Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 6988:2018 (CISPR 11:2016) về Giới hạn và phương pháp đo đặc tính nhiễu tần số radio của thiết bị công nghiệp, nghiên cứu khoa học và y tế
CISPR 11:2016
Industrial, scientific and medical equipment - Radio-frequency disturbance characteristics - Limits and methods of measurement
Lời nói dầu
TCVN 6988:2018 thay thế cho TCVN 6988:2006;
TCVN 6988:2018 hoàn toàn tương đương với CISPR 11:2016;
TCVN 6988:2018 do Ban kỹ thuật Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN/TC/E9 Tương thích điện từ biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học và Công nghệ công bố.
GIỚI HẠN VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO ĐẶC TÍNH NHIỄU TẦN SỐ RADIO CỦA THIẾT BỊ CÔNG NGHIỆP, NGHIÊN CỨU KHOA HỌC VÀ Y TẾ
Industrial, scientific and medical equipment - Radio-frequency disturbance characteristics - Limits and methods of measurement
Tiêu chuẩn này áp dụng cho các thiết bị công nghiệp, nghiên cứu khoa học và y tế (ISM) làm việc trong dải tần từ 0 Hz đến 400 GHz và cho thiết bị gia dụng và các thiết bị tương tự được thiết kế để phát và/hoặc sử dụng năng lượng tần số radio tại chỗ.
Tiêu chuẩn này bao gồm các yêu cầu về bức xạ liên quan đến nhiễu tần số radio (RF) trong phạm vi dải tần từ 9 kHz đến 400 GHz. Các phép đo chỉ cần thực hiện trong các dải tần có các giới hạn được quy định trong Điều 6.
Đối với các ứng dụng ISM RF theo nghĩa được định nghĩa trong Thể lệ Vô tuyến điện của Liên minh Viễn thông Quốc tế (xem Định nghĩa 3.13), tiêu chuẩn này bao gồm các yêu cầu về phát xạ liên quan tới nhiễu tần số radio trong phạm vi dải tần từ 9 kHz đến 18 GHz.
CHÚ THÍCH: Yêu cầu về phát xạ đối với thiết bị nấu ăn cảm ứng được quy định trong CISPR 14-1 [1] [1].
Yêu cầu đối với thiết bị chiếu sáng ISM RF và thiết bị chiếu xạ UV làm việc ở các tần số trong phạm vi dải tần của ISM theo định nghĩa của Thể lệ Vô tuyến điện của ITU được cho trong tiêu chuẩn này.
Các thiết bị thuộc phạm vi các tiêu chuẩn CISPR khác về phát xạ của sản phẩm và họ sản phẩm không thuộc phạm vi của tiêu chuẩn này.
Các tài liệu viện dẫn sau rất cần thiết cho việc áp dụng tiêu chuẩn này. Đối với các tài liệu viện dẫn ghi năm công bố thì chỉ áp dụng các bản được nêu. Đối với các tài liệu viện dẫn không ghi năm công bố thì áp dụng phiên bản mới nhất (bao gồm cả các sửa đổi).
CISPR 16-1-1:2010, with amendment 1:2010 and amendment 2:2014[2], Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-1: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Measuring apparatus (Quy định kỹ thuật đối với thiết bị và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm radio - Phần 1-1: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm radio - Thiết bị đo)
CISPR 16-1-2:2014[3], Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-2: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Coupling devices for conducted disturbance measurements (Quy định kỹ thuật đối với thiết bị và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm radio - Phần 1-2: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm radio - Linh kiện ghép dùng cho phép đo nhiễu dẫn)
CISPR 16-1-4:2010 with amendment 1:2012[4], Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-4: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Antennas and test sites for radiated disturbance measurements (Quy định kỹ thuật đối với thiết bị và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm radio - Phần 1-4: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm radio - Anten và vị trí đo kiểm đối với phép đo nhiễu bức xạ)
CISPR 16-2-1:2014[5], Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 2-1: Methods of measurement of disturbances and immunity - Conducted disturbance measurements (Quy định kỹ thuật đối với thiết bị và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm radio - Phần 2-1: Phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm - Phép đo nhiễu dẫn)
CISPR 16-2-3:2010 with amendment 1:2010 and amendment 2.2014[6], Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 2-3: Methods of measurement of disturbances and immunity - Radiated disturbance measurements (Quy định kỹ thuật đối với thiết bị và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm radio - Phần 2-3: Phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm - Phép đo nhiễu bức xạ)
CISPR 16-4-2:2011 with amendment 1:2014, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 4-2: Uncertainties, statistics and limit modelling - Measurement instrumentation uncertainty (Quy định kỹ thuật đối với thiết bị và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm radio - Phần 4-2: Độ không chắc chắn, thống kê và lập mô hình giới hạn - Độ không chắc chắn của dụng cụ đo)
IEC 60050-161, International Electrotechnical Vocabulary (IEV) - Chapter 161: Electro-magnetic compatibility (Từ vựng kỹ thuật điện quốc tế (IEV) - Chương 161: Tương thích điện từ)
IEC 60601-1-2:2014, Medical electrical equipment - Part 1-2: General requirements for basic safety and essential performance - Collateral standard: Electromagnetic disturbances - Requirements and tests (Thiết bị điện y tế - Phần 1-2: Yêu cầu chung về an toàn cơ bản và tính năng chủ yếu - Tiêu chuẩn phụ: Nhiễu điện từ - Yêu cầu và thử nghiệm)
IEC 60601-2-2:2009, Medical electrical equipment - Part 2-2: Particular requirements for the basic safety and essential performance of high frequency surgical equipment and high frequency surgical accessories (Thiết bị điện y tế - Phần 2-2: Yêu cầu cụ thể về an toàn cơ bản và tính năng chủ yếu của thiết bị phẫu thuật tần số cao và các phụ kiện phẫu thuật tần số cao)
IEC 60974 10, Arc welding equipment - Part 10: Electromagnetic compatibility (EMC) requirements (Thiết bị hàn hồ quang - Phần 10: Yêu cầu về tương thích điện từ (EMC))
IEC 61000-4-6:2013, Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-6: Testing and measurement techniques - Immunity to conducted disturbances, induced by radio-frequency field (Tương thích điện từ (EMC) - Phần 4-6: Phương pháp thử nghiệm và đo - Miễn nhiễm về nhiễu dẫn được cảm ứng bởi trường tần số radio)
IEC 61307:2011, Industrial microwave heating installations - Test methods for the determination of power output (Hệ thống lắp đặt sưởi ấm bằng lò vi sóng công nghiệp - Phương pháp thử để xác định công suất đầu ra)
IEC 62135-2:2015, Resistance welding equipment - Part 2: Electromagnetic compatibility (EMC) requirements (Thiết bị hàn bằng điện trở - Phần 2: Yêu cầu tương thích điện từ (EMC))
ITU Radio Regulations (2012), Radio Regulations, Volume 3 - Resolutions and recommendations, Resolution no. 63 (available at: http://www.itu.int/pub/R-REG-RR-2012) (Thể lệ Vô tuyến điện của ITU (2012), Thể lệ Vô tuyến điện, Tập 3 - Các nghị quyết và khuyến cáo, Nghị quyết số 63 (có thể xem tại: http://www.itu.int/pub/R-REG-RR-2012))
Tiêu chuẩn này áp dụng các thuật ngữ và định nghĩa nêu trong IEC 60050-161 và các thuật ngữ và định nghĩa sau đây.
3.1
Cổng nguồn xoay chiều (a.c. mains power port)
Cổng sử dụng để kết nối tới hệ thống phân phối điện lưới xoay chiều điện áp thấp công cộng hoặc hệ thống lắp đặt cáp điện xoay chiều điện áp thấp khác.
3.2
Thiết bị hàn hồ quang (arc welding equipment)
Thiết bị dùng để đặt dòng điện và điện áp và có các đặc tính yêu cầu phù hợp đối với hàn hồ quang và các quá trình đi kèm.
3.3
Mạng nguồn giả (artificial mains network - AMN)
Mạng nguồn một trở kháng xác định cho EUT ở các tần số radio, ghép điện áp nhiễu cho các bộ thu đo lường và khử ghép mạch thử nghiệm khỏi nguồn lưới.
CHÚ THÍCH 1: Có hai loại AMN cơ bản: Mạng giả V (V-AMN) ghép các điện áp không đối xứng và hệ thống Delta ghép riêng rẽ các điện áp đối xứng và không đối xứng.
CHÚ THÍCH 2: Các thuật ngữ hệ thống ổn định trở kháng đường dây (LISN) và V-AMN được sử dụng thay thế cho nhau.
3.4
Đường biên của thiết bị cần thử nghiệm (boundary of the equipment under test)
Đường bao tưởng tượng gồm các đoạn thẳng mô tả một cấu hình hình học đơn giản chứa toàn bộ thiết bị cần thử nghiệm.
CHÚ THÍCH: Tất cả các cáp liên kết đều nằm trong đường biên này.
3.5
Thành phần (component)
Sản phẩm phục vụ một hay nhiều chức năng cụ thể và được thiết kế để sử dụng trong một thiết bị hoặc hệ thống có bậc lắp ráp cao hơn.
3.6
Mạng nguồn giả một chiều (d.c. artificial network / artificial d.c. network / DC-AN)
Mạng giả cung cấp đầu nối quy định cho cổng nguồn d.c. cần thử nghiệm của EUT đồng thời cũng cung cấp khử ghép cần thiết khỏi các nhiễu dẫn bắt nguồn từ nguồn điện d.c phòng thí nghiệm hoặc từ phụ tải.
3.7
Cổng nguồn một chiều (d.c. power port)
Cổng sử dụng để kết nối với hệ thống phát điện một điện áp thấp hoặc tích trữ năng lượng, hoặc tới nguồn/phụ tải khác.
CHÚ THÍCH: Hệ thống này có thể là, ví dụ như một hệ thống quang điện hoặc hệ thống phát điện pin nhiên liệu, hoặc một pin/acquy.
3.8
Thiết bị gia công bằng phương pháp phóng điện (EDM) (electro-discharge machining (EDM) equipment)
Tất cả các khối cần thiết cho quá trình ăn mòn bằng tia lửa điện bao gồm máy công cụ, máy phát, mạch điều khiển, thùng chứa chất lỏng gia công và các linh kiện tích hợp.
3.9
Bức xạ điện từ (electromagnetic radiation)
1) Hiện tượng năng lượng dưới dạng sóng điện từ lan truyền từ một nguồn ra không gian,
2) Năng lượng truyền trong không gian dưới dạng sóng điện từ.
CHÚ THÍCH: Hiểu theo nghĩa rộng, thuật ngữ “bức xạ điện từ” đôi khi bao hàm cả các hiện tượng cảm ứng.
[Nguồn: IEC 60050-161:1990, 161-01-10]
3.10
Thiết bị hàn điện trở và các quá trình đi kèm (equipment for resistance welding and allied processes)
Tất cả các thiết bị kết hợp với việc thực hiện các quá trình hàn điện trở hoặc các quá trình đi kèm, bao gồm ví dụ như nguồn điện, các điện cực, dụng cụ và thiết bị điều khiển liên quan, là một khối riêng hoặc một phần của một máy phức tạp.
3.11
Bộ chuyển đổi điện nối lưới (grid connected power converter/GCPC)
Bộ chuyển đổi được kết nối với mạng phân phối lưới điện a.c. hoặc hệ thống lắp đặt nguồn điện a.c. khác và được sử dụng trong một hệ thống phát điện.
3.12
Hệ thống và thiết bị điện tử công suất cao (high power electronic system and equipment)
Một hay nhiều bộ đổi nguồn bán dẫn với công suất danh định kết hợp lớn hơn 75 kVA, hoặc một thiết bị chứa các bộ đổi nguồn này.
CHÚ THÍCH: Các ví dụ về các thiết bị điện tử công suất lớn này là bộ đổi nguồn bán dẫn ứng dụng trong UPS (hệ thống nguồn điện không gián đoạn) và PDS (hệ thống truyền động điện)
3.13
Các ứng dụng công nghiệp, nghiên cứu khoa học và y tế (ISM) (của năng lượng tần số radio)
(industrial, scientific and medical (ISM) applications (of radio frequency energy))
Vận hành thiết bị hoặc dụng cụ được thiết kế để phát ra và sử dụng tại chỗ năng lượng tần số radio dùng trong công nghiệp, nghiên cứu khoa học, y tế, gia dụng hoặc các mục đích tương tự, ngoại trừ các ứng dụng trong lĩnh vực truyền thông.
CHÚ THÍCH: Các ứng dụng điển hình là tạo ra các hiệu ứng vật lý, sinh học hoặc hóa học, chẳng hạn như gia nhiệt, ion hóa khí, rung động cơ học, tẩy lông, gia tốc các hạt tích điện. Một danh sách không đầy đủ của các ví dụ này được nêu trong Phụ lục A.
[Nguồn: Thể lệ Vô tuyến điện của ITU Quyển 1: 2012 - Chương I, Định nghĩa 1.15]
3.14
Thiết bị và dụng cụ ISM RF (ISM RF equipment and appliances)
Thiết bị hoặc dụng cụ được thiết kế để phát ra và sử dụng tại chỗ năng lượng tần số radio dùng trong công nghiệp, nghiên cứu khoa học, y tế, gia dụng hoặc các mục đích tương tự, ngoại trừ các ứng dụng trong lĩnh vực truyền thông và công nghệ thông tin và các ứng dụng khác được đề cập trong các tiêu chuẩn khác.
CHÚ THÍCH: Thuật ngữ viết tắt “ISM RF” được sử dụng trong toàn bộ tiêu chuẩn này chỉ để cho các thiết bị và dụng cụ như vậy.
3.15
Điện áp thấp (low voltage/LV)
Tập hợp các mức điện áp được sử dụng để phân phối điện năng và giới hạn trên thường được chấp nhận là 1 000 V a.c. hoặc 1 500 V d.c.
[Nguồn: IEC 60050-601:1985, 601-01-26, đã chỉnh sửa - bổ sung thêm cụm từ “hoặc 1 500 V d.c.”]
3.16
Hệ thống phát điện quang điện (photovoltaic power generating system)
Hệ thống phát điện sử dụng hiệu ứng quang điện để chuyển đổi năng lượng mặt trời thành điện.
3.17
Thiết bị cỡ nhỏ (small size equipment)
Thiết bị, khi đặt trên mặt bàn hoặc đứng trên sàn nhà, kể cả các cáp nối, lọt vừa bên trong một thể tích thử nghiệm hình trụ tưởng tượng có đường kính 1,2 m và cao 1,5 m (tới mặt phẳng nền).
3.18
Ăn mòn bằng tia lửa điện (spark eosion)
Loại bỏ vật liệu trong chất điện môi lỏng gia công bằng các phóng điện, tách rời nhau về thời gian và được phân bố ngẫu nhiên trong không gian, giữa hai điện cực dẫn điện (điện cực công cụ và điện cực chi tiết gia công), và trong đó năng lượng phóng điện được kiểm soát.
3.19
Thử nghiệm điển hình (type test)
Thử nghiệm một hay nhiều thiết bị được chế tạo theo một thiết kế nhất định để chứng tỏ thiết kế đáp ứng các quy định kỹ thuật nhất định.
CHÚ THÍCH: Việc thừa nhận một thử nghiệm điển hình như sự chấp nhận kiểu có thể phụ thuộc vào quy định quốc gia hoặc khu vực, xem H.2 trong Phụ lục H.
3.20
Phòng hấp thụ hoàn toàn (fully-anechoic room / FAR)
Khoang được che chắn với các bề mặt bên trong được phủ vật liệu hấp thụ năng lượng tần số radio (tức là chất hấp thụ tần số radio) hấp thụ năng lượng điện từ trong dải tần số quan tâm.
3.21
Khu vực thử nghiệm ngoài trời (open-area test site / OATS)
Cơ sở được sử dụng để đo các trường điện từ nhằm mục đích mô phỏng một môi trường không gian bán tự do trong dải tần số quy định được sử dụng để thử nghiệm phát xạ của các sản phẩm.
CHÚ THÍCH: Một OATS thường bố trí ngoài trời trong một vị trí mở, và có một mặt phẳng nền dẫn điện.
3.22
Buồng bán hấp thu (semi-anechoic chamber / SAC)
Khoang được che chắn, trong đó năm trong sáu bề mặt bên trong được phủ vật liệu hấp thụ năng lượng tần số radio (tức là chất hấp thụ tần số radio) hấp thụ năng lượng điện từ trong dải tần số quan tâm, và bề mặt ngang bên dưới là mặt phẳng nền dẫn điện để sử dụng với các thiết lập thử nghiệm OATS.
4 Tần số được chỉ định để dùng cho ISM
Liên minh Viễn thông Quốc tế (ITU) đã chỉ định một số tần số để sử dụng làm tần số cơ bản cho các ứng dụng ISM RF (xem thêm Định nghĩa 3.13). Các tần số này được liệt kê trong Bảng 1.
CHÚ THÍCH: Mỗi quốc gia riêng biệt khác nhau có thể chỉ định các tần số khác nhau hoặc tần số bổ sung cho các ứng dụng ISM RF.
Bảng 1 - Tần số trong dải tần số radio được ITU chỉ định để sử dụng làm tần số cơ bản ISM
|
Tần số trung tâm MHz |
Dải tần MHz |
Giới hạn bức xạ tối đa b |
Số hiệu chú thích thích hợp trong bảng phân bổ tần số theo Thể lệ Vô tuyến điện của ITU a |
|
6,780 |
6,765 - 6,795 |
Đang xem xét |
5.138 |
|
13,560 |
13,553 - 13,567 |
Không hạn chế |
5.150 |
|
27,120 |
26,957 - 27,283 |
Không hạn chế |
5.150 |
|
40,680 |
40,66 - 40,70 |
Không hạn chế |
5.150 |
|
433,920 |
433,05 - 434,79 |
Đang xem xét |
5.138 trong Vùng 1, trừ các nước đề cập trong 5.280 |
|
915,000 |
902 - 928 |
Không hạn chế |
5.150 chỉ trong Vùng 2 |
|
2 450 |
2 400 - 2 500 |
Không hạn chế |
5.150 |
|
5 800 |
5 725 - 5 875 |
Không hạn chế |
5.150 |
|
24 125 |
24 000 - 24 250 |
Không hạn chế |
5.150 |
|
61 250 |
61 000 - 61 500 |
Đang xem xét |
5.138 |
|
122 500 |
122 000 - 123 000 |
Đang xem xét |
5.138 |
|
245 000 |
244 000 - 246 000 |
Đang xem xét |
5.138 |
|
a Áp dụng Nghị quyết số 63 về Thể lệ Vô tuyến điện của ITU. b Thuật ngữ “không hạn chế” áp dụng cho tần số cơ bản và cho tất cả các thành phần tần số khác thuộc phạm vi băng tần được chỉ định. Bên ngoài các băng tần ISM được ITU chỉ định, các giới hạn đối với điện áp nhiễu và nhiễu bức xạ áp dụng theo tiêu chuẩn này. |
|||
5.1 Phân loại theo nhóm
Nhằm đơn giản hóa việc định danh các giới hạn liên quan, các thiết bị thuộc phạm vi của tiêu chuẩn này được phân loại thành hai nhóm: nhóm 1 và nhóm 2.
Thiết bị nhóm 1: Nhóm 1 gồm tất cả các thiết bị thuộc phạm vi của tiêu chuẩn này mà không được phân loại là thiết bị nhóm 2.
Thiết bị nhóm 2: Nhóm 2 gồm tất cả các thiết bị ISM RF trong đó năng lượng tần số radio trong dải tần số từ 9 kHz đến 400 GHz được phát ra có chú ý và được sử dụng hoặc chỉ được sử dụng tại chỗ, ở dạng bức xạ điện từ, ghép cảm ứng và/hoặc điện dung, để xử lý vật liệu, cho mục đích quan sát/phân tích, hoặc để truyền năng lượng điện từ.
CHÚ THÍCH: Xem Phụ lục A về các ví dụ phân loại thiết bị thành nhóm 1 và nhóm 2.
5.2 Phân loại theo cấp thiết bị
Tùy theo việc sử dụng dự kiến của thiết bị trong môi trường điện từ, tiêu chuẩn này xác định hai cấp thiết bị, cấp A và cấp B.
Thiết bị cấp A là thiết bị thích hợp để sử dụng trong mọi công trình ngoại trừ các công trình nhà ở và các công trình được nối trực tiếp với mạng cấp nguồn điện áp thấp, cấp điện cho các toà nhà được sử dụng cho các mục đích gia dụng.
Thiết bị cấp A phải đáp ứng các giới hạn cấp A.
Thiết bị hàn hồ quang chứa các cơ cấu mồi hồ quang hoặc ổn định hồ quang và các cơ cấu mồi hồ quang hoặc ổn định hồ quang độc lập phải được phân loại là thiết bị cấp A.
Thiết bị cấp B là thiết bị thích hợp để sử dụng trong các công trình nhà ở và các công trình được nối trực tiếp với mạng cấp nguồn điện áp thấp, cấp điện cho các toà nhà được sử dụng cho các mục đích gia dụng.
Thiết bị cấp B phải đáp ứng các giới hạn cấp B.
5.3 Tài liệu cho người sử dụng
Nhà chế tạo và/hoặc nhà cung cấp thiết bị phải đảm bảo rằng người sử dụng được cho biết về cấp và nhóm của thiết bị, bằng cách ghi nhãn hoặc tài liệu kèm theo. Trong cả hai trường hợp này, nhà chế tạo/nhà cung cấp phải giải thích ý nghĩa của cấp cũng như của nhóm trong tài liệu kèm theo thiết bị.
Tài liệu kèm theo thiết bị phải bao gồm các chi tiết về mọi biện pháp phòng ngừa để người mua hoặc người sử dụng cần tuân thủ nhằm đảm bảo vận hành và việc sử dụng thiết bị bình thường tại hiện trường không gây nhiễu tần số radio (RFI) có hại. Trong tiêu chuẩn này, các chi tiết sau này bao gồm thông tin về:
• khả năng của nhiễu tần số radio bắt nguồn từ việc vận hành thiết bị cấp A trong một số môi trường nhất định,
• các biện pháp phòng ngừa đặc biệt cần tuân thủ khi nối thiết bị cấp A với mạng cấp nguồn điện áp thấp, xem các ghi chú a và b trong Bảng 2, ghi chú b trong Bảng 3 và Ghi chú a trong Bảng 6 tương ứng,
• các biện pháp có thể được đưa ra tại mức lắp đặt nhằm giảm sự phát xạ từ thiết bị cấp A được lắp đặt, xem ghi chú b trong Bảng 2 và ghi chú a trong Bảng 8.
Đối với thiết bị cấp A, hướng dẫn sử dụng kèm sản phẩm phải có nội dung sau:
Cảnh báo: Thiết bị này không được thiết kế để sử dụng trong môi trường dân cư và có thể không cung cấp bảo vệ đủ cho việc thu sóng radio trong môi trường này.
Đối với các phép đo tại các khu vực thử nghiệm chuẩn, các yêu cầu quy định sau đây tạo thành các yêu cầu đối với các thử nghiệm điển hình.
Thiết bị cấp A có thể được đo tại khu vực thử nghiệm hoặc tại hiện trường, tùy theo sự lựa chọn của nhà chế tạo.
CHÚ THÍCH 1: Do kích thước, tính phức tạp hoặc điều kiện vận hành, một số thiết bị có thể phải được đo tại hiện trường để chứng tỏ sự phù hợp với các giới hạn về nhiễu bức xạ quy định trong tiêu chuẩn này.
Thiết bị cấp B phải được đo tại khu vực thử nghiệm.
CHÚ THÍCH 2: Các giới hạn đã được xác định trên cơ sở xác suất có tính đến khả năng của nhiễu. Trong trường hợp có nhiễu, có thể phải áp dụng các quy định bổ sung.
Giới hạn thấp hơn phải áp dụng tại tất cả các tần số chuyển tiếp.
Thiết bị và phương pháp đo được quy định tại các Điều 7, Điều 8 và Điều 9.
Trường hợp tiêu chuẩn này đưa ra các tùy chọn để thử nghiệm các yêu cầu cụ thể bằng cách lựa chọn phương pháp thử nghiệm, thi có thể chứng minh sự phù hợp dựa vào bất kỳ phương pháp thử nghiệm nào, bằng cách sử dụng các giới hạn quy định cùng với các hạn chế được cung cấp trong các bảng có liên quan. Trong trường hợp bất kỳ nếu cần phải thử nghiệm lại thiết bị thì sử dụng phương pháp thử nghiệm được lựa chọn ban đầu để đảm bảo tính nhất quán của các kết quả.
6.2 Thiết bị Nhóm 1 được đo tại khu vực thử nghiệm
6.2.1 Giới hạn đối với nhiễu dẫn
6.2.1.1 Quy định chung
EUT phải đáp ứng:
a) cả giới hạn trung bình quy định trong các phép đo bằng bộ tách sóng trung bình và cả giới hạn tựa đỉnh quy định trong các phép đo bằng bộ tách sóng tựa đỉnh (xem 7.3); hoặc
b) giới hạn trung bình khi sử dụng bộ tách sóng tựa đỉnh (xem 7.3).
Các giới hạn đối với cổng nguồn d.c. điện áp thấp quy định sau đây chỉ áp dụng cho các bộ chuyển đổi điện nối lưới (GCPC) được thiết kế để lắp ráp trong hệ thống phát điện quang điện.
6.2.1.2 Dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz
Trong dải tần 9 kHz đến 150 kHz, không quy định các giới hạn.
6.2.1.3 Dải tần 150 kHZ đến 30 MHz
Các giới hạn đối với điện áp nhiễu tại cổng nguồn a.c. điện áp thấp trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz đối với các thiết bị được đo tại khu vực thử nghiệm bằng cách sử dụng mạng nguồn giả (V-AMN) 50 Ω /50 μH hoặc đầu đo điện áp (xem 7.3.3 và Hình 1) được cho trong các Bảng 2 và Bảng 4.
Giới hạn nhiễu dẫn tại cổng nguồn d.c. điện áp thấp trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz đối với thiết bị được đo tại khu vực thử nghiệm, sử dụng mạng CISPR 150 Ω (DC-AN) (xem 7.3.2.3 và Phụ lục I) hoặc đầu đo điện áp (xem CISPR 16-1-2) được cho trong Bảng 3 và Bảng 5.
Bảng 2 - Giới hạn điện áp nhiễu đối với thiết bị nhóm 1 cấp A đo tại khu vực thử nghiệm (cổng nguồn a.c.)
|
Dải tần MHz |
Công suất danh định ≤ 20 kVA c |
Công suất danh định > 20 kVA và ≤ 75 kVA a, c |
Hệ thống và thiết bị điện tử công suất lớn, Công suất danh định > 75kVA b, c |
|||
|
Tựa đỉnh dBμV |
Trung bình dBμV |
Tựa đỉnh dBμV |
Trung bình dBμV |
Tựa đỉnh dBμV |
Trung bình dBμV |
|
|
0,15 - 0,50 |
79 |
66 |
100 |
90 |
130 |
120 |
|
0,50 - 5 |
73 |
60 |
86 |
76 |
125 |
115 |
|
5 - 30 |
73 |
60 |
90 |
80 |
115 |
105 |
|
giảm tuyến tính theo logarit của tần số |
||||||
|
73 |
60 |
|||||
|
Ở tần số chuyển tiếp, áp dụng giới hạn nghiêm ngặt hơn. Đối với thiết bị cấp A được thiết kế chỉ để nối với mạng phân phối điện công nghiệp trung tính cách ly hoặc nối đất trở kháng cao (xem IEC 60364-1), có thể áp dụng các giới hạn đối với thiết bị có công suất danh định > 75 kVA, không phụ thuộc vào công suất danh định thực tế. CHÚ THÍCH: Công suất danh định đầu vào hoặc đầu ra 20 kVA tương ứng đối với ví dụ như với dòng điện xấp xỉ 29 A mỗi pha trong trường hợp của mạng cấp nguồn ba pha 400 V, và với dòng điện xấp xỉ 58 A mỗi pha trong trường hợp của mạng cấp nguồn ba pha 200 V. |
||||||
|
a Các giới hạn này áp dụng cho các thiết bị có công suất danh định > 20 kVA và được thiết kế để kết nối với máy biến áp hoặc máy phát điện chuyên dụng, mà không được nối với các đường dây điện trên không điện áp thấp (LV). Đối với các thiết bị không được thiết kế để nối với máy biến áp chuyên dụng cho người sử dụng, áp dụng các giới hạn đối với công suất danh định ≤ 20 kVA. Nhà chế tạo, và/hoặc nhà cung cấp phải đưa ra thông tin về các biện pháp lắp đặt có thể sử dụng nhằm giảm sự phát xạ từ thiết bị được lắp đặt. Cụ thể là phải chỉ ra rằng thiết bị này được thiết kế để nối với máy biến áp hoặc máy phát điện chuyên dụng chứ không phải là kết nối với các đường dây trên không điện áp thấp. b Các giới hạn này chỉ áp dụng cho các hệ thống và thiết bị điện tử công suất lớn có cõng suất danh định lớn hơn 75 kVA khi được thiết kế để lắp đặt như sau: - hệ thống lắp đặt được cấp nguồn từ máy biến áp hoặc máy phát điện chuyên dụng, và không được nối với các đường dây trên không điện áp thấp (LV), - hệ thống lắp đặt được cách ly về vật lý với các môi trường dân cư bởi khoảng cách lớn hơn 30 m hoặc bằng một cấu trúc có tác dụng như một rào cản với hiện tượng bức xạ, - nhà chế tạo và/hoặc nhà cung cấp phải chỉ ra rằng thiết bị này đáp ứng các giới hạn điện áp nhiễu đối với các hệ thống và thiết bị điện tử công suất lớn có công suất vào danh định > 75 kVA và cung cấp thông tin về các biện pháp lắp đặt cần được áp dụng bởi người lắp đặt. Cụ thể, cần chỉ ra trang thiết bị này được thiết kế để sử dụng trong một hệ thống lắp đặt được cấp điện bởi một máy biến áp hoặc máy phát điện chuyên dụng, mà không được cấp nguồn bởi các đường dây trên không điện áp thấp (LV) c Việc lựa chọn tập hợp giới hạn thích hợp phải dựa trên công suất a.c. danh định do nhà chế tạo công bố. |
||||||
Bảng 3 - Giới hạn nhiễu dẫn đối với thiết bị cấp A nhóm 1 được đo tại khu vực thử nghiệm (cổng nguồn d.c.)
|
Dải tần MHz |
Công suất danh định ≤ 20 kVA a |
Công suất danh định > 20 kVA và ≤ 75 kVA a, b |
Công suất danh định > 75 kVA a, b |
|||||||
|
Giới hạn điện áp |
Giới hạn điện áp |
Giới hạn dòng điện |
Giới hạn điện áp |
Giới hạn dòng điện |
||||||
|
Tựa đỉnh |
Trung bình |
Tựa đỉnh |
Trung bình |
Tựa đỉnh |
Trung bình |
Tựa đỉnh |
Trung bình |
Tựa đỉnh |
Trung bình |
|
|
dBμV |
dBμV |
dBμV |
dBμV |
dBμA |
dBμA |
dBμV |
dBμV |
dBμA |
dBμA |
|
|
0,15 |
97 |
84 |
116 |
106 |
72 |
62 |
132 |
122 |
88 |
78 |
|
đến |
đến |
đến |
đến |
đến |
đến |
đến |
đến |
đến |
đến |
đến |
|
5 |
89 |
76 |
106 |
96 |
62 |
52 |
122 |
112 |
78 |
68 |
|
5 |
|
|
106 |
96 |
62 |
52 |
122 |
122 |
78 |
68 |
|
đến |
89 |
75 |
đến |
đến |
đến |
đến |
đến |
đến |
đến |
đến |
|
30 |
|
|
89 |
76 |
45 |
32 |
105 |
92 |
61 |
48 |
|
Trong dải tần nhất định, các giới hạn trong bảng này giảm tuyến tính theo logarit của tần số. a) Việc lựa chọn tập hợp các giới hạn phù hợp phải dựa trên công suất danh định a.c. do nhà chế tạo công bố. b) Các giới hạn này áp dụng cho các thiết bị có công suất danh định > 20 kVA và được thiết kế để được lắp đặt trong một hệ thống phát điện quang điện lớn bởi người có chuyên môn. Trọng sổ tay hướng dẫn kèm theo sản phẩm, nhà chế tạo và/hoặc nhà cung cấp phải cung cấp thông tin về các biện pháp giảm thiểu có thể sử dụng để giảm sự phát xạ từ thiết bị được lắp đặt, với mục tiêu ngăn chặn nhiễu có hại với việc thu sóng radio trong khoảng cách 30 m từ hệ thống lắp đặt. Cụ thể, phải chỉ ra rằng thiết bị này có thể được trang bị bộ lọc bổ sung và hệ thống lắp đặt này được cách ly về vật lý với các môi trường dân cư bằng khoảng cách lớn hơn 30 m. Người lắp đặt cần kiểm tra hệ thống lắp đặt được giảm thiểu theo các phép đo tại hiện trường của tiêu chuẩn này được nêu ở 6.4 của tiêu chuẩn này. |
||||||||||
Bảng 4 - Giới hạn điện áp nhiễu đối với thiết bị nhóm 1 cấp B được đo tại khu vực thử nghiệm (cổng nguồn a.c.)
|
Băng tần MHz |
Tựa đỉnh dBμV |
Trung bình dBμV |
|
0,15 - 0,50 |
66 Giảm tuyến tính theo logarit của tần số 56 |
56 Giảm tuyến tính theo logarit của tần số 46 |
|
0,50 - 5 |
56 |
46 |
|
5 - 30 |
60 |
50 |
|
Ở tần số chuyển tiếp, áp dụng giới hạn nghiêm ngặt hơn. |
||
Đối với máy phát tia X dùng trong chẩn đoán, làm việc ở chế độ gián đoạn, các giới hạn tựa đỉnh của Bảng 2 hoặc Bảng 4 có thể giảm thêm 20 dB.
Bảng 5 - Giới hạn điện áp nhiễu đối với thiết bị nhóm 1 cấp B được đo tại khu vực thử nghiệm (cổng nguồn d.c.)
|
Băng tần MHz |
Tựa đỉnh dBμV |
Trung bình dBμV |
|
|
84 |
74 |
|
0,15 - 0,50 |
Giảm tuyến tính theo logarit của tần số |
Giảm tuyến tính theo logarit của tần số |
|
|
74 |
64 |
|
0,50 - 30 |
74 |
64 |
6.2.2 Giới hạn của nhiễu bức xạ điện từ
6.2.2.1 Quy định chung
EUT phải đáp ứng các giới hạn tựa đỉnh khi sử dụng bộ tách sóng tựa đỉnh.
6.2.2.2 Dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz
Trong dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz, không quy định các giới hạn.
6.2.2.3 Dải tần từ 150 kHz đến 1 GHz
Trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz, không quy định các giới hạn.
Trong dải tần cao hơn 30 MHz, các giới hạn liên quan đến thành phần cường độ trường điện của nhiễu bức xạ điện từ.
Các giới hạn nhiễu bức xạ điện từ trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz đối với thiết bị nhóm 1, cấp A và cấp B được quy định tương ứng trong Bảng 6 và Bảng 7. Các khuyến cáo đối với việc bảo vệ các dịch vụ radio liên quan tới an toàn cụ thể được nêu trong Phụ lục E và Bảng E.1.
Trong một khu vực thử nghiệm ngoài trời (OATS) hoặc buồng bán hấp thụ (SAC), thiết bị cấp A có thể được đo ở khoảng cách danh nghĩa 3 m, 10 m hoặc 30 m (xem thông tin trong Bảng 6) và thiết bị cấp B được đo ở khoảng cách danh nghĩa của 3 m hoặc 10 m (xem thông tin trong Bảng 7). Khoảng cách đo nhỏ hơn 10 m chỉ cho phép đối với thiết bị phù hợp với định nghĩa của thiết bị cỡ nhỏ nêu ở 3.17.
Trong phòng hấp thụ hoàn toàn (FAR), thiết bị cấp A hoặc cấp B có thể được đo ở khoảng cách danh nghĩa 3 m (xem thông tin trong Bảng 6 và Bảng 7), với điều kiện EUT nằm vừa bên trong thể tích thử nghiệm được công nhận của FAR đã cho. Kết hợp với các phép đo theo tiêu chuẩn này, việc sử dụng FAR chỉ hạn chế ở các thiết bị đặt trên bàn.
Bảng 6 - Giới hạn nhiễu bức xạ điện từ đối với thiết bị nhóm 1 cấp A đo tại khu vực thử nghiệm
|
Dải tần MHz |
OATS hoặc SAC |
FAR |
||||
|
Công suất danh định ở khoảng cách đo 10 m |
Công suất danh định ở khoảng cách đo 3 m b |
Cường độ trường đo ở khoảng cách 3 m b, c |
||||
|
≤ 20 kVA d |
> 20 kVA a, d |
≤ 20 kVA d |
> 20 kVA a, d |
≤ 20 kVA d |
> 20 kVA a, d |
|
|
Tựa đỉnh dBμV/m |
Tựa đỉnh dBμV/m |
Tựa đỉnh dBμV/m |
Tựa đỉnh dBμV/m |
Tựa đỉnh dBμV/m |
Tựa đỉnh dBμV/m |
|
|
30 - 230 |
40 |
50 |
50 |
60 |
52 giảm tuyến tính theo logarit của tần số 45 |
62 giảm tuyến tính theo logarit của tần số 55 |
|
230 - 1 000 |
47 |
50 |
57 |
60 |
52 |
55 |
|
Trong một OATS hoặc SAC, thiết bị cấp A có thể được đo ở khoảng cách danh nghĩa 3 m, 10 m hoặc 30 m. Trong trường hợp các phép đo ở một khoảng ngăn cách là 30 m thì một hệ số tỷ lệ nghịch của 20 dB trên một decade phải được sử dụng để chuẩn hóa dữ liệu đo được với khoảng cách quy định để xác định sự phù hợp. Ở tần số chuyển tiếp, áp dụng giới hạn nghiêm ngặt hơn. Trong dải tần từ 30 MHz đến 230 MHz, giới hạn đối với phép đo trong FAR giảm tuyến tính theo logarit của tần số. |
||||||
|
a Các giới hạn này áp dụng cho các thiết bị có công suất danh định > 20 kVA và được thiết kế để sử dụng tại các vị trí mà ở đó khoảng cách giữa thiết bị và các truyền thông tần số radio nhạy cảm của bên thứ ba lớn hơn 30 m. Nhà chế tạo phải chỉ ra trong tài liệu kỹ thuật rằng thiết bị này được thiết kế để sử dụng tại các vị trí mà khoảng phân cách tới các dịch vụ tần số radio nhạy cảm của bên thứ ba là > 30 m. Nếu các điều kiện này không được đáp ứng thì áp dụng các giới hạn đối với ≤ 20 kVA. b Khoảng phân cách 3 m chỉ áp dụng cho các thiết bị cỡ nhỏ đáp ứng tiêu chí kích cỡ được xác định ở 3.17. c Thiết bị đặt trên bàn phải nằm vừa bên trong thể tích thử nghiệm được công nhận của FAR. d Việc lựa chọn tập hợp các giới hạn phù hợp phải dựa trên công suất danh định a.c. do nhà chế tạo công bố. |
||||||
Bảng 7 - Giới hạn nhiễu bức xạ điện từ đối với thiết bị nhóm 1 cấp B được đo tại khu vực thử nghiệm
|
Dải tần MHz |
OATS hoặc SAC |
FAR |
|
|
Khoảng cách đo 10 m |
Khoảng cách đo 3 m a |
Khoảng cách do 3 m a, b |
|
|
Tựa đỉnh dBμV/m |
Tựa đỉnh dBμV/m |
Tựa đỉnh dBμV/m |
|
|
30 - 230 |
30 |
40 |
42 giảm tuyến tính theo logarit của tần số 35 |
|
230 - 1.000 |
37 |
47 |
42 |
|
Trong một OATS hoặc SAC, thiết bị cấp B có thể được đo ở khoảng cách danh nghĩa là 3 m hoặc 10 m. Ở tần số chuyển tiếp, áp dụng giới hạn nghiêm ngặt hơn. |
|||
|
a Khoảng phân cách 3 m chỉ áp dụng cho các thiết bị cỡ nhỏ đáp ứng tiêu chí kích cỡ được xác định ở 3.17. b Thiết bị đặt trên bàn phải nằm vừa bên trong thể tích thử nghiệm được công nhận của FAR. |
|||
Đối với thiết bị điện y tế được thiết kế để được lắp đặt cố định trong các vị trí được che chắn, các điều khoản khác liên quan tới bố trí đo và các điều kiện tải được cho trong IEC 60601-1-2.
6.2.2.4 Dải tần từ 1 GHz đến 18 GHz
Trong dải tần từ 1 GHz đến 18 GHz, không quy định các giới hạn.
6.2.2.5 Dải tần từ 18 GHz đến 400 GHz
Trong dải tần từ 18 GHz đến 400 GHz, không quy định các giới hạn.
6.3 Thiết bị nhóm 2 đo tại khu vực thử nghiệm
6.3.1 Giới hạn đối với nhiễu dẫn
6.3.1.1 Quy định chung
EUT phải đáp ứng:
a) cả giới hạn trung bình được quy định đối với phép đo bằng bộ tách sóng trung bình và cả giới hạn tựa đỉnh được quy định đối với phép đo bằng bộ tách sóng tựa đỉnh (xem 7.3); hoặc
b) giới hạn trung bình khi sử dụng bộ tách sóng tựa đỉnh (xem 7.3).
6.3.1.2 Dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz
Trong dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz, không quy định các giới hạn.
6.3.1.3 Dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz
Giới hạn đối với điện áp nhiễu tại các cổng nguồn a.c. điện áp thấp trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz đối với thiết bị được đo tại khu vực thử nghiệm bằng cách sử dụng mạng nguồn giả (V-AMN) 50 Ω/50 μH hoặc đầu đo điện áp (xem 7.3.3 và Hình 1) được cho trong các Bảng 8 và Bảng 9, ngoại trừ đối với các băng tần do ITU chỉ định được liệt kê trong Bảng 1, thì không áp dụng các giới hạn.
Đối với thiết bị hàn điện, áp dụng các giới hạn của Bảng 8 hoặc Bảng 9 ở chế độ làm việc tích cực. Ở chế độ chờ (hoặc không tải), áp dụng các giới hạn của Bảng 2 hoặc Bảng 4.
Đối với các thiết bị chiếu sáng ISM RF làm việc trong các băng tần ISM chuyên dụng (do ITU chỉ định trong Bảng 1), áp dụng các giới hạn của Bảng 9.
Bảng 8 - Giới hạn điện áp nhiễu đối với thiết bị nhóm 2 cấp A được đo trong khu vực thử nghiệm (cổng nguồn a.c.)
|
Dải tần MHz |
Công suất danh định ≤ 75 kVA b |
Công suất danh định > 75 kVA a, b |
||
|
Tựa đỉnh dBμV |
Trung bình dBμV |
Tựa đỉnh dBμV |
Trung bình dBμV |
|
|
0,15 - 0,50 |
100 |
90 |
130 |
120 |
|
0,50 - 5 |
86 |
76 |
125 |
115 |
|
5 - 30 |
90 |
80 |
115 |
105 |
|
giảm tuyến tính theo logarit của tần số |
||||
|
73 |
60 |
|||
|
Ở tần số chuyển tiếp, áp dụng giới hạn nghiêm ngặt hơn. Đối với thiết bị cấp A có công suất danh định ≤ 75 kVA được thiết kế để nối riêng với mạng phân phối điện công nghiệp nối đất cách ly hoặc nối đất trở kháng cao (IT) (xem IEC 60364-1), có thể áp dụng giới hạn được chỉ định cho thiết bị nhóm 2 có công suất danh định > 75 kVA. |
||||
|
a Nhà chế tạo và/hoặc nhà cung cấp phải đưa ra thông tin về các biện pháp lắp đặt có thể được sử dụng để giảm phát xạ từ thiết bị được lắp đặt. b Việc lựa chọn tập hợp các giới hạn phù hợp phải được dựa trên công suất a.c. danh định mà nhà chế tạo công bố. |
||||
CHÚ THÍCH: Công suất đầu vào và đầu ra 75 kVA tương ứng ví dụ như với dòng điện xấp xỉ 108 A trên mỗi pha trong trường hợp của các mạng cấp điện ba pha 400 V và với dòng điện xấp xỉ 216 A trên mỗi pha trong trường hợp của mạng cấp điện ba pha 200 V.
Các thiết bị phẫu thuật tần số cao (HF) phải đáp ứng các giới hạn trong Bảng 2 hoặc Bảng 4 được quy định đối với thiết bị nhóm 1, ở chế độ chờ trong quá trình làm việc. Đối với thiết bị phẫu thuật tần số cao (HF) làm việc ở các tần số nằm ngoài các băng tần ISM được chỉ định (xem Bảng 1) thì cũng áp dụng các giới hạn này ở các tần số làm việc và nằm trong băng tần được chỉ định. Các phép đo liên quan phải được thực hiện trong bố trí thử nghiệm theo IEC 60601-2-2.
Bảng 9 - Giới hạn điện áp nhiễu đối với thiết bị nhóm 2 cấp B được đo tại khu vực thử nghiệm (cổng nguồn a.c.)
|
Dải tần |
Tựa đỉnh |
Trung bình |
|
MHz |
dBμV |
dBμV |
|
0,15 - 0,50 |
66 |
56 |
|
giảm tuyến tính theo logarit của tần số |
giảm tuyến tính theo logarit của tần số |
|
|
56 |
46 |
|
|
0,50 - 5 |
56 |
46 |
|
5 - 30 |
60 |
50 |
|
Ở tần số chuyển tiếp, áp dụng giới hạn nghiêm ngặt hơn. |
||
6.3.2 Giới hạn của nhiễu bức xạ điện từ
6.3.2.1 Quy định chung
EUT phải đáp ứng các giới hạn khi sử dụng dụng cụ đo với bộ tách sóng đỉnh, tựa đỉnh hoặc trung bình như chỉ ra trong bảng thích hợp.
Ở tần số đến 30 MHz các giới hạn liên quan đến thành phần từ của bức xạ điện từ. Ở tần số cao hơn 30 MHz, các giới hạn liên quan đến thành phần cường độ trường điện của nhiễu bức xạ điện từ.
6.3.3.2 Dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz
Trong dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz, không quy định các giới hạn.
6.3.2.3 Dải tần từ 150 kHz đến 1 GHz
Ngoại trừ dải tần được chỉ định liệt kê trong Bảng 1, giới hạn nhiễu bức xạ điện từ đối với dải tần từ 150 kHz đến 1 GHz đối với thiết bị thuộc cấp A nhóm 2 được quy định trong Bảng 10; và đối với thiết bị thuộc nhóm 2 cấp B được quy định trong Bảng 12.
Các giới hạn trong Bảng 10 và Bảng 12 áp dụng cho tất cả các nhiễu điện từ ở tất cả các tần số không được miễn trừ theo ghi chú b) trong Bảng 1.
Đối với thiết bị hàn điện trở cấp A, áp dụng các giới hạn của Bảng 10 trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz ở chế độ làm việc tích cực. Ở chế độ chờ (hoặc không tải), áp dụng các giới hạn của Bảng 6. Đối với thiết bị hàn điện trở cấp B, áp dụng các giới hạn trong Bảng 12 ở chế độ làm việc tích cực. Ở chế độ chờ (hoặc không tải), áp dụng các giới hạn của Bảng 7.
Đối với thiết bị hàn hồ quang cấp A, áp dụng các giới hạn của Bảng 11 ở chế độ làm việc tích cực. Ở chế độ chờ (hoặc không tải), áp dụng các giới hạn của Bảng 6. Đối với thiết bị hàn hồ quang cấp B, áp dụng các giới hạn trong Bảng 7 ở chế độ làm việc tích cực và ở chế độ chờ (hoặc không tải).
Đối với thiết bị EDM cấp A, áp dụng các giới hạn của Bảng 11.
Đối với thiết bị chiếu sáng ISM RF làm việc trong dải tần ISM chuyên dụng (được ITU chỉ định trong Bảng 1), áp dụng các giới hạn của Bảng 12.
Đối với các thiết bị phẫu thuật tần số cao (HF), áp dụng các giới hạn của Bảng 6 hoặc Bảng 7. Các thiết bị phẫu thuật tần số cao (HF) phải đáp ứng các giới hạn tương ứng khi thử nghiệm ở chế độ chờ.
Các khuyến cáo đối với việc bảo vệ của các dịch vụ an toàn đặc biệt được nêu trong Phụ lục E và Bảng E.1.
Trong một khu vực thử nghiệm ngoài trời (OATS) hoặc buồng bán hấp thụ (SAC), thiết bị cấp A có thể được đo ở khoảng cách danh nghĩa 3 m, 10 m hoặc 30 m, và thiết bị cấp B được đo ở khoảng cách danh nghĩa 3 m hoặc 10 m (xem Bảng 10 và Bảng 12).
Ở dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz, khoảng cách đo 3 m chỉ cho phép đối với thiết bị phù hợp với các định nghĩa được cho ở 3.17.
Trong phòng hấp thụ hoàn toàn (FAR), thiết bị cấp A hoặc cấp B có thể được đo ở khoảng cách danh nghĩa 3 m, với điều kiện EUT nằm vừa trong thể tích thử nghiệm được công nhận của FAR đã cho. Kết hợp với các phép đo theo tiêu chuẩn này, việc sử dụng FAR chỉ hạn chế ở các thiết bị đặt trên bàn.
Đối với thiết bị thuộc nhóm 2, cấp A hoặc cấp B không phải là EDM hoặc hàn hồ quang, các phép đo trong FAR trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz phải được bổ sung bằng phép đo thành phần từ của cường độ trường nhiễu trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz, trong một OATS hoặc SAC, xem thêm ghi chú b trong Bảng 10 và ghi chú c trong Bảng 12.
Bảng 10 - Giới hạn nhiễu bức xạ điện từ đối với thiết bị nhóm 2 cấp A được đo tại khu vực thử nghiệm
|
Dải tần MHz |
OATS hoặc SAC |
FAR |
|||||
|
Giới hạn đối với khoảng cách đo D, tính bằng m |
|||||||
|
D = 30 m |
D = 10 m |
D = 3 m a |
D = 3 m a,b |
||||
|
Trường điện Tựa đỉnh |
Trường từ Tựa đỉnh |
Trường điện Tựa đỉnh |
Trường từ Tựa đỉnh |
Trường điện Tựa đỉnh |
Trường từ Tựa đỉnh |
Trường diện Tựa đỉnh |
|
|
dBμV/m |
dBμA/m |
dBμV/m |
dBμA/m |
dBμV/m |
dBμA/m |
dBμV/m |
|
|
0,15 - 0,49 |
- |
33,5 |
- |
57,5 |
- |
82 |
- |
|
0,49 - 705 |
- |
23,5 |
- |
47,5 |
- |
72 |
- |
|
1,705 - 2,194 |
- |
28,5 |
- |
52,5 |
- |
77 |
- |
|
2,194 - 3,95 |
- |
23,5 |
- |
43,5 |
- |
68 |
- |
|
3,95 - 11 |
- |
8,5 |
- |
18,5 |
- |
68 giảm tuyến tính theo logarit của tần số 28,5 |
- |
|
11 - 20 |
- |
8,5 |
- |
18,5 |
- |
28,5 |
- |
|
20 - 30 |
- |
-1,5 |
- |
8,5 |
- |
18,5 |
- |
|
30 - 47 |
58 |
- |
68 |
- |
78 |
- |
80 - 78 |
|
47 - 53,91 |
40 |
- |
50 |
- |
60 |
- |
60 |
|
53,91 - 54,56 |
40 |
- |
50 |
- |
60 |
- |
60 |
|
54,56 - 68 |
40 |
- |
50 |
- |
60 |
- |
60 - 59 |
|
68 - 80,872 |
53 |
- |
63 |
- |
73 |
- |
72 |
|
80,872 - 81,848 |
68 |
- |
78 |
- |
88 |
- |
87 |
|
81,848 - 87 |
53 |
- |
63 |
- |
73 |
- |
72 - 71 |
|
87 - 134,786 |
50 |
- |
78 |
- |
70 |
- |
68 - 67 |
|
134,786 - 136,414 |
60 |
- |
63 |
- |
80 |
- |
77 |
|
136,414 - 156 |
50 |
- |
60 |
- |
70 |
- |
67 - 66 |
|
156 - 174 |
64 |
- |
70 |
- |
84 |
- |
80 |
|
174 - 188,7 |
40 |
- |
60 |
- |
60 |
- |
56 |
|
188,7 - 190,979 |
50 |
- |
74 |
- |
70 |
- |
66 |
|
190,979 - 230 |
40 |
- |
50 |
- |
60 |
- |
56 - 55 |
|
230 - 400 |
50 |
- |
60 |
- |
70 |
- |
65 |
|
400 - 470 |
53 |
- |
63 |
- |
73 |
- |
68 |
|
470 - 1 000 |
50 |
- |
60 |
- |
70 |
- |
65 |
|
Ở OATS hoặc trong SAC, thiết bị cấp A có thể được đo ở khoảng cách danh nghĩa 3 m, 10 m hoặc 30 m. Khoảng cách đo được nhỏ hơn 10 m chỉ cho phép đối với thiết bị phù hợp với định nghĩa cho trong 3.17. Ở tần số chuyển tiếp, áp dụng giới hạn nghiêm khắc hơn. Trong dải tần nhất định, giới hạn đối với phép đo trong FAR giảm tuyến tính theo logarit của tần số. |
|||||||
|
a Trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz, khoảng phân cách 3 m chỉ áp dụng cho thiết bị cỡ nhỡ đáp ứng tiêu chí kích cỡ được nêu trong 3.17. b Thiết bị đặt trên bàn phải nằm vừa trong thể tích thử nghiệm được công nhận của FAR. Trong dải tần số thấp hơn 30 MHz, thiết bị nhóm 2 này phải được đo ở OATS hoặc trong SAC (xem giới hạn trong cột trường từ tương ứng của bảng này). |
|||||||
Bảng 11 - Giới hạn nhiễu bức xạ điện từ đối với EDM và thiết bị hàn hồ quang cấp A đo tại khu vực thử nghiệm
|
Dải tần MHz |
OATS hoặc SAC |
FAR |
|
|
Khoảng cách đo 10 m |
Khoảng cách đo 3 m a |
Khoảng cách đo 3 m a, b |
|
|
Tựa đỉnh |
Tựa đỉnh |
Tựa đỉnh |
|
|
dBμV/m |
dBμV/m |
dBμV/m |
|
|
30 - 230 |
80 |
90 |
102 |
|
Giảm tuyến tính theo logarit của tần số |
Giảm tuyến tính theo logarit của tần số |
Giảm tuyến tính theo logarit của tần số |
|
|
60 |
70 |
75 |
|
|
230 - 1 000 |
60 |
70 |
75 |
|
Ở OATS hoặc trong SAC, thiết bị cấp A có thể được đo ở khoảng cách danh nghĩa 3 m, 10 m hoặc 30 m. Trong trường hợp các phép đo ở khoảng ngăn cách 30 m, một hệ số tỷ lệ nghịch của 20 dB trên một decade phải được sử dụng để chuẩn hóa dữ liệu đo về khoảng cách quy định để xác định sự phù hợp. |
|||
|
a Khoảng ngăn cách 3 m chỉ áp dụng cho thiết bị cỡ nhỏ đáp ứng các tiêu chí kích cỡ được định nghĩa trong 3.17. b Thiết bị đặt trên bàn phải nằm vừa trong thể tích thử nghiệm được công nhận của FAR. |
|||
Bảng 12 - Giới hạn nhiễu bức xạ điện từ đối với thiết bị nhóm 2 cấp B được đo tại khu vực thử nghiệm
|
Dải tần MHz |
OATS hoặc SAC |
FAR |
|||||
|
Giới hạn đối với khoảng cách đo D tính bằng mét |
|||||||
|
D = 10 m |
D = 3 m b |
D = 3 m |
D = 3 m c |
||||
|
Trường điện |
Trường từ |
Trường điện |
|||||
|
Tựa đỉnh |
Trung bình a |
Tựa đỉnh |
Trung bình a |
Tựa đỉnh |
Tựa đỉnh |
Trung bình a |
|
|
dBμV/m |
dBμV/m |
dBμA/m |
dBμV/m |
||||
|
0,15 - 30 |
- |
- |
- |
- |
39 giảm tuyến tính theo logarit của tần số 3 |
|
|
|
30 - 80,872 |
30 |
25 |
40 |
35 |
- |
42 đến 39 |
37 đến 34 |
|
80,872 - 81,848 |
50 |
45 |
60 |
55 |
- |
59 |
54 |
|
81,848 - 134,786 |
30 |
25 |
40 |
35 |
- |
39 đến 37 |
34 đến 32 |
|
134,786 - 136,414 |
50 |
45 |
60 |
55 |
- |
57 |
52 |
|
136,414 - 230 |
30 |
25 |
40 |
35 |
- |
37 đến 35 |
32 đến 30 |
|
230 - 1 000 |
37 |
32 |
47 |
42 |
- |
42 |
37 |
|
Ở OATS hoặc trong SAC, thiết bị cấp B có thể được đo ở khoảng cách danh nghĩa 3 m hoặc 10 m. Ở tần số chuyển tiếp, áp dụng giới hạn nghiêm ngặt hơn. Ở một số dải tần nhất định, giới hạn đối với các phép đo trong FAR giảm tuyến tính với logarit của tần số. |
|||||||
|
a Các giới hạn trung bình chỉ áp dụng cho thiết bị chạy bằng magnetron và lò vi sóng. Nếu thiết bị chạy bằng đèn phát vi sóng hoặc lò vi sóng vượt quá giới hạn tựa đỉnh ở các tần số nhất định thì các phép đo phải được lặp lại ở các tần số này bằng bộ tách sóng trung bình và áp dụng các giới hạn trung bình quy định trong bảng này. b Trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz, khoảng ngăn cách 3 m chỉ áp dụng cho thiết bị cỡ nhỏ đáp ứng tiêu chí kích cỡ được định nghĩa trong 3.17. c Thiết bị đặt trên mặt bàn phải nằm vừa trong thể tích thử nghiệm được công nhận của FAR. Trong dải tần thấp hơn 30 MHz, các thiết bị nhóm 2 này phải đo ở OATS hoặc trong SAC (xem các giới hạn trong cột trường từ tương ứng trong bảng này) |
|||||||
6.3.2.4 Dải tần từ 1 GHz đến 18 GHz
Các giới hạn trong dải tần từ 1 GHz đến 18 GHz chỉ áp dụng cho thiết bị nhóm 2 làm việc ở tần số cao hơn 400 MHz. Các giới hạn quy định trong các Bảng 13 đến Bảng 15 chỉ áp dụng cho nhiễu RF xuất hiện bên ngoài băng tần ISM chỉ định được liệt kê trong Bảng 1.
Các giới hạn nhiễu bức xạ điện từ đối với dải tần từ 1 GHz đến 18 GHz được quy định trong các bảng từ Bảng 13 đến Bảng 15. Thiết bị phải đáp ứng hoặc là các giới hạn của Bảng 13, hoặc ít nhất là các giới hạn của Bảng 14 hoặc Bảng 15 (xem sơ đồ cây quyết định ở 9.4.1, Hình 12).
Thiết bị chiếu sáng ISM RF làm việc ở băng tần ISM chuyên dụng (được chỉ định bởi ITU theo Bảng 1) phải đáp ứng giới hạn của cấp B trong Bảng 13 hoặc tối thiểu phải đáp ứng các giới hạn của Bảng 14.
Đối với các thiết bị bức xạ UV hoạt động bằng vi sóng, áp dụng các giới hạn quy định trong Bảng 13.
Các khuyến cáo đối với việc bảo vệ của các dịch vụ an toàn cụ thể được nêu trong Phụ lục E và Bảng E.1.
Bảng 13 - Giới hạn đỉnh của nhiễu bức xạ điện từ đối với thiết bị nhóm 2 làm việc ở tần số cao hơn 400 MHz
|
Dải tần GHz |
Giới hạn đối với khoảng cách đo 3 m Giá trị đỉnh dBμV/m |
|
|
1 - 18 |
Cấp A |
Cấp B |
|
Trong băng tần điều hòa |
82 a |
70 |
|
Bên ngoài băng tần điều hòa |
70 |
70 |
|
11,7 - 12,7 |
73 b |
73 b |
|
Các phép đo giá trị đỉnh với băng thông phân giải 1 MHz và băng thông tín hiệu video (VBW) cao hơn hoặc bằng 1 MHz. VBW khuyến cáo là 3 MHz. |
||
|
CHÚ THÍCH: Trong bảng này, “Băng tần điều hòa” có nghĩa là những băng tần là bội số của các băng tần ISM được phân bổ cao hơn 1 GHz. |
||
|
a Ở tần số cao hơn và thấp hơn của băng tần điều hòa, áp dụng giới hạn nghiêm ngặt hơn của 70 dBμV/m. c Trong băng tần số phát sóng radio vệ tinh, các giá trị nhiễu đo được không được vượt quá 73 dBμV/m. |
||
Bảng 14 - Giới hạn có trọng số của nhiễu bức xạ điện từ đối với thiết bị nhóm 2 làm việc ở tần số cao hơn 400 MHz
|
Dải tần GHz |
Giới hạn đối với khoảng cách đo 3 m Giá trị đỉnh dBμV/m |
|
1 - 2,4 |
60 |
|
2,5 - 5,725 |
60 |
|
5,875 - 18 |
60 |
|
Các phép đo có trọng số phải thực hiện với băng thông phân giải 1 MHz và băng thông video 10 MHz. Để kiểm tra sự phù hợp với các giới hạn trong bảng này, các phép đo trọng số phải được thực hiện trong tất cả các dải tần sau, trong đó giới hạn trong Bảng 13 bị vượt quá trong phép đo cực đại: a) 1 0005 MHz - 2 395 MHz (1 000 MHz - 2 400 MHz)*: b) 2 505 MHz - 6 125 MHz (ngoài băng tần 5 700 MHz - 5 880 MHz)*; c) 6 125 MHz- 8 575 MHz; d) 8 575 MHz - 11 025 MHz; e) 11 025 MHz - 13 474 MHz; f) 13 475 MHz - 15 925 MHz; g) 15 925 MHz - 17 995 MHz*. Tại các dải phụ tần phụ mà tại đó giới hạn trong Bảng 13 bị vượt qua, phải thực hiện phép đo có trọng số với một nhịp là 10 MHz xung quanh tần số trung tâm được điều chỉnh đến tần số có mức nhiễu cao nhất trong dải phụ tần tương ưng. * Trong trường hợp tần số có phát xạ cao nhất trong phép đo giá trị đỉnh được tìm thấy gần hơn 5 MHz tính từ các mép tần số 1 GHz, 2,4 GHz, 2,5 GHz, 5,72 GHz, 5,88 GHz hoặc 18 GHz, nhịp đối với các phép đo có trọng số phải giữ ở 10 MHz nhưng trong trường hợp này, tần số trung tâm phải được hiệu chỉnh sao cho các mép tần số không bị vượt quá. CHÚ THÍCH: Xem Phụ lục B để được hướng dẫn thêm về sử dụng máy phân tích phổ. |
|
Bảng 15 - Mức APD của nhiễu bức xạ điện từ tương ứng với giới hạn 10-1 đối với thiết bị nhóm 2 cấp B hoạt động ở tần số cao hơn 400 MHz
|
Dải tần GHz |
Giới hạn đối với khoảng cách 3 m mức APD tương ứng với 10-1 dBμV/m |
|
1 - 2,4 |
70 |
|
2,5 - 5,725 |
70 |
|
5,875 - 18 |
70 |
|
Các phép đo APD với băng thông phân giải 1 MHz và băng thông tín hiệu video lớn hơn hoặc bằng 1 MHz. CHÚ THÍCH: Mức APD tương ứng với 10-1 có nghĩa là biên độ của nhiễu vượt quá mức quy định trong thời gian quan sát với xác xuất là 10%. |
|
6.4 Thiết bị nhóm 1 và nhóm 2 cấp A được đo tại hiện trường
6.4.1 Giới hạn đối với nhiễu dẫn
Trong điều kiện tại hiện trường, không yêu cầu đánh giá các nhiễu dẫn.
6.4.2 Giới hạn của nhiễu bức xạ điện từ
Các giới hạn trong Bảng 16 áp dụng cho thiết bị nhóm 1, cấp A và các giới hạn trong Bảng 17 áp dụng cho thiết bị nhóm 2 cấp A.
Bảng 16 - Giới hạn nhiễu bức xạ điện từ đối với thiết bị nhóm 1 cấp A được đo tại hiện trường
|
Dải tần MHz |
Giới hạn đối với khoảng cách đo 30 m tính từ bề mặt ngoài của tường bên ngoài của tòa nhà mà thiết bị được đặt |
|
|
Trường điện Tựa đỉnh dBμV/m |
Trường từ Tựa đỉnh a dBμV/m |
|
|
0,15 - 0,49 |
- |
13,5 |
|
0,49 - 3,95 |
- |
3,5 |
|
3,95 - 20 |
- |
-11,5 |
|
20 - 30 |
- |
-21,5 |
|
30 - 230 |
30 |
- |
|
230 - 1 000 |
37 |
- |
|
Ở tần số chuyển tiếp, áp dụng giới hạn nghiêm ngặt hơn. Nếu các điều kiện cục bộ không cho phép đo ở khoảng cách 30 m thì có thể sử dụng khoảng cách lớn hơn. Trong trường hợp này, phải sử dụng một hệ số tỷ lệ nghịch 20 dB trên một decade để chuẩn hóa dữ liệu đo được về khoảng cách quy định nhằm xác định sự phù hợp. |
||
|
a Áp dụng thêm các giới hạn này cho các giới hạn trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz với các nhiễu xạ bắt nguồn từ tần số làm việc và sự xuất hiện sóng hài của nó trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz, gây ra bởi thiết bị nhóm 1 cấp A có công suất danh định vượt quá 20 kVA. Trong trường hợp mức ồn xung quanh vượt quá các giới hạn trên, phát xạ của EUT không được làm tăng sàn tiếng ồn này vượt quá 3 dB. |
||
Bảng 17 - Giới hạn nhiễu bức xạ điện từ đối với thiết bị nhóm 2 cấp A được đo tại hiện trường
|
Dải tần MHz |
Giới hạn đối với khoảng cách đo D tính bằng m từ tường ngoài của tòa nhà |
|
|
Trường điện Tựa đỉnh dBμV/m |
Trường từ Tựa đỉnh dBμV/m |
|
|
0,15 - 0,49 |
- |
23,5 |
|
0,49 - 1,705 |
- |
13,5 |
|
1,705 - 2,194 |
- |
18,5 |
|
2,194 - 3,95 |
- |
13,5 |
|
3,95 - 20 |
- |
-1,5 |
|
20 - 30 |
- |
-11,5 |
|
30 - 47 |
48 |
- |
|
47 - 53,91 |
30 |
- |
|
53,91 - 54,56 |
30 |
- |
|
54,56 - 68 |
30 |
- |
|
68 - 80,872 |
43 |
- |
|
80,872 - 81,848 |
58 |
- |
|
81,848 - 87 |
43 |
- |
|
87 - 134,786 |
40 |
- |
|
134,786 - 136,414 |
50 |
- |
|
136,414 - 156 |
40 |
- |
|
156 - 174 |
54 |
- |
|
174 - 188,7 |
30 |
- |
|
188,7 - 190,979 |
40 |
- |
|
190,979 - 230 |
30 |
- |
|
230 - 400 |
40 |
- |
|
400 - 470 |
43 |
- |
|
470 - 1 000 |
40 |
- |
|
Ở tần số chuyển tiếp, áp dụng giới hạn nghiêm ngặt hơn. |
||
Đối với thiết bị nhóm 2 được đo tại hiện trường, khoảng cách đo D từ tường ngoài của tòa nhà mà trong đó đặt thiết bị bằng (30 + x/a) m hoặc 100 m chọn giá trị nhỏ hơn, với điều kiện khoảng cách đo D nằm trong đường biên của khuôn viên. Trong trường hợp nếu khoảng cách tính toán D nằm ngoài đường biên của khuôn viên thì khoảng cách đo D bằng x hoặc 30 m, chọn khoảng cách lớn hơn.
Để tính toán các giá trị trên:
x là khoảng cách gần nhất giữa tường ngoài của toà nhà mà trong đó đặt thiết bị và đường biên của khuôn viên của người sử dụng theo mỗi hướng đo;
a = 2,5 đối với các tần số thấp hơn 1 MHz;
a = 4,5 đối với các tần số bằng hoặc cao hơn 1 MHz.
Các yêu cầu quy định trong điều này, cùng với các giới hạn được quy định trong Điều 6, tạo thành các yêu cầu thiết yếu về EMC của tiêu chuẩn này. Đối với phép đo tại khu vực thử nghiệm (xem Điều 8), việc kiểm tra xác nhận sự phù hợp của loại thiết bị đã cho với các yêu cầu thiết yếu về EMC này được đánh giá bằng thử nghiệm điển hình.
Các yêu cầu liên quan tới các phép đo ở khu vực thử nghiệm như vậy là các yêu cầu thử nghiệm điển hình. Một thử nghiệm điển hình có thể được thừa nhận bằng cách phê duyệt kiểu nếu điều kiện về đánh giá thống kê của các kết quả đo theo Phụ lục H được tuân thủ.
Thiết bị cấp A có thể được đo ở khu vực thử nghiệm hoặc tại hiện trường tùy theo quyết định của nhà chế tạo. Thiết bị cấp B phải được đo tại khu vực thử nghiệm.
Các yêu cầu cụ thể để thực hiện phép đo tại khu vực thử nghiệm được cho trong các Điều 8 và Điều 9, để thực hiện phép đo tại hiện trường được cho trong Điều 10.
Các yêu cầu của điều này phải được đáp ứng ở cả phép đo tại khu vực thử nghiệm và hoặc cả phép đo tại hiện trường.
Các phép đo chỉ cần thực hiện trong các dải tần mà ở đó các giới hạn được quy định trong Điều 6.
Các thành phần hoặc các khối lắp ráp phụ dùng cho các thiết bị hoặc hệ thống cấp cao hơn được thiết kế để được lắp ráp tại vị trí làm việc tương ứng của chúng cũng chỉ có thể được thử nghiệm theo các yêu cầu của tiêu chuẩn này. Đối với mục đích thử nghiệm trong khuôn khổ của tiêu chuẩn này, các thành phần và khối lắp ráp phải được coi là thiết bị độc lập. Thành phần hoặc khối lắp ráp không thể cho thấy sự phù hợp với các yêu cầu liên quan khi được đo tại khu vực thử nghiệm, cũng có thể được đánh giá tại hiện trường khi được lắp đặt trong hệ thống cấp cao hơn, trong trường hợp này phải áp dụng 6.4.
CHÚ THÍCH 1: Môi trường bao hàm trong tiêu chuẩn này là các môi trường dân cư, thương mại hoặc công nghiệp được mô tả trong IEC 61000-2-5 [11]. Các thiết bị tuân thủ các yêu cầu của tiêu chuẩn này sẽ có thể làm việc và sử dụng trong các môi trường này mà không dẫn rủi ro tăng cao về RFI. Cũng có thể tồn tại các tiêu chuẩn sản phẩm khác của IEC cho phép thử nghiệm sự phù hợp của các thành phần hoặc các khối lắp ráp phụ của các hệ thống cấp cao hơn bao gồm các môi trường khác với môi trường được quy định trong IEC 61000-2-5[11]. Việc chọn lựa tiêu chuẩn này hoặc tiêu chuẩn sản phẩm thích hợp khác đối với thử nghiệm sự phù hợp của các thành phần và các khối lắp ráp phụ là tùy thuộc vào nhà chế tạo.
CHÚ THÍCH 2: Các ví dụ về các thành phần này bao gồm, nhưng không giới hạn ở, các bộ chuyển đổi điện sử dụng cho phát điện phân phối và cung cấp điện trong mạng hoặc hệ thống lắp đặt điện lưới a.c. LV hoặc, bằng máy biến áp chuyên dụng của chúng, trong các mạng phân phối điện MV, mà cả các khối lắp ráp phụ điện năng được thiết kế cho nguồn của hệ thống cấp cao có mạng điện lưới a.c. LV.
Khu vực thử nghiệm để thử nghiệm điển hình phải cho phép phân biệt được phát xạ từ EUT với tạp môi trường. Có thể xác định sự phù hợp về mặt này bằng cách đo mức tạp môi trường với EUT không làm việc và đảm bảo rằng mức tạp môi trường thấp hơn ít nhất là 6 dB so với giới hạn quy định tại 6.2 hoặc 6.3, tùy theo phép đo được thực hiện. Thông tin bổ sung về thử nghiệm sự phù hợp khi có tạp môi trường được nêu trong CISPR 16-2-1:2014, 6.2.2 và CISPR 16-2-3:2010, 6.2.2.
Không cần thiết phải giảm mức tạp môi trường thấp hơn 6 dB so với giới hạn quy định trong trường hợp sự kết hợp của tạp môi trường cộng với phát xạ từ EUT không vượt quá giới hạn quy định. Trong điều kiện này, EUT coi là thoả mãn giới hạn quy định.
Khi thực hiện các phép đo về nhiễu dẫn RF, việc truyền tần số radio cục bộ có thể làm tăng mức tạp môi trường ở một vài tần số. Có thể lắp bộ lọc tần số radio thích hợp giữa mạng nguồn giả (V-AMN và/hoặc DC-AN) và nguồn điện lưới a.c. hoặc nguồn d.c. của phòng thí nghiệm tương ứng, hoặc có thể thực hiện phép đo trong vỏ chống nhiễu. Các linh kiện tạo nên bộ lọc tần số radio cần được che chắn trong một màn chắn kim loại nối trực tiếp với điểm đất chuẩn của hệ thống đo. Các yêu cầu đối với trở kháng của mạng nguồn giả phải được thỏa mãn ở tần số đo khi nối với bộ lọc tần số radio.
Nếu khi đo nhiễu RF bức xạ, không thể đáp ứng các điều kiện tạp môi trường thấp hơn 6 dB so với giới hạn thì có thể bố trí anten ở khoảng cách đến EUT gần hơn so với quy định ở Điều 6 (xem 8.3.4). Tư vấn bổ sung về điều kiện đo khi có tạp môi trường ở mức cao được nêu trong Phụ lục C.
7.3.1 Dụng cụ đo
Máy thu có bộ tách sóng tựa đỉnh phải phù hợp với CISPR 16-1-1. Máy thu có bộ tách sóng trung bình phải phù hợp với CISPR 16-1-1.
CHÚ THÍCH 1: Có thể lắp cả hai bộ tách sóng trong một máy thu và các phép đo được thực hiện bằng cách sử dụng lần lượt bộ tách sóng tựa đỉnh và bộ tách sóng trung bình.
CHÚ THÍCH 2: Bộ tách sóng trung bình trong CISPR 16-1-1 thường được gọi là “CISPR -Trung bình”. Điều này nhằm nhấn mạnh rằng bộ tách sóng trung bình được sử dụng trong một máy thu nhận được kết quả đo tương đương với số đọc giá trị đỉnh của một máy đo có hằng số thời gian như định nghĩa trong CISPR 16-1-1.
Máy thu đo được sử dụng phải cho làm việc sao cho việc thay đổi về tần số của nhiễu cần đo không ảnh hưởng đến các kết quả đo.
CHÚ THÍCH 3: Có thể sử dụng dụng cụ đo có đặc tính tách sóng khác với điều kiện có thể chứng minh phép đo các giá trị nhiễu là như nhau. Cần chú ý đến sự thuận lợi khi sử dụng máy thu toàn cảnh hoặc máy phân tích phổ, đặc biệt nếu tần số làm việc của EUT thay đổi đáng kể trong chu kỳ làm việc.
Để tránh khả năng dụng cụ đo chỉ thị sai sự không phù hợp với các giới hạn, không được điều hướng máy thu đo đến gần biên của một trong các băng tần được chỉ định để sử dụng ISM, gần hơn tần số mà tại đó điểm băng tần 6 dB của máy thu đo hài hòa với biên của băng tần được chỉ định.
Khi thực hiện các phép đo trên thiết bị công suất lớn, cần thận trọng để đảm bảo đặc tính chống nhiễu và các đặc tính loại bỏ đáp ứng giả của máy thu đo là thích hợp.
Đối với các phép đo ở tần số cao hơn 1 GHz, phải sử dụng máy phân tích phổ với các đặc tính như quy định trong CISPR 16-1-1.
Các biện pháp dự phòng có thể thực hiện khi sử dụng máy phân tích phổ được nêu trong Phụ lục B.
7.3.2 Mạng giả (AN)
7.3.2.1 Quy định chung
Cần có mạng giả (AN) để cung cấp một trở kháng kết cuối xác định đối với cổng nguồn a.c. của EUT hoặc cổng nguồn d.c. cần thử nghiệm ở các tần số radio tại điểm đo. Các AN cũng cung cấp cách ly EUT khỏi tạp môi trường trên các đường dây điện a.c. hoặc d.c. tương ứng.
7.3.2.2 Mạng nguồn giả (AMN)
Phép đo điện áp nhiễu ở cổng nguồn a.c. điện áp thấp phải được thực hiện bằng cách sử dụng một mạng nguồn giả (V-AMN) được quy định trong CISPR 16-1-2.
7.3.2.3 Mạng giả nguồn một chiều (DC-AN)
Phép đo điện áp nhiễu ở cổng nguồn d.c. điện áp thấp phải được được thực hiện bằng cách sử dụng mạng nguồn giả Delta 150 Ω được quy định trong 4.7 của CISPR 16-1-2:2014 (xem thêm CISPR 16-1-2:2014, Hình A.2) hoặc sử dụng mạng nguồn giả một chiều 150 Ω được quy định trong Phụ lục I của tiêu chuẩn này. Nhằm đơn giản hóa từ ngữ, bát kỳ trong các mạng này được thiết kế để sử dụng với các phép đo ở cổng nguồn d.c. điện áp thấp từ đây đều được ký hiệu là DC-AN.
7.3.3 Đầu đo điện áp
Phải sử dụng đầu đo điện áp được thể hiện trên Hình 1 khi không thể sử dụng mạng nguồn giả (V-AMN). Đầu đo được nối tiếp sau giữa từng đường dây và đất chuẩn đã chọn (tấm kim loại, ống kim loại). Đầu đo gồm chủ yếu là một tụ khử ghép và một điện trở sao cho tổng trở giữa đường dây và đất ít nhất là 1 500 Ω. Ảnh hưởng về độ chính xác của phép đo của tụ này hoặc bất kỳ linh kiện nào khác có thể được sử dụng để bảo vệ máy thu đo khỏi dòng điện nguy hiểm, phải nhỏ hơn 1 dB hoặc là ở mức cho phép đối với việc hiệu chuẩn. Đầu đo điện áp phải đáp ứng các yêu cầu được quy định trong CISPR 16-1-2:2014, Điều 5.
Hình 1 - Mạch đo điện áp nhiễu trên nguồn điện lưới
7.3.4 Anten
7.3.4.1 Dải tần nhỏ hơn 30 MHz
Trong dải tần nhỏ hơn 30 MHz, anten phải có dạng vòng như quy định trong CISPR 16-1-4. Anten phải được đỡ trong mặt phẳng thẳng đứng và có thể xoay quanh một trục thẳng đứng. Điểm thấp nhất của vòng phải cao hơn mặt phẳng nền 1 m.
7.3.4.2 Dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz
7.3.4.2.1 Quy định chung
Trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz, anten sử dụng phải như quy định trong CISPR 16-1-4.
Các anten khác có thể được sử dụng với điều kiện có thể chứng minh các kết quả nằm trong khoảng ± 2 dB của các kết quả thu được bằng cách sử dụng một anten lưỡng cực cân bằng.
7.3.4.2.2 Khu vực thử nghiệm ngoài trời (OATS) và phòng bán hấp thụ (SAC)
Đối với các phép đo ở OATS hoặc trong SAC, tâm của anten phải được thay đổi giữa độ cao 1 m và 4 m đối với số chỉ tối đa tại mỗi tần số thử nghiệm. Điểm gần nhất của anten so với nền không được nhỏ hơn 0,2 m. Các phép đo phải được thực hiện với anten được định hướng theo cả hai phân cực, theo phân cực nằm ngang và sau đó theo phân cực thẳng đứng.
7.3.4.2.3 Phòng hấp thụ hoàn toàn (FAR)
Đối với các phép đo trong FAR, chiều cao anten được cố định tại độ cao trung bình nhân của thể tích thử nghiệm được công nhận. Các phép đo phải được thực hiện với anten được định hướng theo cả hai phân cực, theo phân cực nằm ngang và sau đó theo phân cực thẳng đứng.
7.3.4.2.4 Các vị trí khác
Đối với các phép đo tại hiện trường, tâm anten phải được cố định ở độ cao (2,0 ± 0,2) m bên trên nền.
7.3.5 Tay giả
Để mô phỏng ảnh hưởng của tay người sử dụng, trong phép đo điện áp nhiễu nguồn điện lưới cần sử dụng tay giả đối với thiết bị cầm tay
Tay giả gồm lá kim loại được nối đến một đầu nối (đầu nối M) của phần tử RC, gồm một tụ điện có điện dung 220 pF ± 20 % nối tiếp với một điện trở 510 Ω ± 10 % (xem Hình 2); đầu nối kia của phần tử RC phải được kết nối đến điểm đất chuẩn của hệ thống đo (xem TCVN 6989-1 (CISPR 16-1-2)). Phần tử RC của tay giả có thể được lắp trong vỏ của mạng nguồn giả.
C 220 pF ± 20 %
R 510 Ω ± 10%
Hình 2 - Tay giả, phần tử RC
Đối với thiết bị được thiết kế để làm việc với một tần số cơ bản ở một trong các băng tần chỉ định được liệt kê trong Bảng 1, tần số này phải được kiểm tra bằng thiết bị đo có sai số nội tại của phép đo không lớn hơn 1/10 dung sai cho phép đối với tần số giữa băng tần của băng tần được chỉ định. Tần số phải được đo trên toàn bộ dải phụ tải từ công suất nhỏ nhất thường sử dụng đến công suất lớn nhất.
7.5 Cấu hình của thiết bị cần thử nghiệm
Nhất quán với các ứng dụng điển hình của EUT, mức nhiễu phải được tối đa hóa bằng cách thay đổi cấu hình của thiết bị. Ví dụ của một thiết lập điển hình đối với các phép đo nhiễu bức xạ từ một EUT đặt trên bàn được cho trên Hình 3. Bố trí đo phải điển hình trong thực tế lắp đặt bình thường và xoay quanh trục thẳng đứng của bàn xoay.
CHÚ THÍCH 1: Mức độ áp dụng được của điều này đối với phép đo một hệ thống lắp đặt tại hiện trường tùy thuộc vào tính linh hoạt vốn có trong từng hệ thống lắp đặt cụ thể. Các quy định của điều này áp dụng cho các phép đo tại hiện trường cho đến nay là một lắp đặt cụ thể cho phép thay đổi vị trí các cáp và các phần tử khác nhau trong hệ thống lắp đặt vận hành độc lập với nhau, vị trí của hệ thống lắp đặt có thể được thay đổi trong phạm vi khuôn viên, v.v.
Để đo nhiễu bức xạ ở một OATS hoặc trong một SAC với khoảng ngăn cách 3 m, việc đánh giá bức xạ từ việc đi cáp của EUT phải được giới hạn ở các đoạn cáp liên kết (xem 7.5.2) và các cáp nguồn (xem 7.5.3) nằm bên trong thể tích thử nghiệm đường kính không lớn hơn 1,2 m và chiều cao 1,5 m so với nền.
Đối với phép đo nhiễu bức xạ trong FAR, tất cả các cáp thả xuống sàn phải thấy được từ vị trí của điểm tham chiếu anten ít nhất là 80 cm, xem Hình 3b.
Thiết bị ngoại vi không nằm vừa bên trong thể tích thử nghiệm phải được loại trừ khỏi các phép đo hoặc khử ghép khỏi môi trường thử nghiệm. Nếu các cáp tới thiết bị ngoại vi không thể nối dài để chạy ra ngoài thể tích thử nghiệm thì thiết bị ngoại vi phải được đặt bên trong vòng tròn tưởng tượng bao quanh cấu hình hoàn chỉnh của EUT.
Khoảng cách đo được xác định từ điểm tham chiếu của anten tới đường biên của vòng tròn tưởng tượng bao quanh cấu hình hoàn chỉnh của EUT, xem Hình 3a.
CHÚ THÍCH 2: Việc hạn chế đánh giá bức xạ ở các phần cáp trong thể tích thử nghiệm có thể đạt được, ví dụ bằng cách đặt các CMAD vào các cáp tại vị trí nơi các cáp rời khỏi thể tích thử nghiệm. CISPR 16-2-3 cung cấp hướng dẫn bổ sung về áp dụng các CMAD.
Kích thước tính bằng mét
Hình 3a - Hình chiếu bằng
Kích thước tính bằng mét
Hình 3b - Hình chiếu cạnh
Hình 3 - Ví dụ về bố trí cáp điển hình để đo nhiễu bức xạ trong khoảng ngăn cách 3 m, EUT đặt trên mặt bàn
Một ví dụ về thiết lập thử nghiệm thống nhất điển hình đối với thiết bị đặt đứng trên sàn phù hợp để đo nhiễu dẫn cũng như nhiễu bức xạ được thể hiện trên Hình 4. Các ví dụ khác về bố trí điển hình EUT và thiết bị ngoại vị kết hợp được nếu trong CISPR 16-2-3 và CISPR 16-2-1.
Kích thước tính bằng mét
Hình 4 - Ví dụ về thiết lập thử nghiệm điển hình để đo nhiễu dẫn và/hoặc nhiễu bức xạ từ EUT đặt đứng trên sàn, hình chiếu 3D
Cấu hình của EUT, bao gồm vị trí đặt chính xác của các CMAD và kiểu khu vực thử nghiệm được sử dụng để đo, phải được lập tài liệu trong báo cáo thử nghiệm.
Điều này áp dụng cho các thiết bị có cáp liên kết giữa các bộ phận khác nhau của thiết bị, hoặc cho các hệ thống có một số thành phần được liên kết với nhau.
CHÚ THÍCH 1: Nếu tuân thủ tất cả các quy định của điều này, thì từ các kết quả của một lần đánh giá có thể áp dụng cho một số cấu hình hệ thống sử dụng thiết bị và cáp cùng kiểu như khi thử nghiệm, không sử dụng các kiểu khác, từng cấu hình hệ thống trên thực tế là một hệ thống phụ của của hệ thống đã đánh giá.
Cáp liên kết phải thuộc cùng kiểu và có chiều dài quy định theo các yêu cầu riêng lẻ của thiết bị. Nếu có thể thay đổi chiều dài, phải chọn chiều dài tạo ra phát xạ cực đại khi thực hiện phép đo cường độ trường.
Nếu trong quá trình thử nghiệm sử dụng cáp có vỏ bọc hoặc cáp chuyên dùng thì việc sử dụng các cáp đó phải được quy định trong sổ tay hướng dẫn.
Ngoài các dây dẫn do nhà chế tạo cung cấp, không yêu cầu nối các dây tín hiệu trong phép đo phát xạ RF đối với dụng cụ thử nghiệm và đo di động, thiết bị nhóm 1, hoặc các dụng cụ được thiết kế để sử dụng trong phòng thí nghiệm và do người có chuyên môn vận hành. Ví dụ là máy phát tín hiệu, máy phân tích mạng và logic, và máy phân tích phổ.
Các đoạn cáp thừa phải được bó lại ở xấp xỉ đoạn giữa của cáp, phần bó dài từ 30 cm đến 40 cm. Nếu không thực hiện được việc đó thì cách bố trí phần cáp thừa phải được nêu chính xác trong báo cáo thử nghiệm.
Trong trường hợp có nhiều cổng giao diện thuộc cùng một kiểu, thì chỉ cần nối cáp tới một cổng thuộc loại đó với điều kiện có thể chứng tỏ rằng cáp lắp thêm sẽ không ảnh hưởng đáng kể tới các kết quả.
Kèm theo từng bộ kết quả phải có phần mô tả đầy đủ hướng đặt cáp và thiết bị sao cho có thể lặp lại các kết quả này. Nếu có một số điều kiện sử dụng thì những điều kiện này phải được quy định, lập thành văn bản và đưa vào hướng dẫn sử dụng.
Nếu thiết bị là kiểu cho trước, có thể thực hiện riêng rẽ bất kỳ một trong số các chức năng thì thiết bị phải được thử nghiệm trong khi thực hiện từng chức năng đó. Đối với các hệ thống có thể bao gồm một số các thành phần khác nhau thì từng kiểu thành phần được đưa vào cấu hình hệ thống phải được đưa vào bản đánh giá.
Hệ thống có chứa một số thành phần giống nhau, nhưng đã được đánh giá bằng cách chỉ sử dụng một trong số các thành phần này, thì không yêu cầu đánh giá thêm nếu như việc đánh giá ban đầu đã thỏa đáng.
CHÚ THÍCH 2: Điều này là có thể vì thực tế cho thấy phát xạ từ các mô đun như nhau không có tính chất xếp chồng.
Trong trường hợp thiết bị đang được đánh giá, tương tác với thiết bị khác để tạo thành một hệ thống thì việc đánh giá có thể được thực hiện bằng cách sử dụng thiết bị bổ sung để thay thế cho toàn bộ hệ thống đó hoặc bằng cách sử dụng các thiết bị mô phỏng. Đối với cả hai phương pháp này, phải thận trọng để đảm bảo rằng EUT được đánh giá, có ảnh hưởng của phần còn lại của hệ thống hoặc các thiết bị mô phỏng thỏa mãn các điều kiện về tạp môi trường quy định ở 7.2. Bất kỳ thiết bị mô phỏng nào được sử dụng thay cho thiết bị thực tế cũng phải thể hiện đúng các đặc tính điện và, trong một số trường hợp, cả các đặc tính cơ của giao diện, đặc biệt về tín hiệu và trở kháng tần số radio, cũng như cấu hình cáp và kiểu cáp.
CHÚ THÍCH 3: Quy trình này là cần thiết để tạo điều kiện thuận lợi cho việc đánh giá thiết bị sẽ được tổ hợp với các thiết bị khác từ các nhà chế tạo khác nhau, tạo nên một hệ thống.
7.5.3 Kết nối với mạng cấp nguồn tại khu vực thử nghiệm
7.5.3.1 Kết nối với mạng nguồn a.c. của phòng thí nghiệm
7.5.3.1.1 Quy định chung
Khi cần thiết, phải cung cấp điện lưới từ mạng cấp nguồn điện của phòng thí nghiệm thông qua mạng nguồn giả (AMN) quy định ở 7.3.2.2.
Để kết nối với AMN hoặc với hệ thống cấp nguồn của khu vực thử nghiệm, phải sử dụng cáp nguồn có chiều dài thích hợp. Nếu các hướng dẫn lắp đặt của nhà chế tạo quy định một loại cáp nguồn cụ thể để sử dụng với các EUT thì việc kết nối với AMN hoặc với mạng cấp nguồn của khu vực thử nghiệm phải được thực hiện với loại cáp đó.
Phải cung cấp điện lưới tại điện áp danh nghĩa.
7.5.3.1.2 Kết nối với mạng nguồn a.c. của phòng thử nghiệm để đo nhiễu dẫn và nhiễu bức xạ trong dải tần lên đến 30 MHz
Khi tiến hành đo tại một khu vực thử nghiệm, mạng nguồn giả (V-AMN) được quy định ở 7.3.2.2 phải được sử dụng bất kỳ khi nào có thể. Vỏ của V-AMN phải được bố trí sao cho bề mặt gần nhất cách đường biên gần nhất của EUT không nhỏ hơn 0,8 m.
Khi dây nguồn mềm được cung cấp bởi nhà chế tạo, dây này phải dài 1 m hoặc, nếu dài hơn 1 m thì phần cáp thừa phải được gập lại thành bó dài không quá 0,4 m.
Trong trường hợp hướng dẫn lắp đặt của nhà chế tạo quy định loại cáp nguồn thì phải nối đoạn cáp loại quy định dài 1 m giữa khối thử nghiệm và AMN.
Đầu nối đất, khi cần thiết vì mục đích an toàn, phải được nối tới điểm “đất” chuẩn của AMN và, trừ trường hợp nhà chế tạo cung cấp hoặc quy định khác, phải dài 1 m và đi song song với đầu nối nguồn ở khoảng cách không lớn hơn 0,1 m.
Các đầu nối đất khác (ví dụ vì mục đích EMC) do nhà chế tạo quy định hoặc cung cấp để nối tới cùng đầu nối làm đầu nối đất an toàn cũng phải được kết nối tới điểm đất chuẩn của AMN.
Các cổng nguồn a.c. điện áp thấp phụ trợ phải được kết nối với mạng nguồn a.c. của phòng thí nghiệm thông qua một hoặc nhiều mạng nguồn giả riêng rẽ (V-AMN) như quy định tại 7.3.2.2.
Trường hợp EUT là một hệ thống bao gồm nhiều hơn một khối, mỗi khối có dây nguồn riêng thì điểm kết nối đối với AMN được xác định theo các quy tắc sau:
a) từng cáp nguồn được đấu nối vào phích cắm nguồn theo thiết kế tiêu chuẩn (ví dụ IEC 60083) phải được thử nghiệm riêng rẽ;
b) cáp hoặc đầu nối nguồn không được nhà chế tạo quy định là phải kết nối với khối khác trong hệ thống đối với mục đích cấp nguồn điện thì phải được thử nghiệm riêng rẽ;
c) cáp hoặc đầu nối nguồn được nhà chế tạo quy định là phải kết nối với khối khác trong hệ thống với mục đích cấp nguồn điện thì phải được nối với khối đó, và các cáp nguồn hoặc đầu nối của khối đó được kết nối với AMN;
d) trong trường hợp có quy định kết nối đặc biệt, phải sử dụng phần cứng cần thiết để thực hiện kết nối trong quá trình đánh giá EUT.
7.5.3.1.3 Kết nối với mạng nguồn a.c. của phòng thí nghiệm để đo nhiễu bức xạ trong dải tần từ 30 MHz đến 18 GHz
Kết nối với mạng cấp điện của phòng thí nghiệm có thể được cung cấp có hoặc không sử dụng AMN được bố trí bên trong môi trường thử nghiệm, xem Hình 4. Đối với các bố trí phép đo không bao gồm AMN, việc nối đất và tiếp đất của EUT phải được đảm bảo bằng việc tuân thủ các quy tắc nêu trong 7.5.3.1.2 bất kỳ khi nào có thể.
Nếu như bố trí đo không bao gồm AMN thì chiều dài quá mức của các cáp điện nguồn không cần phải bó lại và bố trí bên trong thể tích thử nghiệm. Các cáp này có thể đặt đó bên ngoài thể tích thử nghiệm hoặc môi trường thử nghiệm. Tuy nhiên, để khử ghép bức xạ từ chiều dài quá mức của cáp này, khuyến cáo cần đấu nối cẩn thận các cáp nguồn này ở vị trí chúng ra khỏi thể tích thử nghiệm. Đối với việc khử ghép này, khuyến cáo sử dụng CMAD. Đối với phép đo với khoảng ngăn cách 3 m, việc khử ghép này là bắt buộc, xem 7.5.1.
7.5.3.2 Kết nối với nguồn cấp điện d.c. của phòng thí nghiệm hoặc nguồn cấp điện d.c. khác
Khi thực hiện các phép đo trên một khu vực thử nghiệm, mạng giả d.c. 150 Ω (DC-AN) quy định ở 7.3.2.3 phải được sử dụng bất kỳ khi nào có thể. Vỏ của DC-AN phải được bố trí sao cho bề mặt gần nhất cách đường biên gần nhất của EUT là 0,8 m.
Khi DC-AN được sử dụng làm đầu đo điện áp, cổng nguồn d.c. cần thử nghiệm của EUT phải được khử ghép khỏi nguồn điện d.c. bằng các cơ cấu khử ghép phương thức chung thích hợp, chẳng hạn như ống ferit, CMAD hoặc CDN như quy định ở 6.2.4 của IEC 61000-4-6:2013 cần được kẹp hoặc chèn vào cáp nguồn d.c. kết nối với nguồn điện d.c. bằng bố trí phép đo dành cho EUT, xem thêm Hình 7, Hình 8 và Hình 9 trong 8.2.2.2.3. Nếu một CDN theo IEC 61000-4-6 được sử dụng cho mục đích khử ghép thì cổng đầu vào nguồn RF của nó không được kết thúc bằng tải điện trở 50 Ω.
Kết nối phải được thực hiện với nguồn điện d.c. thích hợp. Điện áp đầu ra d.c. của nguồn điện này phải điều chỉnh được để cung cấp một mức điện áp trong dải hoạt động định mức đối với loại EUT tương ứng.
CHÚ THÍCH 1: Đối với việc cung cấp của cổng nguồn d.c. của EUT, một nguồn điện d.c. chuyên dụng của phòng thí nghiệm, các (bộ) pin/acquy phù hợp hoặc các nguồn điện d.c. khác, chẳng hạn như: các môđun pin nhiên liệu có thể được sử dụng, với điều kiện chúng có thể cung cấp điện áp và dòng điện liên tục và ổn định, v.v., cần thiết cho bộ chuyển đổi điện ở điều kiện làm việc công suất đầu ra danh định, trong phép đo.
Cần thận trọng khi lựa chọn nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm và lắp đặt theo bố trí phép đo. Khuyến cáo lựa chọn và chỉ lắp đặt nguồn điện d.c. cung cấp cách ly tốt và đồng thời khử ghép RF đủ cả hai đầu nối nguồn d.c. khỏi mặt phẳng nền chuẩn của phòng thí nghiệm. Tụ điện khử ghép bên trong tại đầu nối của nguồn điện d.c. được sử dụng để triệt nhiễu không đối xứng bên trong có thể tạo đường nối tắt không mong muốn cho trở kháng kết cuối 150 Ω phương thức chung của DC-AN được sử dụng cho các phép đo này. Điều này có thể gây ra hiệu ứng bão hòa trong bộ lọc giảm thiểu của bộ chuyển đổi điện cần thử nghiệm, đặc biệt là ở tần số làm việc (tức là tần số chuyển mạch) của bộ chuyển đổi điện và hài của nó, thường được phân bổ trong dải từ 2 kHz đến khoảng 20 kHz. Tuy nhiên, bộ lọc giảm thiểu bị bão hòa dẫn đến kết quả đo không đúng hoặc không có hiệu lực, bởi vì bộ chuyển đổi điện không cho làm việc như dự kiến, trong phép đo. Đối với hướng dẫn về cách phòng ngừa các hiệu ứng bão hòa gây ra bởi cấu hình của khu vực thử nghiệm, xem thông tin trong Phụ lục K.
Trường hợp một loại cáp điện d.c. cụ thể được quy định trong các hướng dẫn lắp đặt của nhà chế tạo, phải sử dụng cáp này trong suốt quá trình thử nghiệm.
Khi thử nghiệm, sử dụng đoạn cáp càng ngắn càng tốt để kết nối giữa EUT và DC-AN, lưu ý điều kiện độ gần đường biên được quy định ở trên.
Trường hợp EUT có nhiều hơn một cổng nguồn d.c. có cùng kiểu, số lượng các cổng nguồn d.c. cần thiết để vận hành thiết bị ở công suất danh định, phải được kết nối với DC-AN trong các phép đo. Tất cả các cổng nguồn d.c. khác phải được đấu nối kết thúc bằng bằng một trở kháng kết cuối phương thức chung 150 Ω phù hợp. Cổng nhiều đầu được kết nối điện song song (chẳng hạn như thanh hoặc dải bus để kết nối với nhiều cáp) được coi như thể hiện một cổng đơn.
CHÚ THÍCH 2: Đối với các kết cuối khác, có thể sử dụng bất kỳ cơ cấu thích hợp. Điều này bao gồm ví dụ như sử dụng thêm mạng 150 Ω theo CISPR 16-1-2, sử dụng thêm DC-AN như quy định trong 7.3.2.3, hoặc cũng có thể sử dụng của các linh kiện ghép/khử ghép (CDN) được quy định trong IEC 61000-4-6.
Các cổng nguồn d.c. phụ trợ phải được nối với với một nguồn điện d.c. hoặc pin/acquy riêng phù hợp của phòng thí nghiệm, thông qua trở kháng kết cuối phương thức chung 150 Ω.
CHÚ THÍCH 3: Nếu sử dụng một nguồn điện d.c. riêng rẽ của phòng thí nghiệm được nối lưới thì nguồn này có thể cũng phù hợp để chèn một bộ lọc EMI khác khi kết nối với nguồn điện này. Lưu đồ thể hiện các bố trí thích hợp trong khu vực thử nghiệm được thể hiện trong Phụ lục J.
Điều kiện tải của EUT được quy định trong điều này. Các thiết bị không thuộc phạm vi của điều này phải được vận hành sao cho nhiễu gây ra là lớn nhất nhưng vẫn phải tuân theo các quy trình vận hành bình thường như nêu trong bản hướng dẫn vận hành thiết bị.
7.6.2.1 Thiết bị trị liệu sử dụng tần số từ 0,15 MHz đến 400 MHz
Tất cả các phép đo phải được thực hiện ở điều kiện làm việc nêu trong bản hướng dẫn vận hành thiết bị. Mạch đầu ra để nạp tải cho thiết bị phụ thuộc vào bản chất của các điện cực cần sử dụng.
Đối với thiết bị kiểu điện dung, phải sử dụng tải giả để thực hiện các phép đo. Bố trí chung được thể hiện trên Hình 5. Tải giả phải chủ yếu là tải điện trở và có khả năng hấp thụ công suất ra cực đại danh định của thiết bị.
Hai đầu nối của tải giả phải ở hai đầu đối diện của tải và từng đầu nối phải được nối trực tiếp vào một tấm kim loại phẳng hình tròn đường kính 170 mm ± 10 mm. Phải thực hiện các phép đo với từng cáp đầu ra và các điện cực điện dung được cung cấp kèm theo thiết bị. Các điện cực điện dung này được bố trí song song với các tấm kim loại hình tròn tại các đầu của tải giả, khoảng cách giữa chúng được điều chỉnh để tạo ra mức phân tán công suất phù hợp trong tải giả.
E = Tay điện cực và cáp
L = Tải giả
Hình 5 - Bố trí thiết bị y tế (loại điện dung) và tải giả
Các phép đo phải được thực hiện với tải giả trong cả hai trường hợp nằm ngang và thẳng đứng (xem Hình 3). Trong từng trường hợp, thiết bị, cùng với các cáp đầu ra, các điện cực điện dung và tải giả, phải được xoay quanh trục thẳng đứng của thiết bị trong phép đo nhiễu bức xạ điện từ để có thể đo được giá trị cực đại.
CHÚ THÍCH: Cách bố trí sau đây của các bóng đèn được xác định là phù hợp cho việc thử nghiệm nhiều kiểu thiết bị trong dãy công suất được thử nghiệm:
a) công suất ra danh nghĩa là 100 W đến 300 W:
bốn bóng đèn 110 V/60 W mắc song song hoặc năm bóng đèn 125 V/60 W mắc song song;
b) công suất ra danh nghĩa từ 300 W đến 500 W:
bốn bóng đèn 125 V/100 W mắc song song, hoặc năm bóng đèn 150 V/100 W mắc song song.
Đối với thiết bị kiểu điện cảm, các phép đo phải thực hiện bằng cách sử dụng cáp và các cuộn dây được cung cấp kèm theo thiết bị để điều trị bệnh nhân. Tải thử nghiệm phải gồm một bình hình ống bằng vật liệu cách điện đặt thẳng đứng, có đường kính 10 cm, chứa đến độ cao 50 cm dung dịch natri clorua nồng độ 9 g cho 1 lít nước cất.
Bình phải được đặt bên trong cuộn dây, trục của bình trùng với trục cuộn dây. Tâm cuộn dây và tâm của tải chất lỏng cũng phải trùng nhau.
Phải thực hiện các phép đo ở công suất cực đại và nửa cực đại và, trong trường hợp có thể điều hưởng mạch đầu ra, phải điều hưởng để cộng hưởng với tần số cơ bản của thiết bị.
Tất cả các phép đo phải được thực hiện trong tất cả các điều kiện làm việc được nêu trong sổ tay vận hành thiết bị.
7.6.2.2 UHF và thiết bị trị liệu vi sóng sử dụng tần số cao hơn 400 MHz
Các phép đo phải được thực hiện với mạch đầu ra của các thiết bị kết nối với tải điện trở không bức xạ có cùng các giá trị như trở kháng đặc tính của cáp được sử dụng để cung cấp tải thiết bị.
7.6.2.3 Thiết bị trị liệu siêu âm
Các phép đo phải được thực hiện với các bộ chuyển đổi kết nối với máy phát. Bộ chuyển đổi phải được nhúng vào trong một bình chứa bằng vật liệu phi kim loại có đường kính khoảng 10 cm và đổ nước cất.
Phép đo phải được thực hiện ở cả công suất cực đại và nửa cực đại và, trong trường hợp mạch đầu ra có thể điều hưởng, mạch đầu ra phải được điều hưởng để đạt tới cộng hưởng và sau đó loại bỏ điều hưởng. Các quy định kỹ thuật trong hướng dẫn vận hành của thiết bị phải được cân nhắc.
Khuyến cáo đo công suất ra cực đại của thiết bị theo phương pháp được công bố trong IEC 61689 hoặc sử dụng một sắp xếp suy ra từ đó, nếu cần.
Được phép sử dụng tải khi thử nghiệm thiết bị công nghiệp là tải sử dụng khi làm việc hoặc linh kiện tương đương.
Trong trường hợp được cung cấp phương tiện để kết nối các dịch vụ phụ trợ như nước, khí, không khí, v.v,, việc nối các dịch vụ này với EUT phải được thực hiện bằng ống cách điện có chiều dài không dưới 3 m. Khi thử nghiệm với tải sử dụng khi làm việc, các điện cực và cáp phải được bố trí như trong sử dụng bình thường. Các phép đo phải được thực hiện cả ở công suất ra cực đại và nửa cực đại. Những thiết bị bình thường hoạt động không tải hoặc công suất ra rất thấp cũng phải được thử nghiệm ở các điều kiện này.
Thiết bị công nghiệp gia nhiệt bằng cảm ứng và gia nhiệt điện môi cần được thử nghiệm trong một cấu hình và với một tải tương đương với sử dụng thực tế hoặc mục đích sử dụng. Trường hợp thiết bị có thể được cấu hình cho nhiều loại tải hoặc tải không sẵn có, có thể sử dụng tải như quy định trong IEC 61922 đối với gia nhiệt bằng cảm ứng và IEC 61308 đối với thiết bị gia nhiệt tĩnh điện. Thiết bị công nghiệp để gia nhiệt bằng điện trở phải được thử nghiệm có hoặc không có tải, như quy định của nhà chế tạo
CHÚ THÍCH: Đối với nhiều kiểu thiết bị gia nhiệt điện môi, tải nước tuần hoàn được coi là thích hợp.
Thiết bị sưởi công nghiệp bằng vi sóng phải tuân thủ các giới hạn bức xạ trong Điều 6 Khi chịu tải theo IEC 61307 hoặc với một tải được sử dụng trong thực tế. Tải phải được thay đổi theo yêu cầu nhằm tạo ra mức truyền công suất tối đa, thay đổi tần so hoặc thay đổi hài tối đa dựa trên các đặc tính đang được xem xét.
7.6.4 Thiết bị nghiên cứu khoa học, phòng thí nghiệm và thiết bị đo
Thiết bị nghiên cứu khoa học phải được thử nghiệm trong các điều kiện làm việc bình thường. Thiết bị phòng thí nghiệm và thiết bị đo phải được vận hành như dự kiến. Bất kỳ các cổng đầu ra RF nào đều phải được đấu nối kết cuối bằng một tải không bức xạ phù hợp.
7.6.5 Thiết bị nấu bằng vi sóng
Thiết bị nấu bằng vi sóng phải được vận hành với tất cả các thành phần bình thường ví dụ như các giá đỡ được lắp ở đúng vị trí, và với tải là 1 L nước sạch sinh hoạt có nhiệt độ ban đầu là 20 °C ± 5 °C đặt tại tâm của bề mặt mang tải do nhà chế tạo cung cấp.
Bình chứa nước phải là bình chứa hình trụ bằng thủy tinh borosilicat có đường kính ngoài là 190 mm ± 5 mm và chiều cao là 90 mm ± 5 mm, xem thêm IEC 60705.
Thông tin chi tiết về quy trình đo cần sử dụng cho dải tần trên 1 GHz được nêu ở 9.4.
7.6.6 Các thiết bị khác trong dải tần từ 1 GHz đến 18 GHz
Các thiết bị khác phải phù hợp với các giới hạn bức xạ trong Điều 6 khi thử nghiệm với tải giả gồm một lượng nước sạch sinh hoạt chứa trong bình chứa không dẫn điện. Kích thước và hình dạng của bình chứa, vị trí bình chứa trong thiết bị và lượng nước trong bình chứa phải được thay đổi theo yêu cầu để tạo ra mức truyền công suất cực đại, biến thiên tần số hoặc bức xạ sóng hài cực đại tùy theo các đặc tính đang được xem xét.
Đối với thiết bị hàn hồ quang, hoạt động hàn trong quá trình thử nghiệm được mô phỏng bằng cách đặt tải quy ước cho thiết bị. Các cơ cấu mồi và ổn định hồ quang phải được bật lên trong quá trình đo phát xạ. Các điều kiện tải và cấu hình thử nghiệm đối với thiết bị hàn hồ quang được quy định trong IEC 60974-10.
Đối với thiết bị hàn bằng điện trở, thao tác hàn trong quá trình thử nghiệm được mô phỏng bằng cách ngắn mạch mạch hàn. Các điều kiện tải và cấu hình thử nghiệm đối với thiết bị hàn bằng điện trở được quy định trong IEC 62135-2.
Điểm bắt đầu của các phép đo theo tiêu chuẩn này phải được hoãn tới 5 s sau khi thiết bị hàn cần thử nghiệm được đưa vào vận hành.
7.6.8 Thiết bị chiếu sáng ISM RF
Thiết bị chiếu sáng ISM RF phải tuân thủ các giới hạn trong 6.3 khi được thử nghiệm trong tình trạng như khi được giao hàng bởi nhà chế tạo trong các điều kiện làm việc bình thường. Trong trường hợp của các thiết bị chiếu sáng ISM RF, EUT phải cho làm việc cho đến khi tần số dao động của đèn phát vi sóng ổn định. Điểm bắt đầu của bất kỳ phép đo nào theo tiêu chuẩn này phải hoãn ít nhất là 15 min.
7.6.9 Thiết bị đóng cắt điện áp trung bình (MV) và điện áp cao (HV)
Đối với các thiết bị được sử dụng trong thiết bị đóng cắt điện áp trung bình hoặc điện áp cao, điểm bắt đầu của bất kỳ các phép đo nào theo tiêu chuẩn này phải được hoãn lại cho đến khi các hoạt động đóng cắt liên quan tới mạch chính hoặc mạch sơ cấp đã hoàn tất (ví dụ như các hoạt động đóng cắt của máy cắt điện hoặc dao cách ly).
7.6.10 Bộ chuyển đổi điện nối lưới
7.6.10.1 Kết nối tới điện lưới a.c. của phòng thí nghiệm hoặc tải tương tự
Bộ chuyển đổi điện cần được thử nghiệm phải được nối với mạng điện lưới a.c. của phòng thí nghiệm thông qua mạng nguồn giả (V-AMN) được quy định trong 7.3.2.2, bất cứ khi nào có thể. Nếu kết nối như vậy không thể thực hiện được hoặc không được dự kiến thì có thể nối bộ chuyển đổi điện cần thử nghiệm tới một tải điện trở thích hợp và mạng điện lưới a.c. của phòng thí nghiệm mắc song song, thông qua mạng nguồn giả (V-AMN) được quy định ở 7.3.22.
Việc nối tới tải điện trở thích hợp cũng được khuyến cáo đối với các bộ chuyển đổi điện chỉ dự kiến để sử dụng trong các hệ thống lắp đặt điện lưới a.c. điện áp thấp độc lập, không được nối với mạng điện phân phối a.c. điện áp thấp công cộng khác. Để được tư vấn, cần tham khảo hướng dẫn lắp đặt của nhà chế tạo.
Ngoài ra, nguồn cấp điện a.c. dùng cho nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm có thể lấy từ các đường dây đầu ra a.c. của GCPC thông qua V-AMN mà không cần nối tới tải điện trở. Công suất đầu ra a.c. của GCPC sẽ được sử dụng để góp phần vào công suất đầu vào d.c. yêu cầu cho GCPC đó, do vậy tải điện trở không cần thiết trong trường hợp này, xem Hình J.1 trong Phụ lục J.
Đối với các cấu hình khu vực thử nghiệm thích hợp, xem Phụ lục J.
7.6.10.2 Kết nối với tải thích hợp khác
Đối với các bộ chuyển đổi điện được thiết kế để được cấp điện từ các nguồn điện a.c., cổng nguồn d.c. cần thử nghiệm phải được kết nối với một tải điện trở hoặc một thiết bị tích trữ năng lượng phù hợp khác thông qua mạng giả (DC-AN) 150 Ω như quy định ở 7.3.2.2. Các EUT phải được nối với một tải thích hợp trong dải hoạt động danh định đối với loại EUT tương ứng.
CHÚ THÍCH: Một ví dụ của loại GCPC được thiết kế để được cấp điện từ nguồn điện a.c. là bộ chuyển đổi điện được thiết kế để lắp vào trạm nạp bên ngoài dùng cho các xe chạy điện (EV).
7.7 Ghi lại các kết quả đo tại khu vực thử nghiệm
7.7.1 Quy định chung
Các kết quả bất kỳ thu được từ phép đo nhiễu dẫn và/hoặc nhiễu bức xạ tần số rado đều phải được ghi lại trong báo cáo thử nghiệm. Nếu các kết quả không được ghi lại một cách liên tục và/hoặc dưới dạng đồ thị trên dải tần được quan sát, thì phải áp dụng yêu cầu tối thiểu về việc ghi lại được nêu ở 7.7.2 và 7.7.3.
Báo cáo thử nghiệm phải bao gồm nội dung nhấn mạnh rằng độ không đảm bảo của dụng cụ đo (MIU) đã được xác định theo CISPR 16-4-2 và cũng đã được xem xét khi xác định sự phù hợp với các giới hạn đối với thiết bị cá nhân được thử nghiệm hoặc số lượng hạng mục trong mẫu thiết bị được sản xuất hàng loạt.
Báo cáo thử nghiệm có thể bao gồm các giá trị bằng số về MIU mà phòng thí nghiệm đã xác định đối với từng thử nghiệm được tiến hành. Nếu giá trị trong bảng thành phần độ không đảm bảo đo được quy định trong CISPR 16-4-2 bị vượt quá thì báo cáo thử nghiệm phải bao gồm các giá trị bằng số về MIU của dụng cụ thử nghiệm được sử dụng thực tế.
7.7.2 Phát xạ dẫn
Trong số các phát xạ dẫn lớn hơn (L - 20 dB) trong đó L là mức giới hạn tính bằng đơn vị logarit, hồ sơ phải tối thiểu gồm mức nhiễu và tần số của sáu nhiễu cao nhất trong mỗi dải tần được quan sát từ mỗi cổng nguồn thuộc về EUT. Hồ sơ cũng phải có chỉ dẫn về dây dẫn của cổng nguồn đã mang (các) nhiễu được quan sát.
7.7.3 Phát xạ bức xạ
Trong các phát xạ lớn hơn (L - 10 dB) trong đó L là mức giới hạn tính bằng đơn vị logarit, hồ sơ phải bao gồm ít nhất các mức nhiễu và các tần số của sáu nhiễu cao nhất trong mỗi dải tần được quan sát. Bản ghi cũng phải bao gồm phân cực anten, chiều cao anten và vị trí xoay quanh bàn xoay nếu áp dụng cho mỗi nhiễu được báo cáo. Trong trường hợp các phép đo tại khu vực thử nghiệm, khoảng cách đo thực tế đã chọn và sử dụng (xem 6.2.2 và 6.3.2) phải được ghi trong báo cáo thử nghiệm.
8 Điều khoản đặc biệt đối với các phép đo tại khu vực thử nghiệm (9 kHz đến 1 GHz)
Đối với phép đo nhiễu bức xạ ở một khu vực thử nghiệm ngoài trời (OATS) và trong một phòng bán hấp thụ (SAC) và đối với phép đo nhiễu dẫn trong khu vực thử nghiệm bất kỳ, phải được sử dụng một mặt phẳng nền. Mối liên quan giữa EUT và mặt phẳng nền phải tương đương với điều xảy ra trong sử dụng. Ngoại trừ ở tại các vị trí nối đất theo dự kiến của nhà chế tạo, một EUT đặt đứng trên sàn phải được cách điện với mặt phẳng nền bằng vật liệu điện môi có chiều dày lên đến 15 cm. Phải thực hiện kết nối trực tiếp với đất (tức là với mặt phẳng nền).
a) hoặc là theo các hướng dẫn của nhà chế tạo,
b) hoặc là, nếu EUT phù hợp với một đầu nối đất đặc biệt, thì khi đó đầu nối này phải được nối với đất (tức là được liên kết với mặt phẳng nền) bằng một dây nối càng ngắn càng tốt, xem Hình 4.
Mặt phẳng nền phải được sử dụng để đo nhiễu bức xạ, ở một OATS và trong một SAC, và để đo các nhiễu dẫn, ở bất kỳ khu vực thử nghiệm nào. Các yêu cầu đối với khu vực thử nghiệm bức xạ được nêu ở 8.3 và, đối với mặt phẳng nền để đo các nhiễu dẫn, ở 8.2
Đối với các điều kiện tiếp đất và nối đất của EUT cũng như kết nối với mạng cấp điện của phòng thí nghiệm, xem 7.5.3.
Có thể thực hiện phép đo nhiễu dẫn:
a) trên một OATS hoặc trong một SAC với EUT có cùng cấu hình như được sử dụng trong quá trình đo bức xạ;
b) bên trên mặt phẳng nền bằng kim loại; hoặc
c) bên trong phòng chống nhiễu. Sàn hoặc một vách của phòng chống nhiễu phải có tác dụng như mặt phẳng nền.
Phải sử dụng phương án a) khi khu vực thử nghiệm có mặt phẳng nền bằng kim loại. Ở các phương án b) và c), khối thử nghiệm, nếu không phải là loại đặt đứng trên sàn, thì phải được đặt cách mặt phẳng nền 0,4 m. Các khối thử nghiệm loại đặt đứng trên sàn phải được đặt trên mặt phẳng nền, (các) điểm tiếp xúc được cách điện với mặt phẳng nền nhưng ngoài ra phải nhất quán với sử dụng bình thường. Tất cả các khối thử nghiệm phải cách xa bất kỳ bề mặt kim loại nào khác ít nhất là 0,8 m.
Các đầu nối đất chuẩn của mạng nguồn giả (V-AMN và DC-AN) được sử dụng trong phép đo phải được kết nối với mặt phẳng nền chuẩn bằng dây dẫn càng ngắn càng tốt.
Cáp điện và cáp tín hiệu phải được định hướng so với mặt phẳng nền theo cách tương đương với sử dụng trong thực tế và, đối với việc bố trí cáp, phải áp dụng các biện pháp dự phòng để đảm bảo không xảy ra các hiệu ứng giả.
Trong trường hợp EUT có lắp sẵn đầu nối đất riêng, đầu nối đất này phải được nối đất bằng dây dẫn càng ngắn càng tốt. Thiết bị không có đầu nối đất phải được thử nghiệm như khi được kết nối bình thường, tức là việc nối đất có được thông qua nguồn điện lưới.
8.2.2 Phép đo trên các bộ chuyển đổi điện nối lưới
8.2.2.1 Đo điện áp nhiễu tại các cổng nguồn a.c.
Điện áp nhiễu ở các cổng nguồn a.c. điện áp thấp của bộ chuyển đổi điện phải được đo bằng cách sử dụng phương pháp đo thông thường đối với các điện áp nhiễu ở các cổng nguồn a.c., xem thêm CISPR 16-2-1.
Điện áp nhiễu ở các cổng nguồn a.c. điện áp thấp phụ trợ của bộ chuyển đổi điện, nếu thuộc đối tượng áp dụng, phải được đo bằng cách sử dụng phương pháp đo thông thường đối với các điện áp ở cổng nguồn a.c., xem thêm CISPR 16-2-1.
Đối với các bộ chuyển đổi điện không thể đo bằng mạng-V (V-AMN), điện áp nhiễu ở cổng nguồn a.c. điện áp thấp có thể được đo bằng đầu đo điện áp trở kháng cao theo Điều 5 của CISPR 16-1-2:2014. Trong trường hợp này, nguồn điện a.c. của phòng thí nghiệm phải được kết nối trực tiếp với cổng nguồn a.c. cần thử nghiệm. Đối với các điều kiện sử dụng đầu đo điện áp trở kháng cao, xem 7.3.3.
Tương tự, đối với các phép đo trên các bộ chuyển đổi điện có công suất danh định > 20 kVA, có thể sử dụng mạng V (V-AMN) như một đầu đo điện áp như quy định trong 7.4.4.3 của CISPR 16-2-1:2014. Nguồn điện a.c. của phòng thí nghiệm phải được nối với cổng nguồn a.c. cần thử nghiệm thông qua một điện cảm 30 μH đến 50 μH. Điện cảm này được phép thực hiện bằng một cuộn cảm, một đoạn cáp điện dài 50 m, hoặc một máy biến áp cách ly. Bố trí đo phù hợp được thể hiện trên Hình 8 và Hình 9.
Sự phù hợp các yêu cầu của tiêu chuẩn này có thể được thể hiện bằng cách kiểm tra xác nhận rằng các giới hạn của điện áp nhiễu tại các cổng nguồn a.c. được quy định trong Bảng 2 hoặc trong Bảng 4 được đáp ứng.
8.2.2.2 Phép đo điện áp nhiễu tại các cổng nguồn d.c.
8.2.2.2.1 Quy định chung
Các phép đo tại cổng nguồn d.c. chỉ cần thực hiện trên các GCPC được thiết kế để lắp ráp vào các hệ thống phát điện quang điện.
Nếu không có các điều kiện vận hành đặc biệt được quy định bởi nhà chế tạo, các điều kiện đầu vào đối với EUT phải được điều chỉnh để tạo ra các mức điện áp nhiễu tối đa.
CHÚ THÍCH: Các điều kiện làm việc, như được quy định bởi nhà chế tạo, được chọn lựa để tạo ra các phát xạ điều kiện xấu nhất.
Các bộ chuyển đổi điện có công suất danh định > 20 kVA phải được đo trong khi vận hành tại một điểm làm việc sao cho việc cấp điện đến lưới hoặc việc cung cấp công suất đầu ra cho một phụ tải phù hợp khác là khả thi. Điện áp đầu vào d.c. phải trong dải làm việc danh định.
Trường hợp bộ chuyển đổi điện được thiết kế để kết nối với hơn một chuỗi điện d.c. và do vậy được cung cấp bởi nhiều cổng nguồn d.c., các phép đo nhiễu điện áp phải được thực hiện nối tiếp nhau ở từng cổng này. Tất cả các cổng nguồn d.c. khác không được sử dụng trong phép đo tương ứng phải được kết thúc bằng một trở kháng kết cuối phương thức chung 150 Ω thích hợp, xem 7.5.3.2. Nhiều cổng kết nối điện song song (chẳng hạn như các thanh hoặc dải bus để kết nối với nhiều cáp) được coi như đại diện một cổng duy nhất.
Điện áp nhiễu ở cổng nguồn d.c. của bộ chuyển đổi điện phải được đo bằng cách sử dụng phương pháp đo thông thường đối với các điện áp nhiễu tại các cổng nguồn a.c., xem thêm CISPR 16-1-2. Điều này ngụ ý các điều sau:
• Trường hợp đo các điện áp nhiễu phương thức không đối xứng (UM), sự phù hợp với giới hạn phải được kiểm tra xác nhận đối với cả hai mức điện áp nhiễu không đối xứng đo được, tức là các mức điện áp đo được từ đầu nối (cực) dương tới điểm đất chuẩn và từ đầu nối (cực) âm tới điểm đất chuẩn.
• Trường hợp đo các điện áp nhiễu phương thức chung (CM) và phương thức vi sai (DM), sự phù hợp với giới hạn phải được kiểm tra xác nhận đối với các mức điện áp nhiễu đo được ở cả hai phương thức, tức là đối với mức điện áp nhiễu phương thức chung (CM) cũng như với mức điện áp nhiễu phương thức vi sai (DM).
Nếu DC-AN theo Phụ lục I cho phép đo các nhiễu UM, DM và CM, khi đó chỉ cần kiểm tra xác nhận sự phù hợp với các giới hạn cả với nhiễu UM (Phương pháp A) hoặc với nhiễu CM và DM (Phương pháp B). Việc chọn lựa phương pháp sử dụng cho phép đo hoàn toàn tùy thuộc vào người sử dụng tiêu chuẩn này.
Nếu các hướng dẫn lắp đặt kèm theo bộ chuyển đổi điện chứa thông tin là cổng nguồn d.c. chỉ được thiết kế để nối với:
• một acquy/pin hoặc loại nguồn điện d.c. nội bộ loại khác và/hoặc
• nếu bộ chuyển đổi điện và một acquy/pin hoặc nguồn d.c. nội bộ loại khác được thiết kế để lắp trong một thiết bị cuối cùng cấp cao hơn (bao gồm một hoặc nhiều vỏ bọc);
thì khi đó cổng này có thể không cần phải thực hiện phép đo.
8.2.2.2.2 Quy trình đo 1
8.2.2.2.2.1 Quy định chung
DC-AN được sử dụng như một đầu nối phương thức chung 150 Ω được chuẩn hóa của EUT và như một mạng khử ghép với nguồn điện d.c. phòng thí nghiệm. Bố trí đo điển hình được thể hiện trên Hình 6.
Hình 6 - Bố trí điển hình để đo nhiễu dẫn ở các cổng nguồn d.c. LV với DC-AN được sử dụng như đầu cuối và bộ khử ghép với nguồn d.c. của phòng thí nghiệm
8.2.2.2.2.2 Tiêu chí sự phù hợp
Sự phù hợp với các yêu cầu của tiêu chuẩn này có thể được chứng minh bằng việc kiểm tra xác nhận rằng các giới hạn đối với điện áp nhiễu được quy định trong Bảng 3 hoặc Bảng 5 được đáp ứng.
8.2.2.2.3 Quy trình đo 2
8.2.2.2.3.1 Quy định chung
Đối với các phép đo trên các bộ chuyển đổi điện có công suất thông lượng định mức > 20 kVA, một DC-AN có thể được sử dụng như một đầu đo điện áp. Đối với một khử ghép đầy đủ của EUT từ nguồn d.c, nguồn d.c. của phòng thí nghiệm phải được kết nối tới cổng nguồn d.c. cần thử nghiệm thông qua điện cảm phương thức chung từ 90 μH đến 150 μH. Điện cảm phương thức chung có thể được nhận diện bằng các ống ferit, các thiết bị hấp thụ phương thức chung hoặc một CDN được quy định trong 6.2.4 của IEC 61000-4-6:2013. Vì một CDN theo IEC 61000-4-6 chỉ được sử dụng như một mạng khử ghép nên cổng nguồn đầu vào RF của CDN không được kết cuối bằng một tải điện trở 50 Ω như thể hiện trên Hình 7.
CHÚ THÍCH: Điều này tùy thuộc vào người vận hành của phòng thí nghiệm nhằm đảm bảo các kết quả đo thu được với các bố trí phép đo này không bị cản trở hoặc vô hiệu bằng các nhiễu từ nguồn d.c. của phòng thí nghiệm. Các bộ lọc EMI tương ứng có thể được sử dụng nhằm khử ghép các EUT từ nguồn d.c.. Nhưng được cảnh báo rằng không áp dụng quá nhiều việc tài điện dung phương thức chung bổ sung cho EUT. Các hướng dẫn thêm về việc khử ghép thích hợp của các nguồn d.c. của phòng thí nghiệm từ bố trí đo có thể được nêu trong Phụ lục K.
Hình 7 - Bố trí điển hình đối với phép đo nhiễu dẫn tại cổng nguồn d.c. LV bằng DC-AN được sử dụng như kết cuối và đầu đo điện áp
8.2.2.2.3.2 Phép đo điện áp nhiễu phương thức chung (CM)
Phép đo điện áp nhiễu ở các cổng nguồn d.c. phải được thực hiện với các DC-AN được sử dụng như các đầu đo điện áp, xem Hình 7, Hình 8 và Hình 9.
Với DC-AN, phải đo điện áp nhiễu phương thức chung tại cổng nguồn d.c. của bộ chuyển đổi điện.
8.2.2.2.3.3 Phép đo dòng điện nhiễu phương thức chung (CM)
Dòng điện nhiễu phương thức chung tại cáp điện d.c. dẫn tới nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm phải được đo bằng cách sử dụng đầu đo dòng điện theo CISPR 16-1-2.
Cần phải cẩn thận để không thay đổi điều kiện kết cuối của EUT khi thực hiện phép đo bằng đầu đo dòng điện. Đầu đo dòng điện phải được đặt cách DC-AN một khoảng tối đa 30 cm. Đầu đo dòng điện cũng phải được đặt tại đúng vị trí khi tiến hành phép đo điện áp nhiễu phương thức chung. Bố trí phép đo thích hợp được thể hiện trên Hình 8 và Hình 9.
CHÚ THÍCH: 'x' và 'y' biểu diễn khoảng cách giữa đầu đo dòng điện và DC-AN, và DC-AN và (các) ống ferrite/CMAD/CDN tương ứng. Khoảng cách x là ≤ 0,3 m và y là 0,1 m
Hình 8 - Bố trí điển hình để đo các nhiễu dẫn tại cổng nguồn d.c. LV với DC-AN được sử dụng như đầu đo điện áp và với một đầu đo dòng điện - Sơ đồ 2D
Hình 9 - Bố trí điển hình để đo các nhiễu dẫn tại cổng nguồn d.c. LV với DC-AN được sử dụng làm đầu đo điện áp và với một đầu do dòng điện - Sơ đồ 3D
8.2.2.2.3.4 Tiêu chí sự phù hợp
Đối với các phép đo theo Hình 8, sự phù hợp với các giới hạn phải được kiểm tra xác nhận đối với các điện áp nhiễu phương thức chung đo được và dòng điện nhiễu phương thức chung đo được. EUT đáp ứng các yêu cầu của tiêu chuẩn này nếu EUT chứng minh được rằng nó đáp ứng cả hai giới hạn của điện áp nhiễu và dòng điện nhiễu được quy định trong Bảng 3.
8.2.3 Thiết bị cầm tay vận hành bình thường không có nối đất
Đối với thiết bị này, các phép đo bổ sung phải được thực hiện bằng cách sử dụng tay giả được mô tả trong 7.3.5.
Tay giả phải được áp dụng chỉ trên các tay cầm hoặc các chuôi và các phần của thiết bị được quy định bởi nhà chế tạo. Nếu không có yêu cầu kỹ thuật của nhà chế tạo, thì phải áp dụng tay giả theo cách dưới đây.
Nguyên tắc chung trong việc áp dụng tay giả là lá kim loại phải được quấn quanh tất cả các tay cầm (một tay giả cho mỗi tay cầm), cả cố định lẫn tháo rời được, được cung cấp kèm theo thiết bị.
Phần kim loại được phủ sơn hoặc emay được coi là phần kim loại không có vỏ bọc và phải được nối trực tiếp với đầu nối M của phần tử RC.
Khi vỏ của thiết bị hoàn toàn bằng kim loại, thì không cần lá kim loại nhưng đầu nối M của phần tử RC phải được kết nối trực tiếp với thân thiết bị.
Khi vỏ thiết bị làm là vật liệu cách điện thì lá kim loại phải được quấn quanh tay cầm.
Khi vỏ thiết bị có một phần là kim loại và một phần là vật liệu cách điện và có tay cầm cách điện thì lá kim loại phải được quấn quanh tay cầm.
8.3 OATS và SAC để đo trong dải tần từ 9 kHz đến 1 GHz
8.3.1 Quy định chung
Khu vực thử nghiệm bức xạ đối với thiết bị ISM phải bằng phẳng, không có dây dẫn trên không, không có các kết cấu phản xạ gần đó và đủ lớn để có thể tạo độ ngăn cách thích hợp giữa anten, khối thử nghiệm và các kết cấu phản xạ.
Khu vực thử nghiệm bức xạ đáp ứng các tiêu chí trên nằm bên trong chu vi một hình elip có trục lớn bằng hai lần khoảng cách giữa các tiêu điểm và trục nhỏ bằng căn bậc hai của ba lần khoảng cách đó. EUT và thiết bị đo được đặt tương ứng ở mỗi tiêu điểm này. Chiều dài đường đi của một tia bất kỳ phản xạ từ một vật trên chu vi của khu vực thử nghiệm bức xạ này sẽ bằng hai lần chiều dài của chiều dài đường đi trực tiếp giữa các tiêu điểm. Khu vực thử nghiệm bức xạ này được vẽ trên Hình 10.
CHÚ THÍCH: Đối với các giá trị của F (khoảng cách đo) xem Điều 6.
Hình 10 - Khu vực thử nghiệm
Đối với khu vực thử nghiệm 10 mét, mặt phẳng nền tự nhiên phải có thêm một mặt phẳng nền bằng kim loại, mặt kim loại này phải chờm ít nhất là 1 m ra ngoài đường biên của EUT ở một đầu và ít nhất là 1 m ra ngoài anten đo và kết cấu đỡ của anten ở đầu bên kia (xem Hình 11). Mặt phẳng nền không được có chỗ hổng hoặc khe hở ngoài các lỗ khoan, các lỗ này không được lớn hơn 0,1 λ tại 1 GHz (khoảng 30 mm).
D = (d + 2) m, trong đó d là kích thước lớn nhất của khối thử nghiệm
W = (a + 1) m, trong đó a là kích thước lớn nhất của anten
L = khoảng cách đo tính bằng mét
Hình 11 - Kích cỡ tối thiểu của mặt phẳng nền kim loại
8.3.2 Hiệu lực của khu vực thử nghiệm bức xạ (9 kHz đến 1 GHz)
Khu vực thử nghiệm phải được đánh giá hiệu lực theo CISPR 16-1-4 trong các dải tần mà tại đó tiêu chuẩn này đưa ra các yêu cầu.
8.3.3 Bố trí EUT (9 kHz đến 1 GHz)
Đối với các điều kiện nối đất và tiếp đất của các EUT cũng như kết nối tới mạng cấp điện của phòng thí nghiệm xem 7.5.3.1 hoặc 7.5.3.2.
Nếu có thể, EUT phải được đặt trên bàn xoay. Khoảng cách giữa thiết bị được thử nghiệm và anten đo phải là khoảng cách theo chiều ngang giữa điểm chuẩn của anten đo và phần đường biên gần nhất của EUT trong một vòng xoay.
8.3.4 Phép đo bức xạ (9 kHz đến 1 GHz)
Khoảng cách giữa anten và EUT phải như quy định tại Điều 6. Nếu không thể thực hiện được phép đo cường độ trường ở một tần số nào đó tại khoảng cách quy định do mức tạp môi trường cao hoặc vì những lý do khác (xem 7.2) thì có thể thực hiện các phép đo tại tần số này ở khoảng cách gần hơn nhưng không nhỏ hơn 3 m. Khi thực hiện xong, báo cáo thử nghiệm phải ghi khoảng cách thực được sử dụng và các tình huống của phép đo.
Đối với EUT đặt trên bàn xoay, bàn xoay phải được xoay đủ vòng với một anten đo được định hướng theo cả phân cực nằm ngang và phân cực thẳng đứng. Mức cao nhất ghi được của nhiễu bức xạ điện từ ở từng tần số phải được ghi lại.
Đối với EUT không đặt trên bàn xoay, anten đo phải được đặt ở những điểm khác nhau về góc phương vị theo cả phân cực nằm ngang và phân cực thẳng đứng. Phải chú ý rằng các phép đo phải được thực hiện theo các hướng phát xạ cực đại và mức cao nhất ở từng tần số phải được ghi lại.
CHÚ THÍCH: Ở từng vị trí phương vị của anten đo, cần đáp ứng các yêu cầu về khu vực thử nghiệm bức xạ quy định ở 8.3.1.
8.4 Khu vực thử nghiệm bức xạ thay thế đối với dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz
Có thể thực hiện các phép đo trên các khu vực thử nghiệm bức xạ không có các đặc tính vật lý như mô tả trong 8.3. Phải có bằng chứng chứng tỏ rằng khu vực thay thế sẽ cho các kết quả hợp lệ. Khu vực thử nghiệm bức xạ thay thế trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz được chấp nhận nếu các phép đo suy giảm khu vực theo phương nằm ngang và thẳng đứng được tiến hành theo 5.3 của CISPR 16-1-4:2010/Amd1:2012 nằm trong phạm vi ± 4 dB so với suy giảm khu vực lý thuyết như đã cho trong Bảng 1 hoặc Bảng 2 của CISPR 16-1-4:2010/Amd1:2012).
Khu vực thử nghiệm bức xạ thay thế phải cho phép và có hiệu lực đối với khoảng cách đo trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz quy định trong Điều 6 và/hoặc Điều 8 của tiêu chuẩn này.
8.5 FAR đối với phép đo trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz
Đối với phòng hấp thụ hoàn toàn (FAR) được sử dụng cho phép đo nhiễu bức xạ trong dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz phải phù hợp với các yêu cầu trong CISPR 16-1-4.
Việc sử dụng của các FAR bị hạn chế cho các thiết bị đặt trên bàn. Kích cỡ của EUT phù hợp được đo trong FAR bị hạn chế bởi thể tích thử nghiệm được đánh giá hiệu lực của FAR đã cho. Thể tích thử nghiệm của FAR được đánh giá hiệu lực theo CISPR 16-1-4 và được ghi chép trong báo cáo hiệu lực vị trí.
CHÚ THÍCH: Đối với các phép đo ở khoảng cách 3 m, thể tích thử nghiệm được đánh giá hiệu lực này sẽ có nhiều khả năng giới hạn khả năng áp dụng của FAR đối với các thiết bị cỡ nhỏ, xem 3.17.
Đối với các phép đo trong FAR, các bố trí thử nghiệm phải được áp dụng, tương tự cách mô tả trong 8.3 đối với các phép đo trên OATS hoặc trong SAC. Thông tin thêm về hiệu suất của các phép đo phát xạ trong FAR ở dải tần từ 30 MHz đến 1 GHz được đề cập trong 7.4 của CISPR 16-2-3:2010/AMD 2:2014.
9 Phép đo bức xạ: 1 GHz đến 18 GHz
EUT phải được đặt trên bàn xoay ở độ cao thích hợp. Phải được cung cấp điện ở điện áp thông thường. Đối với điều kiện nối đất và tiếp đất của EUT cũng như kết nối với mạng cấp điện của phòng thí nghiệm, xem 7.5.3.
Phép đo phải thực hiện với anten định hướng khẩu độ nhỏ có khả năng thực hiện các phép đo riêng rẽ các thành phần theo chiều thẳng đứng và chiều nằm ngang của trường bức xạ. Độ cao của đường tâm anten so với mặt nền phải bằng độ cao của khoảng tâm bức xạ của EUT. Khoảng cách giữa anten thu và EUT phải là 3 m.
9.3 Hiệu lực và hiệu chuẩn khu vực thử nghiệm
Khu vực thử nghiệm phải được đánh giá hiệu lực theo CISPR 16-1-4.
9.4.1 Quy định chung
Phép đo phải thực hiện theo các điều kiện không gian tự do, nghĩa là: sự phản chiếu trên nền không được ảnh hưởng tới các phép đo, xem CISPR 16-1-4.
Nên tham khảo hướng dẫn về quy trình đo chung ở tần số lớn hơn 1 GHz được quy định trong CISPR 16-2-3. Phải thực hiện phép đo với anten có cả phân cực ngang và phân cực thẳng đứng. Trong cả hai trường hợp này, bàn xoay cùng với EUT phải được xoay. Phải chắc chắn rằng khi EUT đã được cắt nguồn, mức tạp nền phải thấp hơn giới hạn chuẩn ít nhất là 10 dB, nếu không, số đọc sẽ bị ảnh hưởng đáng kể.
Lưu đồ biểu diễn quy trình đo được thể hiện trên Hình 12.
Hình 12 - Sơ đồ cây quyết định đối với phép đo phát xạ từ 1 GHz đến 18 GHz của thiết bị nhóm 2 làm việc trong dải tần trên 400 MHz
9.4.2 Điều kiện làm việc của EUT
Đối với lò vi sóng, giai đoạn làm ấm ít nhất 5 min phải được tiến hành trước khi đo.
Đối với tất cả các phép đo, giai đoạn bắt đầu của các EUT (vài giây) được bỏ qua.
Trong phép đo, lò vi sóng cần thử nghiệm được cho làm việc ở chế độ đặt công suất vi sóng lớn nhất.
Một vài lò vi sóng tự động chuyển sang chế độ làm việc gián đoạn nếu được làm việc trong thời gian dài ở chế độ đặt vi sóng cao nhất. Trong trường hợp này, các phép đo phải được dừng để làm nguội cho tới khi lò vi sóng có thể làm việc ở chế độ công suất tối đa mà không gián đoạn.
Trong phép đo, tải nước cần được đổi sang nước lạnh trước khi bắt đầu sôi. Đối với các điều kiện tải của lò vi sóng trong phép đo, xem thêm 7.6.5.
9.4.3 Phép đo sơ bộ
Các phép đo sơ bộ bao gồm một chuỗi các phép đo với bộ tách sóng tựa đỉnh. Các phép đo tại đỉnh trong dải tần cao hơn 1 GHz (xem Bảng 13) phải là kết quả của một phép đo được giữ tối đa bằng máy phân tích quang phổ. Mục đích của phép đo sơ bộ nhằm xác định vị trí (góc phương vị) của các EUT liên quan tới anten đo mà kết quả trong các phát xạ lớn nhất đối với từng tần số được xác định.
Để tìm hướng phát xạ lớn nhất, phải thực hiện phép đo tựa định trong dải tần cao hơn 1 GHz với góc phương vị của EUT thay đổi theo từng góc 30° (vị trí bắt đầu vuông góc với mặt phẳng mặt trước của EUT, ví dụ ở vị trí vuông góc với cửa trước trong trường hợp của lò vi sóng). Ở mỗi phép đo của 12 vị trí, phép đo ở chế độ giữ tối đa phải được thực hiện trong thời gian tối thiểu là 20 s. Sau đó, ở vị trí góc phương vị của các EUT mà tại đó xuất hiện phát xạ lớn nhất thì phép đo cuối phải được tiến hành.
9.4.4 Phép đo cuối
9.4.4.1 Phép đo đỉnh
Các phép đo đỉnh phải được tiến hành trên toàn bộ dải tần từ 1 GHz đến 2,4 GHz và từ 2,5 GHz đến 18 GHz với các EUT được đặt như chỉ ra trong phép đo sơ bộ. Ở vị trí góc phương vị, thực hiện phép đo giữ tối đa trong một thời gian tối thiểu 2 min đối với cho cả hai phân cực, nghĩa là với anten được định hướng thành công theo chiều ngang và chiều dọc.
(Các) kết quả đo thu được phải được so sánh với giới hạn đỉnh (xem Bảng 13).
Nếu các EUT vượt qua các phép đo cực đại thì kết quả thử nghiệm lần cuối là ĐẠT, xem Hình 12.
Nếu các EUT không vượt qua các phép đo đỉnh trong phát sóng radio vệ tinh trong dải tần từ 11,5 GHz đến 12,7 GHz thì kết quả thử nghiệm cuối là KHÔNG ĐẠT, xem Hình 12.
9.4.4.2 Phép đo có trọng số
9.4.4.2.1 Quy định chung
Trong trường hợp số đọc thu được trong phép đo đỉnh ở dải tần từ 1 GHz từ 11,7 GHz và từ 12,7 GHz đến 18 GHz vượt quá các giới hạn quy định trong Bảng 13 thì một chuỗi các phép đo bổ sung có hàm trọng số phải được tiến hành.
Nhằm mô tả bản chất dao động của nhiễu, có thể sử dụng hai phương pháp thay thế đối với các phép đo trọng số, xem sơ đồ cây quyết định trên Hình 12.
Trong bất kỳ tình huống nào mà cần thiết thử nghiệm lại các thiết bị, phương pháp đo được chọn ban đầu phải được sử dụng để đảm bảo tính nhất quán của các kết quả.
9.4.4.2.2 Lấy trọng số Log-AV theo Bảng 14
Phép đo trọng số với phương pháp Log-AV (xem Bảng 14) phải được tiến hành ở vị trí góc phương vị của EUT mà tại đó xuất hiện phát xạ đỉnh cực đại trong phép đo sơ bộ. Phải thực hiện tối thiểu 5 lần quét liên tục ở chế độ giữ-tối đa.
Phép đo trọng số phải được tiến hành với bộ phân tích phổ ở chế độ hiển thị logarit (bằng cách sử dụng bộ khuếch đại logarit, không phải biến đổi phần tử toán học của các giá trị được hiển thị).
CHÚ THÍCH: Một băng thông video 10 Hz cùng với khuếch đại logarit tạo ra một mức gần với mức trung bình của tín hiệu đo được trong các giá trị logarit. Kết quả này thấp hơn mức trung bình thu được ở chế độ tuyến tính.
Trong khi chuẩn bị cho phép đo cuối, toàn bộ dải tần phải chia thành 7 dải phụ tần từ 1 GHz đến 18 GHz theo Bảng 18.
Đối với mỗi dải phụ tần mà trong đó EUT không đáp ứng giới hạn của Bảng 13 xác định tần số của mức phát xạ cao nhất từ phép đo đỉnh. Các tần số này là các tần số trung tâm được sử dụng cho các chuỗi phép đo có trọng số.
Bảng 18 - Dải phụ tần cần sử dụng cho phép đo có trọng số
|
Sóng hài của 2,45 GHz |
Dải phụ tần số |
|
Số thứ tự |
GHz |
|
Không quy định |
1,005 đến 2,395 |
|
2 |
2,505 đến 6,125 a |
|
3 |
6,125 đến 8,575 |
|
4 |
8,575 đến 11,025 |
|
5 |
11,025 đến 13,475 |
|
6 |
13,475 đến 15,925 |
|
7 |
15,925 đến 17,995 |
|
a Các phép đo trong băng tần ISM từ 5,720 GHz đến 5,880 GHz được loại trừ, xem Bảng 1. |
|
Các phép đo có hàm trọng số Log-AV phải được tiến hành trong các dải tần phụ mà EUT không đáp ứng giới hạn của Bảng 13 xung quanh các tần số trung tâm được xác định trong bước trước đó, với một nhịp tần số là 10 MHz.
So sánh các kết quả đo với các giới hạn của Bảng 14.
Nếu EUT vượt qua phép đo có hàm trọng số Log-AV (Bảng 14) thì kết quả thử nghiệm cuối là ĐẠT, xem Hình 12.
9.4.4.2.3 Lấy trọng số APD theo Bảng 15
Do thay thế cho 9.4.4.2.2, phép đo APD trong thời gian 30 s phải được tiến hành ở góc phương vị của EUT và phân cực của anten mà trong đó phát xạ tối đa đã được tìm thấy trong phép đo đỉnh sơ bộ. Các phép đo phải được thực hiện tại 6 tần số sau (xem Hình 12):
trong đó fs1 là tần số có phát xạ đỉnh cao nhất trong dải tần từ 1 005 MHz đến 2 395 MHz và fs2 là tần số có phát xạ đỉnh cao nhất trong dải tần từ 2 505 MHz đến 17 995 MHz (nhưng nằm ngoài băng tần từ 5 720 MHz đến 5 880 MHz).
So sánh các kết quả đo với các giới hạn của Bảng 15.
Nếu EUT vượt qua phép đo có hàm trọng số ADP (Bảng 15) thì kết quả thử nghiệm lần cuối là ĐẠT, xem Hình 12.
Đối với thiết bị không được thử nghiệm tại khu vực thử nghiệm bức xạ, các phép đo phải thực hiện sau khi thiết bị đã được lắp đặt trong khuôn viên của người sử dụng. Các phép đo phải thực hiện từ tường ngoài bên ngoài tòa nhà nơi đặt thiết bị ở khoảng cách quy định theo 6.4.
Phải thực hiện các phép đo tại hiện trường tại vị trí làm việc của thiết bị cần đánh giá và ghi chép theo 7.7 của CISPR 16-2-3:2010. Lời khuyên bổ sung về phép đo tại hiện trường cũng được nêu trong CISPR TR 16-2-5 [2].
Số lượng phép đo thực hiện theo góc phương vị phải nhiều nhất theo mức thực tế hợp lý, nhưng ít nhất phải có bốn phép đo theo các phương vuông góc, và các phép đo theo phương của hệ thống radio hiện có, có thể gây ảnh hưởng bất lợi.
Đối với các lò vi sóng lớn hơn dùng trong thương mại phải đảm bảo rằng các kết quả đo không bị ảnh hưởng bởi hiệu ứng trường gần. Nên tham khảo CISPR 16-2-3 để có hướng dẫn cụ thể.
11 Biện pháp phòng ngừa an toàn đối với phép đo phát xạ trên thiết bị ISM RF
Thiết bị ISM RF tự có khả năng phát xạ về bức xạ điện từ gây nguy hiểm cho con người. Trước khi thử nghiệm về nhiễu bức xạ điện từ, thiết bị ISM cần được kiểm tra bằng một bộ kiểm soát bức xạ thích hợp.
Việc xác định sự phù hợp với các giới hạn trong tiêu chuẩn này phải dựa trên kết quả của các phép đo sự phù hợp có tính đến việc xem xét về độ không đảm bảo của thiết bị đo.
Hướng dẫn về việc tính độ không đảm đo của phép đo được quy định trong CISPR 16-4-2, điều này phải được áp dụng và đối với các phép đo này, việc xác định sự phù hợp với các giới hạn trong tiêu chuẩn này phải được tính đến độ không đảm bảo đo của thiết bị đo theo CISPR 16-4-2. Các tính toán để xác định kết quả đo và sự điều chỉnh bất kỳ kết quả đo được yêu cầu khi độ không đảm đo của phòng thí nghiệm lớn hơn giá trị dùng cho UCISPR được cho trong CISPR 16-4-2 phải được ghi cả trong báo cáo thử nghiệm.
Đối với các phép đo tại hiện trường, sự đóng góp của độ không đảm bảo do chính khu vực này không thuộc các tính toán về độ không đảm bảo.
CHÚ THÍCH: Khi tiến hành đo ở khoảng cách nhỏ hơn 10 m, độ không đảm bảo đo cao hơn có thể phải được tính đến.
Nhiều thiết bị thuộc phạm vi áp dụng của tiêu chuẩn này có chứa hai hoặc nhiều loại nguồn nhiễu, ví dụ thiết bị gia nhiệt kiểu cảm ứng, ngoài cuộn dây gia nhiệt còn có thể có lắp các bộ chỉnh lưu bán dẫn. Đối với mục đích thử nghiệm, thiết bị cần được xác định về mycj đích thiết kế của nó. Ví dụ, thiết bị gia nhiệt kiểu cảm ứng có lắp bộ chỉnh lưu bán dẫn cần được thử nghiệm như một thiết bị gia nhiệt kiểu cảm ứng (với toàn bộ nhiễu đáp ứng các giới hạn quy định cho dù là nguồn nhiễu nào) và không cần thử nghiệm như một nguồn điện bán dẫn.
Tiêu chuẩn này đưa ra các định nghĩa chung về thiết bị nhóm 1 và thiết bị nhóm hai và đối với mục đích chính thức, từ các định nghĩa này phải nhận diện xem một thiết bị cụ thể thuộc nhóm nào. Tuy nhiên, sẽ có ích cho người sử dụng tiêu chuẩn nếu có được danh mục đầy đủ các kiểu thiết bị đã được nhận diện thuộc về một nhóm cụ thể. Điều này cũng giúp cho việc xây dựng quy định kỹ thuật khi mà kinh nghiệm cho thấy có thể phải thay đổi các quy trình thử nghiệm khi phải thực hiện với những loại thiết bị cụ thể.
Các danh mục dưới đây liệt kê thiết bị nhóm 1 và nhóm 2 là không đầy đủ
Nhóm 1
Thiết bị nhóm 1: Nhóm 1 bao gồm tất cả các thiết bị thuộc phạm vi của tiêu chuẩn này, không được phân loại trong thiết bị nhóm 2.
|
Quy định chung: |
Thiết bị phòng thí nghiệm Thiết bị y tế Thiết bị nghiên cứu khoa học Bộ chuyển đổi bán dẫn Thiết bị gia nhiệt điện công nghiệp có tần số làm việc nhỏ hơn hoặc bằng 9 kHz Dụng cụ chế tạo Phép đo quy trình và thiết bị điều khiển trong công nghiệp Thiết bị chế tạo bán dẫn |
|
Cụ thể: |
Máy tạo tín hiệu, máy thu đo, máy đếm tần, máy đo thông lượng, máy phân tích phổ, máy cân, máy phân tích hoá, kính hiển vi điện tử, nguồn điện chế độ đóng cắt và bộ chuyển đổi bán dẫn (khi không lắp sẵn trong thiết bị), bộ chỉnh lưu/bộ nghịch lưu bán dẫn, bộ chuyển đổi điện nối lưới (GCPC), thiết bị sưởi ấm loại trở kháng với các bộ điều khiển nguồn AC có các bán dẫn được tích hợp sẵn, các lò hồ quang và lò đốt kim loại, bộ sưởi xả ánh sáng và plasma, thiết bị chuẩn đoán X-quang, thiết bị chuẩn đoán và điều trị siêu âm, thiết bị giám sát bệnh nhân, thiết bị rửa siêu âm, các điều khiển điều chỉnh và các thiết bị với cơ cấu điều chỉnh có lắp thiết bị bán dẫn với dòng điện đầu vào danh định vượt quá 25 A mỗi pha. |
Nhóm 2
Thiết bị nhóm 2: Nhóm 2 bao gồm tất cả các thiết bị ISM RF mà năng lượng tần số radio thuộc dải tần từ 9 kHz đến 400 GHz được tạo ra có chủ ý và được sử dụng hoặc chỉ được sử dụng nội bộ, dưới dạng bức xạ điện từ, ghép điện cảm/điện dung, đối với việc xử lý vật liệu, vì mục đích dò tìm/phân tích hoặc truyền năng lượng điện từ.
|
Quy định chung: |
Thiết bị chiếu tia cực tím (UV) được cấp năng lượng vi sóng Thiết bị chiếu sáng theo nguyên lý vi sóng Thiết bị gia nhiệt theo nguyên lý cảm ứng dùng trong công nghiệp làm việc ở tần số cao hơn 9 kHz Thiết bị truyền/nạp điện bằng cảm ứnga Thiết bị gia nhiệt điện môi Thiết bị gia nhiệt theo nguyên lý vi sóng dùng trong công nghiệp Lò vi sóng Thiết bị điện y tế Thiết bị hàn hồ quang Thiết bị gia công theo nguyên lý phóng điện (EDM) Giáo cụ trực quan dùng trong giáo dục và đào tạo a Thiết bị truyền điện bằng cảm ứng hoặc điện dung thường là các mục tiêu của tiêu chuẩn này nhưng bộ phận tạo thành thiết bị là mục tiêu của các tiêu chuẩn khác, không thuộc phạm vi của tiêu chuẩn này. |
|
Cụ thể: |
Thiết bị nấu chảy kim loại, gia nhiệt phôi, gia nhiệt thành phần, hàn thiếc và hàn đồng, hàn hồ quang, hàn chốt hồ quang, hàn điện trợ, hàn điểm, hàn ống, bộ dao động laze dùng trong công nghiệp được thoát ra bằng phóng điện tần số cao, dán gỗ, hàn chất dẻo, gia nhiệt sơ bộ chất dẻo, chế biến thực phẩm, nướng bánh, rã đông thực phẩm, sấy giấy, xử lý sản phẩm dệt, xử lý chất kết dính, gia nhiệt sơ bộ vật liệu, thiết bị trị liệu bằng sóng ngắn, thiết bị trị liệu bằng vi sóng, chụp cộng hưởng từ (MRI), thiết bị tiệt trùng HF y tế, thiết bị phẫu thuật tần số cao (HF), các giáo cỗ, hàn chất dẻo, gia nhiệt sơ bộ chất dẻo, chế biến thực phẩm, nướng bánh, r, v.v.. |
Các phòng ngừa cần áp dụng khi sử dụng máy phân tích phổ (xem 7.3.1)
Hầu hết các máy phân tích phổ có độ chọn lọc về tần số radio, nghĩa là, tín hiệu đầu vào được cấp trực tiếp tới bộ trộn dải rộng, ở đó tín hiệu được tạo phách đến tần số trung gian thích hợp. Máy phân tích phổ vi sóng có các bộ chọn lọc trước tần số radio, các bộ này tự động bám theo tần số mà máy thu đang quét. Các máy phân tích này khắc phục được ở mức độ đáng kể những nhược điểm khi muốn đo biên độ phát xạ sóng hài và tiếng ồn với một thiết bị đo có thể tạo ra các thành phần như vậy trong mạch đầu vào của nó.
Nhằm bảo vệ các mạch đầu vào của máy phân tích phổ khỏi bị hư hại khi đang đo tín hiệu nhiễu yếu lại có tín hiệu mạnh, cần lắp bộ lọc phía đầu vào nhằm tạo ra độ suy giảm ít nhất là 30 dB ở tần số của tín hiệu mạnh. Một số bộ lọc này có thể cần thiết để xử lý được với các tần số làm việc khác nhau.
Nhiều máy phân tích phổ vi sóng sử dụng các sóng hài của bộ dao động nội để bao quát những phần khác nhau của dải điều hưởng. Không có lựa chọn sơ bộ tần số radio, những máy phân tích này có thể hiển thị tín hiệu giả và sóng hài. Như vậy sẽ khó khăn trong việc xác định liệu tín hiệu hiển thị có thực tế ở tần số được chỉ định hay được tạo ra từ bên trong dụng cụ đo.
Nhiều lò, thiết bị điện nhiệt y tế và thiết bị ISM vi sóng khác nhận công suất vào từ các nguồn xoay chiều qua chỉnh lưu nhưng không được lọc. Do vậy, phát xạ của thiết bị được điều biến đồng thời cả biên độ và tần số. Ngoài ra còn có AM và FM gây ra bởi sự chuyển động của cơ cấu khuấy sử dụng trong lò.
Những phát xạ này có thành phần vạch phổ gần nhau tới 1 Hz (do sự điều biến của cơ cấu khuấy lò), và 50 Hz hoặc 60 Hz (do điều biến ở tần số). Bởi vì tần số sóng mang nói chung là không ổn định, nên không thể phân biệt các thành phần vạch phổ này. Thay vào đó, phương pháp thực tiễn là hiển thị đường bao của phổ thực bằng cách sử dụng độ rộng dải tần máy phân tích rộng hơn so với khoảng cách tần số giữa các thành phần phổ (nhưng theo quy tắc là nhỏ so với chiều rộng của đường bao phổ).
Khi độ rộng dải tần của máy phân tích đủ rộng để có thể chứa một số vạch phổ liền kề, giá trị đỉnh được chỉ thị tăng lên cùng với độ rộng dải tần đến một điểm khi mà độ rộng dải tần của máy phân tích có thể so sánh được với độ rộng của phổ tín hiệu. Do vậy, Điều cơ bản là có được sự thoả thuận sử dụng độ rộng dải tần quy định nhằm so sánh các biên độ được hiển thị từ các máy phân tích khác nhau khi đo các phát xạ điển hình của các thiết bị gia nhiệt và trị liệu hiện nay.
Như đã nói ở trên, nhiều phát xạ lò được điều biến ở mức tần số thấp đến cỡ 1 Hz. Người ta nhận thấy rằng các đường bao phổ hiển thị của các phát xạ này không đều, thay đổi từ lần quét này sang lần quét khác, trừ khi số lần quét trong mỗi giây thấp so với thành phần tần số điều biến thấp nhất này.
Tốc độ thích hợp để khảo sát phát xạ có thể yêu cầu tới 10 s hoặc lâu hơn để có thể thực hiện một lần quét. Tốc độ quét thấp như vậy không thích hợp cho việc quan sát bằng mắt trừ khi sử dụng độ lưu giữ thích hợp, như đối với ống tia catốt kiểu lưu giữ, thiết bị ghi ảnh hoặc ghi biểu đồ. Cũng đã có một số cố gắng nhằm tăng tần số quét cần thiết bằng cách tháo hoặc cho ngừng thiết bị khuấy trong lò. Tuy nhiên, điều này có thể được coi là không đạt yêu cầu bởi vì biên độ, tần số và hình dạng phổ thay đổi cùng với vị trí của các bộ khuấy.
Phép đo nhiễu bức xạ điện từ khi có mặt các tín hiệu từ các máy phát tần số radio
Đối với EUT có tần số làm việc ổn định để số đọc của máy thu đo tựa đỉnh không thay đổi nhiều hơn ±0,5 dB trong phép đo, cường độ trường điện của nhiễu bức xạ điện từ có thể được tính chính xác từ công thức:
Eg1,1 = Et1,1 - Es1,1
trong đó
Eg là nhiễu bức xạ điện từ (μV/m);
Et là giá trị đo được của cường độ trường điện (μV/m);
Es là cường độ trường điện của tín hiệu đài phát thanh (μV/m).
Thực tế cho thấy công thức trên là đúng khi các tín hiệu không mong muốn phát ra từ các đài phát thanh AM hoặc FM và truyền hình có biên độ tổng lên đến gấp hai lần biên độ nhiễu bức xạ điện từ cần đo.
Nên chỉ hạn chế sử dụng công thức này cho những trường hợp không thể tránh được ảnh hưởng nhiễu của các đài phát thanh. Nếu tần số nhiễu bức xạ điện từ không ổn định thì nên sử dụng máy thu toàn cảnh hoặc máy phân tích phổ và không áp dụng công thức này.
Lan truyền nhiễu từ thiết bị công nghiệp tần số radio tại các tần số từ 30 MHz đến 300 MHz
Đối với thiết bị tần số radio dùng trong công nghiệp đặt trên hoặc gần mặt đất, độ suy giảm của trường theo khoảng cách từ nguồn, ở độ cao nằm trong khoảng từ 1 m đến 4 m so với mặt đất, tùy thuộc vào đất và bản chất địa hình. Mô Hình lan truyền điện trường bên trên đất phẳng trong vùng từ 1 m đến 10 km tính từ nguồn được mô tả trong [15].
Mặc dù ảnh hưởng của bản chất mặt đất, và các vật cản trên mặt đất đối với mức suy giảm thực tế của sóng điện từ tăng cùng với tần số, vẫn có thể lấy một hệ số suy giảm trung bình trong dải tần từ 30 MHz đến 300 MHz.
Do sự gia tăng về mấp mô và lồi lõm của mặt đất, trường điện từ sẽ giảm do hiện tượng cản, hấp thụ (kể cả suy giảm do các toà nhà và cây cối), tán xạ, phân kỳ và mất tập trung của các sóng khúc xạ [16]. Do vậy hiện tượng suy giảm chỉ có thể mô tả trên cơ sở xác suất. Đối với các khoảng cách tính từ nguồn lớn hơn 30 m, cường độ trường kỳ vọng hoặc trung bình ở một độ cao nhất định thay đổi theo 1/Dn, trong đó D là khoảng cách tính từ nguồn, và n thay đổi từ khoảng 1,3 đối với vùng nông thôn thoáng đãng, đến khoảng 2,8 đối với khu đô thị nhà cửa san sát. Từ các phép đo khác nhau đối với mọi kiểu vùng đất, nên có thể sử dụng giá trị trung bình n = 2,2 để ước tính gần đúng. Những sai khác lớn của các giá trị cường độ trường đo được so với các giá trị tiên đoán dựa theo quy luật cường độ trường trung bình/khoảng cách xảy ra, với độ lệch chuẩn lên đến khoảng 10 dB trong phân bố logarit-chính tắc gần đúng. Không thể tiên đoán được phân cực của trường. Những kết quả này phù hợp với các phép đo ở một số nước.
Hiệu ứng chống nhiễu của các toà nhà đối với bức xạ là đại lượng biến thiên rất nhiều, tùy thuộc vào vật liệu xây dựng, bề dày của tường và diện tích cửa sổ. Đối với các bức tường đặc không có cửa sổ, độ suy giảm phụ thuộc vào bề dày của tường so với bước sóng bức xạ và có khả năng là độ suy giảm tăng theo tần số.
Tuy nhiên nhìn chung, sẽ được coi là không khôn ngoan nếu tin rằng các toà nhà có thể tạo mức bảo vệ cao hơn nhiều so với 10 dB.
Các khuyến cáo về bảo vệ một số dịch vị radio nhất định tại các vị trí cụ thể
E.1 Quy định chung
Các quy định sử dụng phát triển của ITU hướng tới việc sử dụng hiệu quả của phổ tần số radio và kiểm soát nội bộ của các nhiễu RF bức xạ ở tại nơi vận hành của các ứng dụng ISM RF. Các quan điểm liên quan của ITU liên quan tới các môi trường công nghiệp và/hoặc dân cư được nhận diện bởi CISPR và được kết hợp trong các phần chính của tiêu chuẩn này. Ngoài các quy định, các quy định bổ sung của ITU có thể được áp dụng cho việc vận hành và sử dụng cá nhân của các ứng dụng ISM RF trong các môi trường cụ thể, chẳng hạn: trong “các vị trí cụ thể”, mà không chỉ ra trong các phần chính của tiêu chuẩn này. CISPR coi các điều khoản đó của ITU và các văn bản quốc gia dựa theo đó chỉ là những khuyến cáo bởi vì chúng chỉ áp dụng cho các ứng dụng ISM RF riêng lẻ được sử dụng trong các vị trí cụ thể trong các điều kiện tại hiện trường.
E.2 Khuyến cáo đối với việc bảo vệ các dịch vụ radio liên quan tới an toàn
Các thiết bị ISM RF cần được thiết kế nhằm trách các vận hành cơ bản hoặc giả mạo mức cao và tín hiệu điều hòa trong các dải tần đối với các dịch vụ radio liên quan tới an toàn. Danh sách của các dải tần được nêu trong Phụ lục F.
CHÚ THÍCH: Đối với việc bảo vệ của dịch vụ radio liên quan đến an toàn, ở một vị trí cụ thể, một lắp đặt cá nhân có thể được yêu cầu nhằm đáp ứng các giới hạn trong Bảng E.1.
Bảng E.1 - Các giới hạn đối với nhiễu điện từ đối với phép đo hiện trường nhằm bảo vệ các dịch vụ radio an toàn cụ thể tại một vị trí nhất định
|
Dải tần MHz |
Giới hạn |
Đo khoảng cách D từ bề mặt ngoài của tường ngoài tòa nhà mà thiết bị được đặt |
|
|
Trường điện Tựa đỉnh dBμV/m |
Trường từ Tựa đỉnh dBμV/m |
Khoảng cách D m |
|
|
0,283 5 - 0,526 5 |
- |
13,5 |
30 |
|
74,6 - 75,4 |
30 |
- |
10 |
|
108 - 137 |
30 |
- |
10 |
|
242,95 - 243,05 |
37 |
- |
10 |
|
328,6 - 335,4 |
37 |
- |
10 |
|
960 - 1 215 |
37 |
- |
10 |
E.3 Khuyến cáo đối với việc bảo vệ các dịch vụ radio nhạy cảm cụ thể
Đối với việc bảo vệ các dịch vụ raido nhạy cảm cụ thể, tại các vị trí cụ thể, điều này được khuyến cáo nhằm tránh các vận hành cơ bản hoặc việc phát xạ của tín hiệu điều hòa mức cao trong các dải tần. Một vài ví dụ của các dải tần được liệt kê trong Phụ lục G.
CHÚ THÍCH: Đối với việc bảo vệ của dịch vụ radio nhạy cảm cụ thể, ở một vị trí cụ thể, các cơ quan quốc gia có thể đòi hỏi các phép đo triệt tiêu và bổ sung hoặc các vùng riêng biệt được chỉ định đối với các trường hợp mà các nhiễu có hại có thể xảy ra.
Các dải tần liên quan tới dịch vụ an toàn
|
Tần số MHz |
Dành cho / sử dụng cho |
|
0,010 - 0,014 |
Vô tuyến dẫn đường (Omega, chỉ trên tàu thủy và máy bay) |
|
0,090 - 0,11 |
Vô tuyến dẫn đường (LORAN-C và DECCA) |
|
0,2835 - 0,5265 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (trạm định vị không định hướng) |
|
0,489 - 0,519 |
Thông tin an toàn biển (chỉ cho vùng ven biển và trên tàu thủy) |
|
1,82 - 1,88 |
Vô tuyến dẫn đường (LORAN-A chỉ cho vùng A, vùng ven biển và trên tàu thủy) |
|
2,1735 - 2,1905 |
Tần số di động gặp nạn |
|
2,09055 - 2,09105 |
Trạm định vị vô tuyến chỉ thị vị trí cấp cứu (EPIRB) |
|
3,0215 - 3,0275 |
Di động hàng không (hoạt động tìm kiếm và cứu nạn) |
|
4,122 - 4,2105 |
Tần số di động gặp nạn |
|
5,6785 - 5,6845 |
Di động hàng không (hoạt động tìm kiếm và cứu nạn) |
|
6,212 - 6,314 |
Tần số di động gặp nạn |
|
8,288 - 8,417 |
Tần số di động gặp nạn |
|
12,287 - 12,5795 |
Tần số di động gặp nạn |
|
16,417 - 16,807 |
Tần số di động gặp nạn |
|
19,68 - 19,681 |
Thông tin an toàn biển (chỉ cho vùng ven biển và trên tàu thủy) |
|
22,3755 - 22,3765 |
Thông tin an toàn biển (chỉ cho vùng ven biển và trên tàu thủy) |
|
26,1 - 26,101 |
Thông tin an toàn biển (chỉ cho vùng ven biển và trên tàu thủy) |
|
74,6 - 75,4 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (trạm định vị đánh dấu) |
|
108 - 137 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (VOR 108 - 118 MHz VOR, đường truyền lên SARSAT tần số gặp nạn 121,4 - 123,5 MHz, Điều khiển không lưu 118 - 137 MHz) |
|
156,2 - 156,8375 |
Tần số di động gặp nạn trên biển |
|
242,9 - 243,1 |
Tìm và cứu nạn (đường truyền lên SARSAT) |
|
328,6 - 335,4 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (ILS chỉ thị tuyến hạ cánh) |
|
399,9 - 400,05 |
Vệ tinh vô tuyến dẫn đường |
|
406 - 406,1 |
Tìm và cứu nạn (trạm định vị vô tuyến chỉ thị vị trí cấp cứu (EPIRB), đường truyền lên SARSAT) |
|
960 - 1 238 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (TACAN), trạm định vị Điều khiển không lưu |
|
1 300 - 1 350 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (rađa tìm trên không tầm xa) |
|
1 544 - 1 545 |
Tần số gặp nạn-SARSAT truyền xuống (đường truyền xuống 1 530 - 1 544 MHz từ vệ tinh di động có thể được ưu tiên vì lý do gặp nạn) |
|
1 545 - 1 559 |
Vệ tinh di động hàng không (R) |
|
1 559 - 1 610 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (GPS) |
|
1 610 - 1 625,5 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (máy đo độ cao bằng vô tuyến) |
|
1 645,5 - 1 646,5 |
Tần số gặp nạn-đường truyền lên (đường truyền xuống 1 626,5 - 1 645,5 MHz từ vệ tinh di động có thể được ưu tiên vì lý do gặp nạn) |
|
1 646,5 - 1 660,5 |
Vệ tinh di động hàng không (R) |
|
2 700 - 2 900 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (rađa Điều khiển không lưu sân bay đầu tuyến) |
|
2 900 - 3 100 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (trạm định vị rađa - chỉ cho vùng biển và trên tàu) |
|
4 200 - 4 400 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (máy đo độ cao) |
|
5 000 - 5 250 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (hệ thống hạ cánh vi sóng) |
|
5 350 - 5 460 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (rađa và trạm định vị trên máy bay) |
|
5 600 - 5 650 |
Rađa thời tiết doppler bến đầu tuyến - chuyển gió |
|
9 000 - 9 200 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (rađa báo lại gần chính xác) |
|
9 200 - 9 500 |
Rađa phản hồi dùng cho tìm kiếm và cứu nạn trên biển. Trạm định vị rađa vùng biển và rađa dẫn đường. Rađa vẽ bản đồ mặt đất và thời tiết trên máy bay dùng cho dẫn đường trên máy bay, đặc biệt trong điều kiện tầm nhìn kém |
|
13 250 - 13 400 |
Vô tuyến dẫn đường hàng không (rađa dẫn đường doppler) |
|
Tần số MHz |
Dành cho / sử dụng cho |
|
13,36 - 13,41 |
Vô tuyến thiên văn |
|
25,5 - 25,67 |
Vô tuyến thiên văn |
|
29,3 - 29,55 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh |
|
37,5 - 38,25 |
Vô tuyến thiên văn |
|
73 - 74,5 |
Vô tuyến thiên văn |
|
137 - 138 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh |
|
145,8 - 146 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh |
|
149,9 - 150,05 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh dẫn đường bằng vô tuyến |
|
240 - 285 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh |
|
322 - 328,6 |
Vô tuyến thiên văn |
|
400,05 - 400,15 |
Tín hiệu thời gian và tần số tiêu chuẩn |
|
400,15 - 402 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh |
|
402 - 406 |
Đường liên lạc vệ tinh 402,5 MHz |
|
406,1 - 410 |
Vô tuyến thiên văn |
|
435 - 438 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh |
|
608 - 614 |
Vô tuyến thiên văn |
|
1 215 - 1 240 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh |
|
1 260 - 1 270 |
Đường liên lạc vệ tinh |
|
1 350 - 1 400 |
Đài quan sát vạch quang phổ hydro trung hoà (vô tuyến thiên văn) |
|
1 400 - 1 427 |
Vô tuyến thiên văn |
|
1 435 - 1 530 |
Viễn trắc kiểm tra chuyến bay hàng không |
|
1 530 - 1 559 |
Vô tuyến thiên văn |
|
1 559 - 1 610 |
Vô tuyến thiên văn |
|
1 610,6 - 1 613,8 |
Đài quan sát vạch quang phổ gốc OH (vô tuyến thiên văn) |
|
1 660 - 1 710 |
1 660 - 1 668,4 MHz: Vô tuyến thiên văn 1 668,4 - 1 670 MHz: Vô tuyến thiên văn và máy thám trắc vô tuyến 1 670 - 1 710 MHz: Đường liên lạc mặt đất vệ tinh và máy thám trắc vô tuyến |
|
1 718,8 - 1 722,2 |
Vô tuyến thiên văn |
|
2 200 - 2 300 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh |
|
2 310 - 2 390 |
Viễn trắc kiểm tra chuyến bay hàng không |
|
2 655 - 2 900 |
2 655 - 2 690 MHz: Vô tuyến thiên văn và đường liên lạc mặt đất vệ tinh 2 690 - 2 700 MHz: Vô tuyến thiên văn |
|
3 260 - 3 267 |
Đài quan sát vạch quang phổ (vô tuyến thiên văn) |
|
3 332 - 3 339 |
Đài quan sát vạch quang phổ (vô tuyến thiên văn) |
|
3 345,8 - 3 358 |
Đài quan sát vạch quang phổ (vô tuyến thiên văn) |
|
3 400 - 3 410 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh |
|
3 600 - 4 200 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh |
|
4 500 - 5 250 |
4 500 - 4 800 MHz: Đường liên lạc mặt đất vệ tinh 4 800 - 5 000 MHz: Vô tuyến thiên văn 5 000 - 5 250 MHz: Dẫn đường hàng không bằng vô tuyến |
|
7 250 - 7 750 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh |
|
8 205 - 8 500 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh |
|
10 450 - 10 500 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh |
|
10 600 - 12 700 |
10,6 - 10,7 GHz: Vô tuyến thiên văn 10,7 - 12,2 GHz: Đường liên lạc mặt đất vệ tinh 12,2 - 12,7 GHz: Vệ tinh quảng bá trực tiếp |
|
14 470 - 14 500 |
Đài quan sát vạch quang phổ (Vô tuyến thiên văn) |
|
15 350 - 15 400 |
Vô tuyến thiên văn |
|
17 700 - 21 400 |
Đường liên lạc mặt đất vệ tinh |
|
21 400 - 22 000 |
Vệ tinh quảng bá (Vùng 1 và Vùng 2) |
|
22 010 - 23 120 |
22,01 - 22,5 GHz: Vô tuyến thiên văn 22,5 - 23,0 GHz: Vệ tinh quảng bá (Vùng 1) (22,81 - 22,86 GHz cũng dùng cho vô tuyến thiên văn) 23,0 - 23,07 GHz: Cố định/liên vệ tinh/di động (được sử dụng để lấp đầy khe hở giữa các dải tần số) 23,07 - 23,12 GHz: Vô tuyến thiên văn |
|
23 600 - 24 000 |
Vô tuyến thiên văn |
|
31 200 - 31 800 |
Vô tuyến thiên văn |
|
36 430 - 36 500 |
Vô tuyến thiên văn |
|
38 600 - 40 000 |
Vô tuyến thiên văn |
|
Trên 400 GHz |
Dải tần số trên 400 GHz được ấn định cho vô tuyến thiên văn, đường liên lạc mặt đất vệ tinh, v.v.. |
Đánh giá thống kê của chuỗi thiết bị hiện có theo các yêu của các tiêu chuẩn CISPR
H.1 Ý nghĩa của giới hạn CISPR
Giới hạn CISPR là giới hạn được khuyến cáo cho các cơ quan chức năng nhà nước để đưa vào tiêu chuẩn quốc gia, quy định pháp lý liên quan và các quy định kỹ thuật chính thức. Khuyến cáo các tổ chức quốc tế sử dụng các giới hạn này. Ý nghĩa của các giới hạn đối với thiết bị được chấp nhận về kiểu phải dựa trên cơ sở thống kê ít nhất 80 % thiết bị sản xuất hàng loạt phù hợp với các giới hạn với độ tin cậy ít nhất là 80 %.
Việc đánh giá tính tuân thủ của thiết bị được thử nghiệm ở một khu vực thử nghiệm phải dựa trên các kết quả đo thu được theo các quy định kỹ thuật của Điều 7. Đối với các thiết bị sản xuất hàng loạt, phải có 80% độ tin cậy của ít nhất 80% các hạng mục chế tạo tuân thủ với các giới hạn đưa ra (tiêu chí tuân thủ), xem CISPR 16-4-2. Các thủ tục đánh giá thống kê cung cấp một mức tin cậy được quy định trong H.3.1, H.3.2 và H.3.3.
Chú thích: Khi áp dụng các thủ tục đánh giá thống kê khác nhiều hơn các thủ tục khác hoặc được quy định trong CISPR 16-4-3, người sử dụng tiêu chuẩn này có thể được mời đề trình bày chứng cứ mà các tiêu chí tuân thủ nêu trên đáp ứng được khi áp dụng phương pháp khác này.
Các kết quả đo thu được đối với thiết bị đo sử dụng tại chỗ và không ở khu vực thử nghiệm phải được coi là chỉ liên quan tới việc lắp đặt này và không được xem xét đại diện của bất kỳ lắp đặt nào khác và không được sử dụng cho mục đích đánh giá thống kê.
H.2 Thử nghiệm điển hình
Là một quy tắc, kết quả tích cực của thử nghiệm điển hình trong một thiết bị cho sẵn theo tiêu chuẩn liên quan cần được nhận diện như phê duyệt kiểu nếu các thử nghiệm điển hình được tiến hành.
H.2.1 hoặc trên mẫu thiết bị của các loại sử dụng một trong nhiều phương pháp thống kê của phép đánh giá theo H.3,
H.2.2 hoặc, vì lợi ích đơn giản trên chỉ một thiết bị. Trong trường hợp này, các thử nghiệm liên tiếp cần thiết theo thời gian trên các thiết bị ngẫu nhiên từ đường cung ứng.
CHÚ THÍCH: Việc nhận diện của thử nghiệm điển hình được tạo ra chỉ cho một thiết bị là sản phẩm được sản xuất hàng loạt là phê duyệt kiểu có thể phụ thuộc vào quy định quốc gia hay khu vực. Các cơ quan quốc gia hay khu vực có thể phụ thuộc vào các hệ thống đảm bảo chất lượng khác nhau được duy trì bởi nhà chế tạo. Cần tham khảo các quy định quốc gia hay quốc tế tương ứng.
H.3 Đánh giá thống kê của thiết bị được sản xuất hàng loạt
H.3.1 Đánh giá dựa trên lượng dư chung về giới hạn
Các đánh giá là tích cực khi các giá trị đo được từ tất cả các hạng mục của mẫu, nằm trong giới hạn và lượng dư về giới hạn không hẹp hơn lượng dư chung, nêu trong Bảng H.1 dưới đây.
Bảng H.1 - Lượng dư chung về giới hạn dành cho việc đánh giá thống kê
|
Cỡ mẫu (n) |
3 |
4 |
5 |
6 |
|
Lượng dư chung về giới hạn (dB) |
3,8 |
2,5 |
1,5 |
0,7 |
Phương pháp này có thể được sử dụng có một quyết định cuối cùng nhanh chóng. Nếu các điều kiện không đáp ứng, không có nghĩa là một sản phẩm là không phù hợp. Để xác định sự không phù hợp, các kết quả đo phải được đánh giá bởi một trong các phương pháp ở H.3.2 (sử dụng sự phân bố t không tập trung).
CHÚ THÍCH: Phương pháp này được dựa trên CISPR 16-4-3 được cho là phù hợp, theo công thức
xmax + kE σmax ≤ L
trong đó
xmax là giá trị cao nhất (xấu hơn) của tất cả các hạng mục trong mẫu;
kE là hệ số trong bảng dưới đây, phụ thuộc vào cỡ mẫu;
σmax là giá trị bảo toàn đối với độ lệch chuẩn trong nhóm sản phẩm;
L là giới hạn.
Số lượng x, L và δmax được nhấn mạnh theo các thuật ngữ logic khi kE là một hệ số thông thường được đưa trong giá trị số học tương đối, xem các bảng trong chú thích này.
|
Cỡ mẫu (n) |
3 |
4 |
5 |
6 |
|
Hệ số kE |
0,63 |
0,41 |
0,24 |
0,12 |
CISPR 16-4-3 khuyến cáo giá trị σmax = 0,6 dB đối với cả điện áp nhiễu và công suất nhiễu. Đối với nhiễu bức xạ, giá trị σmax này đo được từ các EUT thuộc phạm vi áp dụng của tiêu chuẩn này được giả thiết là như nhau. Giá trị đối với lượng dư chung về giới hạn trong Bảng H.1 ở trên là phép tính nhân đơn giản của 0,6 dB này với hệ số kE. Trong Bảng H.1, giá trị chỉ được đưa ra đối với cỡ mẫu đến n = 6 vì đối với n = 7 hoặc cao hơn thì có thể áp dụng phương pháp cho trong 7.3.4, trong đó sử dụng phân bố nhị thức không có lượng dư bổ sung.
H.3.2 Đánh giá dựa trên sự phân bố t không tập trung
H.3.2.1 Quy trình thông thường
Các phép đo phải được tiến hành trên một mẫu có không ít hơn 5 thiết bị và không nhiều hơn 12 thiết bị của kiểu sản phẩm được sản xuất hàng loạt, nhưng nếu trong các trường hợp ngoại lệ khi không có sẵn 5 thiết bị thì có thể sử dụng ba hoặc bốn thiết bị của một mẫu.
CHÚ THÍCH: Các đánh giá tạo ra trên một mẫu có các kết quả đo thu được của một mẫu cỡ n liên quan tới tất cả các khối giống nhau và cho phép các biến đổi được khả năng tăng do các công nghệ sản xuất số lượng lớn.
Sự phù hợp đạt được khi mối quan hệ sau được đáp ứng:
trong đó:
là trung bình số học của các giá trị xn của
n hạng mục trong mẫu;
Sn là độ lệch chuẩn của các mẫu mà
X là mức nhiễu của một thiết bị riêng lẻ;
L là mức giới hạn cho phép;
K là hệ số, rút ra từ bảng phân số t không tập trung, đảm bảo với độ tin cậy 80 % rằng 80 % hoặc lớn hơn của kiểu là thấp hơn giới hạn này; giá trị của k phụ thuộc vào cơ mẫu n và được nêu trong Bảng H.2 dưới đây.
Các đại lượng , X, L được biểu thị theo thang logarit,
nghĩa là tính bằng dB.
Bảng H.2 - Hệ số K để ứng dụng sự phân bố t không tập trung của có mẫu n
|
n |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
12 |
|
k |
2,04 |
1,69 |
1,52 |
1,42 |
1,35 |
1,30 |
1,27 |
1,24 |
1,21 |
1,20 |
H.3.2.2 Quy trình mở rộng
Khi áp dụng các quy trình trong H.3.2.1, một mẫu đã cho của các thiết bị gây ra nhiễu dao động có thể không đáp ứng được các tiêu chí sự phù hợp. Trong các trường hợp này, quy trình đánh giá mở rộng được quy định trong khoản này có thể được áp dụng.
Phải thực hiện việc đánh giá thống kê riêng biệt cho các dải phụ tần sau đây:
|
Nhiễu dẫn: |
a) |
150 kHz đến 500 kHz |
|
|
b) |
500 kHz đến 5 MHz |
|
|
c) |
5 MHz đến 30 MHz |
|
Nhiễu bức xạ thấp hơn 1 GHz: |
a) |
30 MHz đến 230 MHz |
|
|
b) |
230 MHz đến 500 MHz |
|
|
c) |
500 MHz đến 1 000 MHz |
|
Nhiễu bức xạ cao hơn 1 GHz: |
a) |
1,0 GHz đến 4,5 GHz |
|
|
b) |
4,5 GHz đến 18 GHz |
CHÚ THÍCH: Đối với thiết bị nhóm 2, không cần bao trùm toàn bộ hoặc liên tục các dải phụ tần số được quy định bên trên, xem thông tin liên quan trong 6.3.24, Bảng 13,
Sự phù hợp của mẫu từ mối liên quan được biến đổi sau đây:
+
kSn ≤ 0
Các giá trị của k phụ thuộc vào cỡ mẫu n và được chỉ ra trong Bảng H.2 bên trên.
Để xác định sự phù hợp, công thức về độ lệch chuẩn theo H.3.2.1 phải được sử dụng:
trong đó:
là giá trị trung bình số học của các mức nhiễu
của n hạng mục thiết bị trong mẫu;
X là lượng dư của mức nhiễu của một hạng mục đơn lẻ của thiết bị với các giới hạn liên quan.
X được xác định như sau: đối với mỗi dải tần được quy định, xác định lượng dư giữa giá trị đo được (số đọc) và các giới hạn. Lượng dư kết quả là âm khi giá trị đo thấp hơn giới hạn và là dương khi cao hơn giới hạn, Đối với hạng mục riêng lẻ của mẫu thứ n, Xn là các giá trị của lượng dư tại tần số mà đường cong biên độ là lớn nhất.
CHÚ THÍCH: Nếu tất cả các giá trị đo được thấp hơn giới hạn, Xn là lượng dư nhỏ nhất về giới hạn. Nếu một vài giá trị đo được cao hơn giới hạn thì Xn là lượng dư lớn nhất mà nhờ đó giới hạn bị vượt quá.
X, và Sn được biểu diễn bằng logarit, nghĩa là
tính bằng dB.
Nếu tất các các giá trị đo được nằm trong giới hạn và thử nghiệm chỉ không đạt do độ lệch chuẩn cao thì phải tìm ra độ lệch nào không điều chỉnh được do xn lớn nhất tại ranh giới giữa hai dải phụ tần số. Trong trường hợp này, việc đánh giá phải được thực hiện theo H.3.3.
CHÚ THÍCH: Hình vẽ H.1 minh hoạ cho các cản trở có thể gặp phải nếu nhiễu lớn nhất đo được xuất hiện ở gần ranh giới giữa hai dải phụ tần số. "U" là điện áp nhiễu đo được; “f” là tần số. ở đây thể hiện hai khối có các đặc tính ra khác nhau. Đối với nhiễu băng rộng, giá trị lớn nhất cũng như tần số lớn nhất có thể thay đổi theo các khối, sự khác nhau là giữa khối 1 và khối 2 trong một mẫu là điển hình. Giá trị trung bình và độ lệch chuẩn được tính cho tất cả các khối (thể hiện hai khối) đối với từng dải phụ. Trong ví dụ này, độ lệch chuẩn tính được cho dải phụ 1 cao hơn nhiều so với dải phụ 2 (ví dụ coi sự chênh lệch giá trị của x1 và x2 là ranh giới). Thậm chí, độ lệch trung bình đối với dải phụ 1 là thấp hơn nhiều so với dải phụ 2, khi xem xét, các giá trị cao của Sn được nhân với hệ số trong Bảng H.2, trong trường hợp hiếm gặp này, có thể dẫn đến mẫu được đặt vào tiêu chí cho trước. Vì điều này đơn giản, kết quả của cách thức mà các dải phụ tần số đã được xác định, không thể rút ra các kết luận thống kê ý nghĩa nào liên quan đến sự phù hợp.
Hình H.1 - Ví dụ về các cản trở có thể xảy ra
H.3.3 Đánh giá dựa trên phân bố nhị thức
Đánh giá sự phù hợp từ điều kiện là số lượng thiết bị có mức nhiễu cao hơn giới hạn thích hợp có thể không vượt quá c theo cỡ mẫu n, xem Bảng H.3
Bảng H.3 - Thiết bị có phân bố thập phân
|
Cỡ mẫu (n) |
7 |
14 |
20 |
26 |
32 |
|
Số mẫu c vượt quá giới hạn L |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
H.3.4 Thiết bị được sản xuất trên một nền tảng riêng biệt
Tất cả các thiết bị không được sản xuất hàng loạt phải được thử nghiệm trên một nền tảng riêng biệt. Mỗi hạng mục đơn lẻ được yêu cầu phải đáp ứng các giới hạn khi được đo bằng các phương pháp quy định.
Mạng giả (AN) đối với đánh giá điện áp nhiễu tại các cổng nguồn d.c. của bộ chuyển đổi điện bán dẫn
I.1 Thông tin chung và mục đích
Mạng giả đối với việc đánh giá các điện áp nhiễu tại các cổng nguồn d.c. (DC-AN) cung cấp một trở kháng kết cuối 150 Ω phương thức chung đã biết đối với cổng nguồn d.c. của bộ chuyển đổi điện cần thử nghiệm trong phép đo của nhiễu dẫn RF tại các khu vực thử nghiệm chuẩn hóa. Điều này được xây dựng để cung cấp, trong dải tần dự kiến từ 150 kHz đến 30 MHz, các trở kháng đấu cuối đã cho đối với các thành phần nhiễu đối xứng (hoặc phương thức vi sai - DM) cũng như các thành phần không đối xứng (hoặc phương thức chung - CM). Các giá trị của trở kháng đấu cuối này được quy định trong Điều I.4.
Ngoài ra, DC-AN được trang bị có mạng khử ghép (nghĩa là một bộ lọc LC) sao cho việc khử ghép đầy đủ được cung cấp giữa cổng EUT và cổng AE của mạng, để ngăn ngừa nhiễu RF từ nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm ảnh hướng tới các kết quả đo thu được. Khi có tụ điện khử ghép không đối xứng với điện dung từ khoảng 100 nF tới khoảng 1 μF, ở hầu hết các trường hợp, việc lắp đặt của bộ lọc đó ngăn ngừa các hiệu ứng bão hòa trong bộ lọc giảm nhẹ mà bộ chuyển đổi điện có thể được trang bị và cách thức này cung cấp cho các kết quả đo có hiệu lực, tin cậy và có thể lặp lại.
I.2 Cấu trúc của DC-AN
I.2.1 AN phù hợp đối với phép đo nhiễu phương thức không đối xứng (UM)
Tương tự với V-AMN, AN phải cho phép dùng cho phép đo mức điện áp nhiễu phương thức không đối xứng tại một đầu nối (hoặc dây dẫn hoặc điện cực tương ứng) của cổng nguồn d.c. cần thử nghiệm của EUT, liên quan tới điểm đất chuẩn của phòng thí nghiệm. Một AN thích hợp sẽ là, ví dụ như một V- AN giả, một loại mạng Delta. Đối với bố cục và thiết kế, phải tuân thủ các quy tắc được trình bày trong CISPR 16-1-2. Sơ đồ mạch của mạng Delta phù hợp được thể hiện trên Hình I.1
CHÚ THÍCH: Do các ràng buộc trong việc thiết kế của các mạng V-AN thực đối với một tỷ lệ xác định nào đó của các trở kháng kết cuối DM với CM, việc lắp đặt V-AN giả có thể yêu cầu việc sử dụng một điện trở mắc song song thứ ba nối với hai đầu nối nguồn của cổng EUT của AN. Các điện trở mắc song song này là R2 trong Hình I.1 hoặc R3 trong Hình I.4 không có bất kỳ tác động nào tới các trở kháng kết cuối DM và CM được yêu cầu và cũng cung cấp cho các trở kháng kết cuối này trong phép đo các điện áp nhiễu UM. Đối với việc tính toán trở kháng kết cuối dùng cho các điện áp nhiễu UM, có thể sử dụng phép tính chuyển đổi Delta-Sao cho mạng điện trở. Ngoài ra, các trở kháng kết cuối cũng có thể được đo trực tiếp tại đầu nối nguồn EUT của AN liên quan tới nền chung khi sử dụng bộ phân tích mạng thích hợp. Sự khác biệt giữa mạng V và mạng Delta-AN chỉ được có vì lí do truyền thống. Điện áp nhiễu UM cũng có thể dễ dàng đo được bằng Delta-AN khi được trang bị với các cổng đo tương ứng.
I.2.2 AN phù hợp đối với phép đo của nhiễu phương thức vi sai (DM) và phương thức chung (CM)
Một Delta-AN phải cho phép đối với phép đo của mức điện áp nhiễu phương thức không đối xứng (hoặc phương thức vi sai - DM) giữa hai đầu nối (bất kỳ) khác với hai đầu nối tại điện thế đất (hoặc dây dẫn hoặc cực tương ứng) của cổng nguồn d.c. cần thử nghiệm của EUT. Điều này cùng cho phép đối với phép đo của mức điện áp nhiễu không đối xứng (hoặc phương thức chung - CM) tại mỗi nối HF ảo chung của hai (hoặc nhiều) đầu nối (hoặc dây dẫn hoặc cực tương ứng) của cổng nguồn d.c. cần thử nghiệm của EUT, liên quan tới điểm đất chuẩn của phòng thí nghiệm. Đối với bố cục và thiết kế, phải tuân thủ các quy tắc được trình bảy trong CISPR 16-1-2. Ví dụ về mạng Delta phù hợp được thể hiện trong CISPR 16-1-2:2014, Điều 6 Hình A.2. Hình vẽ này cũng sao chép lại trong Hình I.2.
I.2.3 AN phù hợp đối với phép đo nhiễu UM, CM và DM
Do việc lựa chọn Delta-AN cũng có thể cung cấp cho phép đo của mức điện áp nhiễu phương thức không đối xứng tại một đầu nối (hoặc dây dẫn hoặc cực tương ứng) của các cổng nguồn d.c. của EUT, liên quan tới điểm đất chuẩn của phòng thí nghiệm, giống như mạng V. Đối với bố cục và thiết kế, phải tuân thủ các quy tắc được trình bày trong CISPR 16-1-2. Các ví dụ về việc triển khai thực tế của các mạng V thực và Delta-AN kết hợp của một vài nhà chế tạo được cho trên hình từ Hình I.3 đến Hình I.5.
I.3 Sử dụng DC-AN trong phép đo về sự phù hợp
I.3.1 Quy định chung
Đối với các phép đo, có thể sử dụng DC-AN giả cũng như Delta-AN đáp ứng các yêu cầu trong I.4. Các mạng giả khác được quy định trong CISPR 16-1-2 cũng được sử dụng nếu cung cấp một trở kháng kết cuối 150 Ω phương thức chung (CM) hoặc phương thức không đối xứng đối với cổng cần thử nghiệm cho điểm đất chuẩn của phòng thí nghiệm, và nếu được trang bị với bộ lọc LC khử ghép điện dung CM-chặn thấp thích hợp.
CHÚ THÍCH: Hiện tại mạng giả V 150 V được quy định trong CISPR 16-1-2:2014, 4.5 không được sử dụng cho các phép đo của các nhiễu dẫn ở các cổng nguồn d.c. LV, vì nó cung cấp một trở kháng kết cuối phương thức chung chỉ với 75 Ω. Mạng V này không đáp ứng hầu như các thông số kỹ thuật cần thiết nhất được quy định trong Bảng I.1 điểm 3, nghĩa là: giá trị 150 Ω, đối với trở kháng kết cuối phương thức chung. Các đàm phán về định nghĩa của việc hiệu chỉnh có hệ thống đối với các kết quả đo thu được từ việc sử dụng các mạng này chưa bắt đầu.
Việc chọn lựa loại AN tùy thuộc vào người sử dụng tiêu chuẩn này. Mỗi loại AN đưa ra kết quả đo có cùng mức tin cậy là kết quả thu được khi sử dụng các mạng V được thiết lập. Thông tin về các khía cạnh của độ không đảm bảo đo đối với các mạng nguồn giả (AMN) được nêu trong CISPR 16-4-2:2011, Điều 4. Thông tin này có hiệu lực khi sử dụng DC-AN phù hợp với yêu cầu kỹ thuật trong I.4
Nếu sử dụng một mạng AN kết hợp thì chỉ đủ để áp dụng cho phép đo nhiễu phương thức không đối xứng (UM) hoặc phương thức chung (CM) và phương thức vi sai (DM).
Trong trường hợp bất kỳ, chỉ hoàn thành việc đánh giá về điện thế RFI của một cổng đã cho cần thử nghiệm trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz, nếu đã nhận được các kết quả đo và ghi lại đối với hai thành phần nhiễu ở phương thức không đối xứng hỗn hợp (UM) hoặc đối với cả hai thành phần nhiễu phương thức không đối xứng hoặc phương thức chung (CM) và phương thức đối xứng hoặc phương thức vi sai (DM).
I.3.2 V-AN giả
Trong mạng V giả, chỉ có thể thực hiện đánh giá của các thành phần này trong kết hợp như điện áp nhiễu phương thức không đối xứng (UM) hỗn hợp, các mức này có thể khác đối với từng đầu nối ở các cổng đã cho cần thử nghiệm, tùy thuộc vào sự mất cân bằng HF bên trong của EUT với mặt phẳng chung. Các điện áp nhiễu đầu nối “cổ điển” có thể so sánh với các giới hạn được thiết lập trực tiếp và sau đó chỉ định các yêu cầu về EMC được thiết lập, ví dụ với các cổng nguồn a.c.
Sự phù hợp với các giới hạn được kiểm tra xác nhận chỉ khi cả hai mức điện áp nhiễu phương thức không đối xứng (UM) đo được bằng với hoặc thấp hơn giới hạn tương ứng.
I.3.3 Delta-AN
Trong mạng DelCác thành phần nhiễu ở phương thức không đối xứng hoặc phương thức chung (CM) và phương thức đối xứng hoặc phương thức vi sai của các mạng Delta có thể được đo và đánh giá riêng lẻ, đối với từng cổng cần thử nghiệm.
Sự phù hợp với các giới hạn được kiểm tra xác nhận chỉ khi cả mức điện áp nhiễu phương thức chung (CM) và phương thức vi sai (DM) đo được bằng với hoặc thấp hơn giới hạn tương ứng.
I.4 Các yêu cầu kỹ thuật tiêu chuẩn đối với DC-AN
I.4.1 Các tham số và dung sai kết hợp trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz
Bảng 1.1 - Các tham số và dung sai kết hợp trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz
|
Vị trí |
Mô tả tham số |
Giá trị danh nghĩa và dung sai |
|
1 |
Loại DC-AN |
Mạng Delta phù hợp đối với phép đo tại một chuỗi hoặc một cổng nguồn d.c. (cực dương, cực âm và điểm đất chuẩn) |
|
2 |
Dải tần hiệu chỉnh |
Từ 150 kHz đến 30 MHz (dải đo) |
|
3 |
Trở kháng kết cuối CM tại cổng EUT, độ lớn |
(150 ± 30) Ω |
|
4 |
Trở kháng kết cuối CM tại cổng EUT, pha |
(0 ± 40)° |
|
5 |
Trở kháng kết cuối DM tại cổng EUT, độ lớn |
(150 ± 30) Ω |
|
6 |
Trở kháng kết cuối DM tại cổng EUT, pha |
(0 ± 40)° |
|
7 |
Tổn hao chuyển đổi dọc (LCL) tại cổng EUTa |
≥ 26 dB (hệ thống đối xứng 150 Ω) (được đo theo CISPR 16-1-2) |
|
8 |
Tổn hao xen CM tại cổng AE - cổng EUT |
≥ 20 dB (hệ thống không đối xứng 150 Ω) |
|
9 |
Tổn hao xen DM tại cổng AE - cổng EUT |
≥ 20 dB (hệ thống đối xứng 150 Ω) > 40 dB với tụ điện bên ngoài |
|
10 |
Điện trở phóng điện để khử ghép tụ điện trong đường dẫn dòng điện d.c. |
≥ 1,5 MΩ |
|
a LCL của AN phải lớn hơn đáng kể LCL bên trong của EUT. Trong phép đo điện áp nhiễu không đối xứng, chỉ thành phần nhiễu từ bộ chuyển đổi phương thức bên trong DM đến CM trong EUT cần được đánh giá. Giá trị trung bình thống kê LCL của máy phát PV được lắp đặt đã được tính đến khi xác định giới hạn cho cổng công suất đầu vào nguồn DC của các GCPC. |
||
CHÚ THÍCH: Các thông số trong Bảng I.1 đã thu được từ việc triển khai thực hiện hiện đại của mạng CISPR 150 Ω được mô tả trong CISPR 16-1-2 đối với việc sử dụng cùng phép đo ở các cổng nguồn d.c. điện áp thấp của các GCPC đối với các hệ thống phát điện bằng quang điện.
Cổng đo phải được bảo vệ khỏi các thành phần tần số thấp của quá …… điện áp xuất hiện khi đóng cắt nguồn ……… d.c. của phòng thí nghiệm. Ngoài ra, kết nối ….. thí nghiệm ............. phải được đảm bảo cho ..............................được AN để xả dòng điện phóng quá ...... qua tụ ghép khi cắt nguồn của phòng thí nghiệm.
Tụ điện khử ghép trong ........................................ dòng điện d.c. phải được .................... bởi điện trở phóng điện trở kháng cao, xem vị trí 10.
I.4.2 Các tham số và dung sai ................. trong dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz
Bảng I.2 - Các tham số và dung sai ................. trong dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz
|
Vị trí |
Mô tả thông số |
Giá trị danh nghĩa và dung sai |
|
2 |
Dải tần mở rộng |
Từ 9 kHz đến 150 kHz (bao gồm tần số làm việc của các GCPC) |
|
3 |
Trở kháng kết cuối CM tại cổng EUT, độ lớn |
≥ 10 Ω (cổng AE mở) |
|
4 |
Trở kháng kết cuối CM tại cổng EUT, pha |
không quy định |
|
5 |
Trở kháng kết cuối DM tại cổng EUT, độ lớn |
≥ 1 Ω (cổng AE mở) |
|
6 |
Trở kháng kết cuối DM tại cổng EUT, pha |
không quy định |
|
7 |
Tổn hao chuyển đổi dọc (LCL) tại cổng EUT |
≥ 26 dB, trong dải tần 10 kHz đến 150 kHz (hệ thống đối xứng 150 Ω) (đo theo CISPR 16-1-2) |
|
8 |
Tổn hao xen CM của cổng AE với cổng EUT |
≥ 20 dB ở 150 kHz (hệ thống không đối xứng 50 Ω), giảm theo tần số suy giảm với 40 ds/decade |
|
9 |
Tổn hao xen DM của cổng AE với cổng EUT |
≥ 20 dB ở 150 kHz > 40 dB với tụ điện bên ngoài (hệ thống đối xứng 150 Ω), giảm theo tần số suy giảm với 40 dB/decade |
CHÚ THÍCH: Các thông số trong Bảng I.2 đã thu được từ việc triển khai thực hiện hiện đại của mạng CISPR 150 Ω được mô tả trong CISPR 16-1-2 đối với việc sử dụng cùng phép đo ở các cổng nguồn d.c. điện áp thấp của các GCPC đối với các hệ thống phát điện bằng quang điện.
I.5 Ví dụ về triển khai thực tế của DC-AN
DC-AN có ZCM = 150 Ω, ZDM = 100 Ω . T1, T2 và T3 được đấu nối với trở kháng 50 Ω.
Tín hiệu điện áp không đối xứng (-20dB) có tại T1 và T2.
Tín hiệu điện áp phương thức chung (-20 dB...-24 dB phụ thuộc vào R3) có tại T3.
900 Ω < R3 < 1 500 Ω phụ thuộc vào tổn hao trong các phần tử trở kháng tại mạch được thực hiện để đáp ứng dung sai trở kháng được yêu cầu trong toàn bộ dải tần.
CHÚ THÍCH: Cổng đo T3 có thể được sử dụng để đo các thành phần nhiễu phương thức chung (CM) không đối xứng.
Hình I.1 - Triển khai thực tế của một DC-AN 150 Ω phù hợp với phép đo nhiễu UM (Ví dụ)
P là mối nối đối với thiết bị cần đo
1 dùng cho thành phần đối xứng
2 dùng cho thành phần không đối xứng
Hình I.2 - Triển khai thực tế của một DC-AN 150 Ω phù hợp với phép đo nhiễu CM và DM (ví dụ, xem thêm Hình A.2 trong CISPR 16-1-2:2014)
CHÚ THÍCH: Chế độ 1 và chế độ 2 thể hiện việc sử dụng của mạng giả đối với phép đo điện áp nhiễu ở phương thức không đối xứng (UM) hoặc điện áp nhiễu “đầu nối”.
Hình I.3 - Triển khai thực tế của một DC-AN 150 Ω phù hợp với phép đo nhiễu UM, CM và DM (Ví dụ 1)
CHÚ THÍCH: Chế độ A và chế độ B thể hiện việc sử dụng của các mạng giả đối với phép đo điện áp nhiễu ở phương thức không đối xứng (UM) hoặc điện áp nhiễu "đầu nối”.
Hình I.4 - Triển khai thực tế của một DC-AN 150 Ω phù hợp với phép đo nhiễu UM, CM và DM (Ví dụ 2)
CHÚ THÍCH: Chế độ 1 và chế độ 2 thể hiện việc sử dụng mạng giả như mạng giả V, nghĩa là đối với phép đo điện áp nhiễu không đối xứng hoặc điện áp nhiễu “đầu nối”. Khi sử dụng như mạng giả V, nghĩa là ở chế độ 1 hoặc chế độ 2, trở kháng kết cuối DM là 100 Ω. Khi sử dụng mạng Delta, nghĩa là ở chế độ 3 và chế độ 4, trở kháng kết cuối DM là 150 Ω.
Hình 1.5 - Triển khai thực tế của một DC-AN 150 Ω phù hợp với phép đo nhiễu UM, CM và DM (Ví dụ 3)
J.1 Thông tin chung và mục đích
Đối với phép đo điện áp nhiễu đầu nối trên các bộ chuyển đổi điện nối lưới (GCPC) được thiết kế để cung cấp điện năng trong lưới điện AC và hệ thống lắp đặt điện AC tương tự (xem định nghĩa 3.11), việc kết nối với nguồn điện DC của phòng thí nghiệm thích hợp là cần thiết trên phía đầu vào d.c. của GCPC, khi nối với các nguồn điện AC của phòng thí nghiệm thích hợp khác hoặc các lưới điện AC cũng cần thiết trên phía đầu ra AC.
Điện DC được đưa vào các cổng nguồn đầu vào DC của GCPC và không được tiêu thụ trong GCPC và do đó được chuyển đổi hầu như hoàn toàn thành điện AC và đầu ra về phía AC. Nếu công suất đầu ra AC từ các GCPC không được tiêu thụ bởi tải điện trở,v.v... thì dòng điện AC có thể được truyền ngược về nguồn điện AC của phòng thí nghiệm, và các thiết bị có thể bị hỏng. Ngoài ra, một vài quốc gia, việc đảo ngược luồng điện vào điện lưới AC bị hạn chế hoặc bị cấm theo quy định và luật quốc gia. Do đó, thiết lập toàn cầu về khu vực thử nghiệm được sử dụng đối với các phép đo cần được lưu ý và thiết lập thích hợp và phù hợp có thể cho phép đơn giản hóa bố trí thử nghiệm và cấu hình cho thiết bị cần thử nghiệm (EUT). Các ví dụ của các thiết lập phù hợp đối với các khu vực thử nghiệm được mô tả bên dưới.
J.2 Bố trí khu vực thử nghiệm
J.2.1 Sơ đồ khối của khu vực thử nghiệm
Bố trí phép đo và cấu hình cho EUT có thể được đơn giản hóa bằng việc sử dụng một khu vực thử nghiệm có cấu hình như thể hiện trong Hình J.1/J.2. Đối với thiết lập này, đầu ra AC của GCPC được nối với đầu vào AC của nguồn điện DC của phòng thí nghiệm thông qua V-AMN được sử dụng trong bố trí phép đo. Nguồn điện DC của phòng thí nghiệm chuyển đổi điện AC thành điện DC và được cung cấp cho đầu vào DC của các GCPC. Do đó, dòng điện lưu thông từ đầu ra AC tới đầu vào DC của GCPC. Ưu điểm của cấu hình khu vực này là nguồn điện DC sử dụng điện đầu ra AC của GCPC và do đó tải điện trở không được ngăn dòng điện AC chạy vào trong nguồn điện AC của phòng thí nghiệm.
Hình J.1 - Bố trí khu vực thử nghiệm (Trường hợp 1) - Sơ đồ 2D
CHÚ THÍCH: Khoảng cách quy định là 'x' và 'y' trong sơ đồ cần tham khảo trong CISPR 16-2-1:2014, 7.4.1.
Hình J.2 - Bố trí khu vực thử nghiệm (Trường hợp 1) - Sơ đồ 3D
Hệ quả là nguồn điện AC của phòng thí nghiệm chỉ cần cung cấp tổng tổn hao điện trong bố trí thử nghiệm, khi bắt đầu các phép đo. Do sử dụng nguồn điện AC của phòng thí nghiệm, điện áp a.c. và tần số có thể dễ dàng được điều chỉnh phù hợp với quy định kỹ thuật đối với phía đầu vào AC của các GCPC. Dòng điện nghịch đảo nguồn AC không chạy trong nguồn điện AC và do đó nó có thể bị hỏng.
J.2.2 Nguồn điện DC
Nguồn điện DC của phòng thí nghiệm phải có đủ điện đầu ra để vận hành các GCPC tại đầu ra AC danh định. Ngoài ra, cơ cấu đầu khiển dùng để điều chỉnh thông thường của điện áp đầu ra DC là cần thiết. Trong trường hợp của thiết lập khu vực thử nghiệm được thể hiện trong Hình J.1/J.2, các hệ thống điện của đầu vào AC tới nguồn điện DC phải phù hợp với đầu ra AC của GCPC.
J.2.3 Nguồn điện AC
Nguồn điện AC của phòng thí nghiệm phải là loại CVCF sao cho có thể điều chỉnh điện áp đầu ra AC danh nghĩa và tần số của GCPC cần thử nghiệm. Trong trường hợp của các thiết lập khu vực thử nghiệm được thể hiện trong Hình J.1/J.2, điện của GCPC chỉ đủ để cung cấp tổng tổn hao điện trong bố trí thử nghiệm thì không cần điện năng lớn hơn.
J.2.4 Các thành phần khác
Trong nhiều trường hợp bản thân nguồn điện DC được cung cấp bằng bộ lọc trên phía đầu vào và đầu ra. Như thể hiện trong Hình J.1/J.2, các bộ lọc EMI bổ sung có thể đặt trên phía đầu vào và đầu ra của nguồn điện DC để giảm nhẹ nhiễu dẫn được tạo ra.
Trong trường hợp hệ thống điện của đầu ra AC của GCPC, đầu vào AC của nguồn điện DC và đầu ra của nguồn AC không phù hợp như hệ thống một pha ba dây, hoặc hệ thống một pha hai dây, máy biến áp thích hợp phải được lắp vào như thể hiện trên Hình J.1/J.2 để chuyển đổi thích hợp với các hệ thống điện.
J.3 Bố trí thử nghiệm khác
J.3.1 Cấu hình bao gồm nguồn điện AC của phòng thí nghiệm và tải điện trở
Mặt khác, một vài trường hợp mà trong đó về cơ bản mỗi hệ thống điện không thể kết hợp ví dụ như đầu vào ba-pha của nguồn điện DC với đầu ra AC một pha của GCPV (ETU), v.v... (cũng có trường hợp đảo ngược). Trong trường hợp này, đầu ra AC của GCPC không thể nối trực tiếp tới đầu vào AC của nguồn điện DC được thể hiện trong Hình J.1/J.2. Khi đó, tải điện trở khác được nối song song với nguồn điện AC của phòng thí nghiệm được thể hiện trong Hình J.3/J.4 và điện AC của GCPC (EUT) phải được tiêu thụ bởi tải điện trở. Do đó, tải điện trở ngăn dòng điện đầu ra AC của GCPC không chạy ngược vào nguồn điện AC của phòng thí nghiệm, nếu có đủ điện để vượt quá điện đầu ra tối đa của AC của các GCPC.
Hình J.3 - Bố trí khu vực thử nghiệm (Trường hợp 2) - Sơ đồ 2D
CHÚ THÍCH: Khoảng cách quy định là 'x' và 'y' trong sơ đồ cần tham khảo trong CISPR 16-2-1:2014, 7.4.1.
Hình J.4 - Bố trí khu vực thử nghiệm (Trường hợp 2) - Sơ đồ 3D
J.3.2 Cấu hình trong trường hợp luồng điện ngược về mạch AC
Ví dụ thiết lập này thể hiện trường hợp nguồn điện AC của phòng thí nghiệm (xem Hình J.3/J.4) không được nối với phía đầu ra AC của GCPC.
Trong trường hợp đầu ra AC của GCPC được kết nối điện lưới AC thông qua một bộ lọc được thể hiện trong Hình J.5/J.6, dòng điện đầu ra của AC của GCPC chạy tới điện lưới AC và do đó không yêu cầu nối tải điện trở được thể hiện trong thiết lập trước đó, Trường hợp 2. Nhưng trong trường hợp này, có một nhược điểm là không thể điều chỉnh điện áp nguồn AC và tần số để phù hợp với các quy định kỹ thuật của phía đầu ra AC của GCPC.
Hình J.5 - Bố trí khu vực thử nghiệm (Trường hợp 3) - Sơ đồ 2D
CHÚ THÍCH: Khoảng cách quy định là 'x' và 'y' trong sơ đồ cần tham khảo trong CISPR 16-2-1:2014, 7.4.1.
Hình J.6 - Bố trí khu vực thử nghiệm (Trường hợp 3) - Sơ đồ 3D
K.1 Thông tin chung và mục đích
Hầu hết các loại bộ chuyển đổi điện sử dụng thao tác hoặc chuyển đổi tần số theo dải từ 100 Hz lên đến 25 kHz. Kết quả đo thu được trong dải tần quan tâm (150 kHz đến 30 MHz) đôi khi bị vô hiệu một cách nghiêm trọng bởi tổng trở kháng phương thức chung (CM) có hiệu quả của toàn bộ chuỗi cấp nguồn d.c. trong môi trường thử nghiệm ở dải tần khoảng từ 500 Hz đến 150 kHz. Nếu tần số làm việc của bộ chuyển đổi điện cần thử nghiệm trùng với tần số của (các) sụt giảm cộng hưởng nối tiếp trong tổng trở kháng phương thức chung (CM) có hiệu quả của toàn bộ chuỗi cấp nguồn điện d.c. trong phòng thí nghiệm, dòng điện nhiễu CM quá mức có thể xuất hiện tại các tần số làm việc và có thể làm bão hòa bộ lọc EMI lắp trong (chẳng hạn như cuộn cảm phương thức chung) trong EUT. Do đó điều này sẽ gây ra suy giảm tính năng của bộ lọc một cách nghiêm trọng trong dải tần đo từ 150 kHz đến 30 MHz. Sự suy giảm tính năng của bộ lọc tức là các mức nhiễu RF quá mức phải được ghi lại, cuối cùng sẽ làm cho bộ chuyển đổi điện cần thử nghiệm không ĐẠT sự phù hợp với các yêu cầu quy định trong tiêu chuẩn này.
Điều này phải nói lên rằng chế độ làm việc này của bộ chuyển đổi điện chủ yếu sai lệch khỏi điều kiện làm việc trong sử dụng bình thường. Do đó các biện pháp bổ sung cần được tính đến tại các mức cấu hình để vận hành bộ chuyển đổi điện như được thiết kế trong sử dụng bình thường, trong thử nghiệm, điện điển hình theo tiêu chuẩn này.
Đương nhiên, tụ điện khử ghép CM phải được sử dụng, cùng với các cuộn cảm mắc nối tiếp thích hợp, như các bộ lọc LP khử ghép trở kháng kết cuối tại cổng EUT của mạng giả (AN), ví dụ từ các ảnh hưởng của nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm tại cổng AE của mạng AN này. Các quy định kỹ thuật của các DC-AN trong Bảng I.2 của Phụ lục I đảm bảo rằng trở kháng kết cuối CM tại cổng EUT của AN còn ít nhất ở các giá trị là 10 Ω hoặc hơn, ở cộng hưởng nối tiếp của bộ lọc khử ghép LP LC bên trong. Điều này ngăn ngừa ảnh hưởng bão hòa được đề cập ở trên trong hầu hết các trường hợp thử nghiệm thực tế. Đối với các đặc tính độ lớn-so với-tần số của trở kháng kết cuối CM của AN trong dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz, tham khảo các quy định kỹ thuật mà nhà chế tạo cung cấp.
Xem xét sự giảm nhẹ của dòng điện RF phương thức chung trong toàn bộ chuỗi cấp điện d.c. của phòng thí nghiệm, sự giảm nhẹ này và các tụ điện khử ghép CM bổ sung bị ảnh hưởng và các cuộn cảm phương thức chung (ví dụ trong các bộ lọc EMI tại khu vực) có thể tác động lẫn nhau bởi các đặc tính của bộ lọc khử ghép LP LC lắp trong của AN và có thể làm chuyển dịch tần số của (các) sụt giảm cộng hưởng nối tiếp của tổng trở kháng phương thức chung (CM) có hiệu lực đã phải chịu tạo cổng EUT của AN này.
Do đó, rất nên điều chỉnh đặc tính độ lớn-so với-tần số của tổng trở kháng kết cuối CM có hiệu lực tại cổng EUT của AN trong các điều kiện cần thiết đối với loại bộ chuyển đổi điện đã cho cần thử nghiệm. Các điều chỉnh này có thể được tạo ra bằng việc thay đổi giá trị của điện dung chặn CM trong chuỗi nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm và/hoặc chèn các cuộn cảm nối tiếp bổ sung hoặc cuộn cảm phương thức chung (CM). Phụ lục này mô tả các biện pháp có thể có để ngăn các ảnh hưởng bão hóa do các đặc tính không mong muốn của thiết bị đo tại khu vực thử nghiệm được sử dụng trong chuối nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm.
|
Cần lưu ý người sử dụng về các thiết lập thử nghiệm này cố liên quan đến điện áp nguy hiểm do các dòng rò rỉ cao. Cần đưa ra các lời khuyên từ người có trình độ phù hợp trước khi đóng điện nguồn điện hệ thống của phòng thí nghiệm nhằm đảm bảo các thương tổn hay phá hoại không bị gây ra cho các nhân viên thử nghiệm hay thiết bị. |
K.2 Khuyến cáo về ngăn ngừa các tác động bão hòa trong dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz
Nếu các mức nhiễu quá mức được giám sát trong phép đo nhiễu dẫn RF tại các cổng nguồn d.c. LV của bộ chuyển đổi điện trong dải tần từ 150 kHz đến 30 MHz thì điều này có thể do các tác động bão hòa xuất hiện tại tần số làm việc của EUT được chỉ định ở đâu đó trong dải tần thấp hơn 150 kHz. Nhằm tránh tình trạng này, khuyến cáo về giám sát các hướng dẫn được cho dưới đây:
1) Đối với phép đo tại các cổng nguồn d.c. LV của các bộ chuyển đổi điện chỉ sử dụng các AN phù hợp yêu cầu kỹ thuật của mạng giả Delta 150 Ω. Theo 4.6 của CISPR 14-1-2:2014 hoặc theo Phụ lục I của tiêu chuẩn này.
2) Áp dụng kiến trúc khu vực thử nghiệm tốt và kiểm tra toàn bộ thiết bị đo (ngoại trừ DC-AN) và cấu hình khu vực thử nghiệm có thích hợp đối với việc sử dụng cùng các phép đo về điện tử được vận hành trong các điều kiện chế độ đóng cắt tại các tần số làm việc (các tần số cơ bản) được chỉ định trong dải tần dưới 150 kHz. Dựa trên công nghệ được triển khai và thông lượng điện danh nghĩa, bộ chuyển đổi điện có thể sử dụng các tần số ở chế độ đóng cắt hoặc cơ bản trong dải tần của một vài 100 Hz lên đến khoảng 150 kHz.
3) Bất kỳ khi nào có thể chèn các thiết bị hấp thụ phương thức chung (CM) bổ sung, chẳng hạn: ống ferit, CMAD hoặc các CDN 150 Ω theo IEC 61000-4-6, giữa cổng AE của AN và cổng nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm được chỉ định trong môi trường thử nghiệm. Với mục đích này, cũng có thể sử dụng đoạn cáp điện d.c thừa. Ở dạng cuộn, đoạn cáp này đưa ra một cuộn cảm khử bổ sung (chẳng hạn: một cuộn cảm phương thức chung) đặt nối tiếp với mạng điện dòng điện phương thức chung của phòng thí nghiệm. Trong trường hợp bất kỳ, kiểm tra tính hiệu quả của các thiết bị từ chối phương thức chung được thêm vào, vì hầu hết trong số chúng, sẽ không tìm được quy định kỹ thuật của đặc tính kỹ thuật trong dải tần dưới 30 MHz.
4) Tránh sự trùng lắp tần số hoạt động hoặc tần số làm việc của các bộ chuyển đổi điện cần thử nghiệm với các tần số của sụt giảm cộng hưởng nối tiếp trong trở kháng CM của toàn bộ chuỗi nguồn điện d.c. bao gồm nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm, bộ lọc EMI được sử dụng trong hệ thống lắp của OATS hoặc SAC và AN. Tần số của sụt giảm cộng hưởng trong trở kháng CM của chuỗi cấp nguồn có thể chuyển dịch bằng cách thay đổi điện dung của tụ điện khử ghép CM có hiệu quả. Việc bổ sung của các tụ điện khử ghép CM bên ngoài được khuyến cáo tại giao diện giữa cổng AE của AN và cổng nguồn d.c của phòng thí nghiệm được chỉ định trong môi trường thử nghiệm. Cần ý thức rằng tụ điện với các điện dung khác nhau có thể là cần thiết nếu công tác thử nghiệm bao gồm các bộ chuyển đổi điện thực hiện các công nghệ khác nhau, các cấp lưu lượng điện và tương tự. Cần nhớ rằng tần số làm việc có thể được chỉ định tại đâu đó giữa một vài 100 Mhz lên tới 150 kHz.
K.3 Lời khuyên chi tiết
K.3.1 Quy định chung
Các mô tả sau đây được thể hiện đối với mạch khử ghép của DC-AN trong Điều I.1:
“Hơn nữa, các DC-AN được trang bị với một mạng khử ghép (tức là bộ lọc LC) sao cho việc khử ghép đủ được cung cấp giữa cổng EUT và cổng AE của nó nhằm ngăn ngừa các nhiễu RF khỏi nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm làm ảnh hướng tới kết quả đo thu được. Các tụ điện khử ghép không đối xứng với điện dung chỉ khoảng từ 100 nF đến khoảng 1 μF, cấu trúc của bộ lọc đó, ở hầu hết các trường hợp, ngăn ngừa các tác động bão hòa trong bộ lọc giảm nhẹ mà bộ chuyển đổi điện cần thử nghiệm có thể được trang bị cùng, và cách thức này tạo ra các kết quả đo lặp lại, đáng tin cậy và có hiệu lực”
Tuy nhiên, nếu nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm được áp dụng trong phép đo nhiễu RF như thể hiện trên Hình K.1, dòng điện RF CM được tạo ra do EUT không chỉ chạy qua các tụ điện khử ghép bao gồm các mạch khử ghép của DC-AN mà còn chạy qua các tụ điện khử ghép của nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm và bộ lọc EMI của khu vực thử nghiệm được trang bị cùng. Ngoài ra, trong hầu hết các trường hợp, điện dung của các tụ điện khử ghép mà thiết bị này được trang bị cùng, có thể lớn hơn 100 nF.
Hình K.1 - Lưu đồ về dòng điện RF phương thức chung tại mức cấu hình khu vực thử nghiệm
Một biện pháp rõ ràng về việc ngăn ngừa các phân bố bổ sung này đối với tổng dòng điện CM RF hiệu quả tại tần số làm việc của bộ chuyển đổi điện cần thử nghiệm là để làm tăng tổn hao khử khép CM giữa cổng AE của DC-AN và cổng nguồn d.c. của phòng thí nghiệm được chỉ định trong môi trường thử nghiệm.
Tổn hao khử ghép có thể được làm tăng bằng việc chèn các cuộn cảm nối tiếp bổ sung (biện pháp ưu tiên) và/hoặc bằng cách sử dụng các tụ điện khử ghép CM bổ sung tại giao diện giữa cổng AE của DC-AN và cổng nguồn d.c. của phòng thí nghiệm được chỉ định trong môi trường thử nghiệm (biện pháp đối phó đối với việc chuyển dịch các tần số của suy giảm cộng hưởng nối tiếp trong trở kháng kết cuối CM tại cổng EUT của DC-AN).
K.3.2 Chèn các cuộn cảm mắc nối tiếp (hoặc điện cảm phương thức chung) trong chuỗi cấp điện d.c. của phòng thí nghiệm
Nếu một vài thiết bị kẹp EMI thích hợp,v.v... làm suy giảm dòng điện RF phương thức chung trong dải tần từ 9 kHz ~ 150 kHz được chèn giữa cổng AE của DC-AN và cổng nguồn d.c. của phòng thí nghiệm trong môi trường thử nghiệm như thể hiện trên Hình K.2, các điện dung của tụ điện khử ghép mà nguồn điện d.c. và bộ lọc EMI được trang bị có thể bị bỏ qua. Đối với khử ghép bổ sung này, các đoạn cáp điện d.c thừa cũng có thể được sử dụng, nếu chũng được sắp xếp để tạo thành một cuộn dây không khí.
Hình K.2 - Lưu đồ khối về dòng điện RF phương thức chung bằng cách chèn các cuộn cảm mắc nối tiếp
CHÚ Ý - Thiết bị thích hợp như cơ cấu kẹp EMI có thể làm suy giảm dòng điện RF phương thức chung trong dải tần từ 9 kHz đến 150 kHz có thể không sẵn có trên thị trường. Biện pháp ưu tiên phải là việc chèn của tính cảm ứng nối tiếp.
Như đã đề cập ở trên, do độ lớn điện dung hiệu quả của tụ khử ghép của tất cả hệ thống đo của phòng thí nghiệm kể cả nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm có thể gây ra tác động bão hòa trong trong bộ lọc suy giảm của bộ chuyển đổi điện ít biến đổi được trang bị kèm, cần thiết sử dụng nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm và các bộ lọc EMI chỉ có tụ điện khử ghép phương thức chung điện dung thấp. Tuy nhiên, quan sát xem việc sử dụng của các tụ điện khử ghép CM có điện dung thấp chỉ có thể giảm áp lực của nhiễu RF được tạo ra bởi nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm, Nếu các nhiễu RF cực lớn xuất hiện trong thử nghiệm điển hình trên các bộ chuyển đổi điện ít biến đổi được cho là do sự bão hòa của các bộ lọc giảm nhẹ lắp trong thì cần được xem xét với việc sử dụng các pin như nguồn điện d.c.
K.3.3 Việc sử dụng các tụ điện khử ghép phương thức chung bổ sung tại giao diện giữa cổng AE của DC-AN và cổng nguồn d.c. của phòng thí nghiệm được chỉ định trong môi trường thử nghiệm
Đối với việc tăng của tổn hao khử ghép giữa chuỗi cấp nguồn d.c. của phòng thí nghiệm và bố trí phép đo, tụ điện khử ghép CM bổ sung có thể được nối giữa cổng AE (tức là mạch khử ghép) của DC-AN và cổng nguồn d.c. của phòng thí nghiệm được chỉ định trong môi trường thử nghiệm như thể hiện trong Hình K.3.
Hình K.3 - Lưu đồ khối về dòng điện RF phương thức chung bằng cách sử dụng các tụ điện khử ghép CM bổ sung
Tác động của các biện pháp này là chuyển dịch các suy giảm cộng hưởng nối tiếp trong các đặc tính độ lớn-với-tần số của trở kháng kết cuối CM tại cổng EUT của DC-AN với các tần số thấp hơn, cách này tránh các trùng lặp có thể có trong tần số của suy giảm cộng hưởng và tần số làm việc hoặc tần số cơ bản của bộ chuyển đổi điện cần thử nghiệm. Nếu các tần số làm việc không trùng với tần số công hưởng nối tiếp thì có thể tránh được các tác động bão hòa trong các EUT. Khá rõ rằng biện pháp phải được điều chỉnh cẩn thận sang loại bộ chuyển đổi điện đã cho, do dải rộng của tần số làm việc có thể phải chịu. Việc điều chỉnh riêng rẽ điện dung chặn CM bổ sung có thể cần thiết trong hầu hết các trường hợp.
K.4 Thông tin chính
Chúng ta đã nghiên cứu các phương pháp giải quyết vấn đề bão hòa dựa trên giả định rằng không có pin, nhưng nguồn điện d.c. của phòng thí nghiệm được sử dụng như các phép đo tại các bộ chuyển đổi điện ít biến đổi. Hình K.4 thể hiện một ví dụ về đặc tính trở kháng phương thức chung đối với DC-AN theo Bảng I.2. Như thể hiện trên Hình K.4, nó chứng minh rằng điểm cộng hưởng ở xấp xỉ 20 kHz và trở kháng phương thức chung bị giảm đáng kể tại tần số cộng hưởng này.
Hình K.4 - Trở kháng kết cuối CM tại cổng EUT của DC-AN - Đặc tính tần số so với độ lớn trong dải tần từ 3 kHz đến 30 MHz, Ví dụ
Sự bão hòa của bộ lọc giảm nhẹ mà bộ chuyển đổi điện được trang bị kèm, mà hiện tại trở thành một vấn đề, xuất hiện do lưu lượng dòng điện phương thức chung lớn trong trường hợp tần số cộng hưởng (20 kHz) trùng với tần số làm việc của các bộ chuyển đổi điện (EUT). Tuy nhiên, thực tế tần số cộng hưởng được xác định không chỉ bằng DC-AN mà còn bởi các đặc tính trở kháng phương thức chung của tất cả các thiết bị được sử dụng trong toàn chuỗi cấp điện d.c. của phòng thí nghiệm bao gồm nguồn điện d.c., các bộ lọc EMI được lắp đặt và các cơ cấu tương tự.
Trong trường hợp tần số cộng hưởng có hiệu lực được tạo bởi tất cả các thiết bị đo của phòng thí nghiệm trùng với tần số làm việc của bộ chuyển đổi điện và các lưu lượng dòng điện phương thức chung quá lớn, hoặc trong trường hợp cần phải xác nhận điều kiện nào thường xảy ra thì tần số cộng hưởng có thể được làm mất điều hướng khỏi tần số làm việc của bộ chuyển đổi điện bằng cách thay đổi điện dung của tụ điện khử ghép của mạch khử ghép của DC-AN hoặc bổ sung điện dung của tụ khử ghép như được trình bày trong Hình K.5 và do đó thay đổi tần số cộng hưởng, điều này có nghĩa là điểm cộng hưởng có thể chuyển dịch như thể hiện trên Hình K.6. Do đó, dòng điện phương thức chung có thể bị giảm ở tần số làm việc của bộ chuyển đổi điện bằng cách ngăn ngừa các tác động bão hòa.
Hình K.5 - Ngăn ngừa bão hòa của các bộ lọc giảm nhẹ bằng cách sử dụng các tụ điện khử ghép bổ sung
Nói cách khác, nếu các kết quả đo trong trường hợp điện dung của các tụ điện khử ghép được tăng có cùng kết quả đo trong trường hợp không bị thay đổi thì có thể kết luận rằng phép đo nhiễu dẫn đã được thực hiện đúng.
Với sự trao đổi của các thành phần phần cứng trong DC-AN, có khả năng làm tăng hoặc giảm điện dung của tụ điện khử ghép CM bằng việc thiết lập các cơ cấu đóng cắt để đóng cắt kết nối nối tiếp và song song của các tụ điện khử ghép này như thể hiện trên Hình K.7. Tuy nhiên, biện pháp này không được khuyến cáo đối với ứng dụng trong thực hành phòng thí nghiệm thông thường do có thể vi phạm việc hiệu chuẩn của các DC-AN tương ứng. Tuy nhiên, các tụ điện khử ghép CM bên ngoài có kết hợp kiểu đóng cắt có thể được sử dụng, nếu cần. Ứng dụng của tụ điện này thường chuyển dịch các cộng hưởng nối tiếp của bộ lọc khử ghép LC bên trong của DC-AN sang các tần số thấp hơn so với quy định kỹ thuật của nhà chế tạo.
Hình K.6 - Thay đổi theo tần số cộng hưởng do sự tăng và giảm điện dung của tụ điện khử ghép
Hình K.7 - Ví dụ về mạch DC-AN trong đó điện dung của các tụ chặn của mạch điện khử ghép LC có thể tăng hoặc giảm
Thư mục tài liệu tham khảo
[1] CISPR 14-1, Electromagnetic compatiblity - Requirements for household appliances, electric tools and similar apparatus - Part 1: Emission
[2] CISPR TR 16-2-5:2008, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Pad 2-5: In situ measurements for disturbing emissions produced by physically large equipment
[3] CISPR TR 16-4-3:2004 with amendment 1:2006, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Pad 4-3: Uncedainties, statistics and limit modelling - Statistical considerations in the determination of EMC compliance of mass-produced products
[4] CISPR TR 16-4-4:2007, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Pad 4-4: Uncedainties, statistics and limit modelling - Statistics of complaints and a model for the calculation of limits for the protection of radio services
[5] CISPR 15:20132, Limits and methods of measurement of radio disturbance characteristics of electrical lighting and similar equipment
[6] IEC 60050-601:1985, International Electrotechnical Vocabulary (IEV) - Chapter 601: Generation, transmission and distribution of electricity - General
[7] IEC TR 60083:20093, Plugs and socket-outlets for domestic and similar general use standardized in member countries of IEC
[8] IEC 60364-1, Low-voltage electrical installations - Pad 1: Fundamental principles, assessment of general characteristics, definitions
[9] IEC 60364-5-51:2005, Electrical installations of buildings - Pad 5-51: Selection and erection of electrical equipment - Common rules
[10] IEC 60705:2010, Household microwave ovens - Methods for measuring performance
[11] IEC TR 61000-2-5:20114, Electromagnetic compatibility (EMC) - Pad 2-5: Environment - Description and classification of electromagnetic environments
[12] IEC 61308:2005, High-frequency dielectric heating installations - Test methods for the determination of power output
[13] IEC 61689:2013, Ultrasonics - Physiotherapy systems - Field specifications and methods of measurement in the frequency range 0,5 MHz to 5 MHz
[14] IEC 61922:2002, High-frequency induction heating installations - Test methods for the determination of power output of the generator
[15] A.A.SMITH, Jr., Electric field propagation in the proximal region, IEEE Transactions on electromagnetic compatibility, Nov 1969, pp. 151-163.
[16] CCIR Report 239-7:1990, Propagation statistics requyred for broadcasting services using the frequency range 30 MHz to 1 000 GHz
MỤC LỤC
Lời nói đầu
1 Phạm vi áp dụng
2 Tài liệu viện dẫn
3 Thuật ngữ và định nghĩa
4 Tần số được chỉ định để sử dụng ISM
5 Phân loại thiết bị
6 Giới hạn của nhiễu điện từ
7 Yêu cầu về phép đo
8 Điều khoản đặc biệt đối với các phép đo tại khu vực thử nghiệm (9 kHz đến 1 GHz)
9 Phép đo bức xạ: 1 kHz đến 18 GHz
10 Phép đo tại hiện trường
11 Biện pháp phòng ngừa an toàn đối với phép đo phát xạ trên thiết bị ISM RF
12 Độ không đảm bảo đo
Phụ lục A (tham khảo) - Ví dụ về phân loại thiết bị
Phụ lục B (tham khảo) - Các phòng ngừa cần áp dụng khi sử dụng máy phân tích phổ (xem 7.3.1)
Phụ lục C (quy định) - Phép đo nhiễu bức xạ điện từ khi có mặt các tín hiệu từ các máy phát tần số radio
Phụ lục D (tham khảo) - Lan truyền nhiễu từ thiết bị công nghiệp tần số radio tại các tần số từ 30 MHz đến 300 MHz
Phụ lục E (tham khảo) - Các khuyến cáo về bảo vệ một số dịch vị radio nhất định tại các vị trí cụ thể
Phụ lục F (tham khảo) - Các dải tần liên quan tới dịch vụ an toàn
Phụ lục G (tham khảo) - Các dải tần dịch vụ nhạy cảm
Phụ lục H (tham khảo) - Đánh giá thống kê của chuỗi thiết bị hiện có theo các yêu của các tiêu chuẩn CISPR
Phụ lục I (quy định) - Mạng giả (AN) đối với đánh giá điện áp nhiễu tại các cổng nguồn d.c. của bộ chuyển đổi điện bán dẫn
Phụ lục J (tham khảo) - Phép đo trên bộ chuyển đổi điện nối lưới (GCPC) - Thiết lập đối với cấu hình tại khu vực thử nghiệm có hiệu quả
Phụ lục K (tham khảo) - Cấu hình khu vực thử nghiệm và hướng dẫn - Hướng dẫn phòng ngừa tác động bão hòa trong bộ lọc giảm nhẹ của các bộ chuyển đổi điện ít biến đổi trong thử nghiệm điển hình theo tiêu chuẩn này
Thư mục tài liệu tham khảo
Ý kiến bạn đọc
