 là ranh giới). Thậm chí, độ lệch trung bình đối với dải phụ 1 là thấp hơn nhiều so với dải phụ 2, khi xem xét, các giá trị cao của Sn được nhân với hệ số trong Bảng E.2, trong trường hợp hiếm gặp này, có thể dẫn đến mẫu được đặt vào tiêu chí ở Công thức (E.4). Vì điều này đơn giản, kết quả của cách thức mà các dải phụ tần số đã được xác định, không thể rút ra các kết luận thống kê ý nghĩa nào liên quan đến sự phù hợp. Trong trường hợp này, khuyến cáo lặp lại việc đánh giá trong một dải phụ mới xác định đề tránh xuất hiện các giá trị lớn nhất tại đường biên của dải phụ.
Hình E.1 - Mô phỏng về độ lệch trong trường hợp giá trị nhiễu lớn nhất tại đường biên của dải phụ
E.4 Phương pháp thử nghiệm dựa trên phân bố nhị thức
Phương pháp thử nghiệm điển hình đối với phép đo nhiễu dẫn hoặc nhiễu bức xạ có thể dựa vào việc áp dụng phương pháp thống kê bằng cách sử dụng phân bố nhị thức như được vẽ trong CISPR TR 16-4-3 [3]. Phương pháp này dựa trên sự kiểm tra xác nhận từ điều kiện là số lượng khối tạo ra mức nhiễu cao hơn giới hạn áp dụng được không vượt quá c theo mẫu thử có kích cỡ n, như được cho trong Bảng E.3.
Bảng E.3 - Ứng dụng của phân bố nhị thức
| n | 7 | 14 | 20 | 26 | 32 |
| c | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 |
E.5 Ứng dụng của mẫu có kích cỡ lớn
Cần thử nghiệm trên mẫu ban đầu không đáp ứng một trong các Điều E.2, Điều E.3 hoặc Điều E.4 khi đó có thể thử nghiệm nhiều khối và kết quả được kết hợp với kết quả trên mẫu thứ nhất. Sau đó có thể kiểm tra kết quả kết hợp đối với cỡ mẫu lớn hơn.
Thư mục tài liệu tham khảo
[1] CISPR TR 16-4-5:2006 with amendment 1:2014, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatusand methods - Pad 4-5: Uncertainties, statistics and limit modelling - Conditions for the use of alternative test methods
[2] CISPR TR 16-4-1:2009, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 4-1: Uncertainties, statistics and limit modelling - Uncertainties in standardized EMC tests
[3] CISPR TR 16-4-3:2004 with amendment 1:2006, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 4-3: Uncertainties, statistics and limit modelling - Statistical considerations in the determination of EMC compliance of mass-produced products
[4] CISPR TR 30-2:2012, Test method on electromagnetic emissions - Part 2: Electronic control gear for discharge lamps excluding fluorescent lamps
[5] CISPR TR 16-3:2010, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 3: CISPR technical reports
[6] IEC 60050-731:1991 with amendment 1:2016 and amendment 2:2017, International Electrotechnical Vocabulary - Chapter 731: Optical fibre communicaton
[7] IEC 60155:1993 with amendment 1:1995 and amendment 2:2006, Glow-starters for fluorescent lamps
[8] IEC 60449, Voltage bands for electrical installations of buildings8
[9] IEC 61000-6-3:2006 with amendment 1:2010, Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 6-3: Generic standards - Emission standard for residential, commercial and light-industrial environments
[10] IEC 61347-1:2015 with amendment 1:2017, Lamp controlgear - Part 1: General and safety requirements
[11] TCVN 11846:2017 (IEC 62276:2014), Bóng đèn LED hai đầu được thiết kế để thay thế bóng đèn huỳnh quang ống thẳng - Quy định về an toàn
[12] IEC PAS 62825:2013, Methods of measurement and limits for radiated disturbances from plasma display panel TVs in the frequency range 150 kHz to 30 MHz
[13] ITU Radio Regulations Resolutions and Recommendations:2012, RESOLUTION 63 (REV.WWRC-12), Protection of radiocommunication services against interference caused by radiation from industrial, scientific and medical (ISM) equipment;
http://www.itu.int/dms_pub/itu-s/oth/02/02/S02020000244503PDFE.pdf [viewed 2018-02-05]
[14] CISPR 12, Vehicles, boats and internal combustion engines - Radio disturbance characteristics - Limits and methods of measurement for the protection of off-board receivers
[15] TCVN 7492-1 (CISPR 14-1), Tương thích điện từ - Yêu cầu đối với thiết bị điện gia dụng, dụng cụ điện và các thiết bị tương tự - Phần 1: Phát xạ
[16] CISPR 30 (all parts), Test methods on electromagnetic emissions
MỤC LỤC
Lời nói đầu
1 Phạm vi áp dụng
2 Tài liệu viện dẫn
3 Thuật ngữ, định nghĩa và thuật ngữ viết tắt
4 Giới hạn
5 Áp dụng các giới hạn
6 Yêu cầu áp dụng giới hạn đối với sản phẩm cụ thể
7 Điều kiện làm việc và thử nghiệm của EUT
8 Phương pháp đo nhiễu dẫn
9 Phương pháp đo nhiễu bức xạ
10 Sự phù hợp với tiêu chuẩn này
11 Độ không đảm bảo đo
12 Báo cáo thử nghiệm
Phụ lục A (quy định) - Lưu ý trong ứng dụng sản phẩm cụ thể liên quan đến bố trí phép đo hoặc điều kiện làm việc cụ thể
Phụ lục B (quy định) - Bố trí thử nghiệm đối với phép đo nhiễu dẫn
Phụ lục C (quy định) - Bố trí thử nghiệm đối với phép đo nhiễu bức xạ
Phụ lục D (tham khảo) - Ví dụ về ứng dụng giới hạn và phương pháp thử
Phụ lục E (tham khảo) - Xem xét thống kê trong việc xác định sự phù hợp về EMC của sản phẩm sản xuất hàng loạt
Thư mục tài liệu tham khảo
1 Hệ thống TCVN đã có TCVN 9894:2013 (IEC/TS 62504: 2011)
2 Hệ thống TCVN đã có TCVN 6989-1-1:2008 (CISPR 16-1-1:2006)
3 Hệ thống TCVN đã có TCVN 6989-1-2:2010 (CISPR 16-1-1:2006)
4 Hệ thống TCVN đã có TCVN 6989-1-4:2010 (CISPR 16-1-4:2010)
5 Hệ thống TCVN đã có TCVN 6989-2-1:2010 (CISPR 16-2-1:2008)
6 Hệ thống TCVN đã có TCVN 6989-2-3:2010 (CISPR 16-2-3:2010)
7 Hệ thống TCVN đã có TCVN ISO/IEC 17025:2017 (ISO/IEC 17025:2017)
8 Tiêu chuẩn này đã bị hủy và thay thế bằng IEC 61140:2016, Protection against electric shock - Common aspects for installation and equipment
Ý kiến bạn đọc
